近日，全球半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的“奧林匹克盛會”——IEEE國際電子器件大會（IEDM）2025年入選論文名單公布。本次會議，中國力量表現(xiàn)尤為亮眼，論文總數(shù)再創(chuàng)新高，充分展現(xiàn)了我國在半導(dǎo)體前沿技術(shù)研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新能力。

IEDM學(xué)術(shù)高地，中國科研持續(xù)突破

IEDM在國際半導(dǎo)體技術(shù)界享有崇高學(xué)術(shù)地位和廣泛影響力，是英特爾、IBM、TSMC、IMEC等產(chǎn)業(yè)巨頭和頂尖研發(fā)機(jī)構(gòu)報告其最新研究成果和技術(shù)突破的主要平臺。根據(jù)已公布的信息，北京大學(xué)以21篇論文的絕對優(yōu)勢蟬聯(lián)全球第一，同時，中國內(nèi)地機(jī)構(gòu)共計入選67篇論文，科研力量呈現(xiàn)百花齊放態(tài)勢，中國科學(xué)院微電子研究所、清華大學(xué)、南京大學(xué)等高校院所均貢獻(xiàn)了重要研究成果。

兩項尖端技術(shù)領(lǐng)跑，長鑫打通“學(xué)術(shù)-產(chǎn)業(yè)”轉(zhuǎn)化路，位列第一

在企業(yè)陣營中，長鑫科技（CXMT）成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“高光代表”——以2篇論文入選的成績領(lǐng)跑國內(nèi)企業(yè)，聚焦的3D FeRAM（鐵電存儲器）與新型多層堆疊DRAM兩大技術(shù)方向，均直擊未來存儲領(lǐng)域核心痛點(diǎn)。

技術(shù)研究上，長鑫科技實現(xiàn)了“雙首次”：在3D FeRAM領(lǐng)域，首次達(dá)成單片集成的堆疊式鐵電存儲，為低功耗、非易失性存儲應(yīng)用筑牢技術(shù)根基；在DRAM領(lǐng)域，展示全球首個BEOL集成的多層DRAM架構(gòu)，成功為突破傳統(tǒng)DRAM的密度與性能瓶頸開辟新路徑。DRAM產(chǎn)品在存儲芯片領(lǐng)域本就相較Nand產(chǎn)品具有更高的技術(shù)要求和科研難度，長鑫科技兩項技術(shù)研究在國際學(xué)術(shù)舞臺獲得認(rèn)可，將進(jìn)一步拉開與存儲產(chǎn)業(yè)內(nèi)其他廠商的競爭優(yōu)勢，通過技術(shù)硬實力鎖定未來競爭力。

這一系列成果標(biāo)志著中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在前沿技術(shù)探索中，正從“跟跑”加速邁向“并跑”，未來部分領(lǐng)域甚至實現(xiàn)“領(lǐng)跑”。而長鑫科技的實踐，更為國內(nèi)企業(yè)打通“學(xué)術(shù)論文到產(chǎn)業(yè)成果”的轉(zhuǎn)化通道提供了可借鑒的范本。

夯實基礎(chǔ)研發(fā)，鑄就產(chǎn)業(yè)長遠(yuǎn)競爭力

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起，始終以基礎(chǔ)研究為壓艙石。IEDM上的亮眼表現(xiàn)，正是國內(nèi)長期投入科研的集中體現(xiàn)——國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計劃等國家級項目的持續(xù)支持，以及國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺的搭建，為科研創(chuàng)新提供了堅實保障。

值得關(guān)注的是，在技術(shù)突破的同時，長鑫科技正積極推進(jìn) IPO進(jìn)程。依托3D FeRAM、多層堆疊DRAM等領(lǐng)先技術(shù)加持，其企業(yè)投資價值已成為資本市場關(guān)注焦點(diǎn)，進(jìn)一步凸顯中國半導(dǎo)體企業(yè)“技術(shù)+產(chǎn)業(yè)”雙輪驅(qū)動的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

從高校學(xué)術(shù)優(yōu)勢鞏固，到企業(yè)技術(shù)落地加速，本次IEDM清晰展現(xiàn)了中國半導(dǎo)體“產(chǎn)學(xué)研”協(xié)同并進(jìn)的格局。這一態(tài)勢不僅為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球競爭中贏得更多主動權(quán)，更為行業(yè)未來長遠(yuǎn)發(fā)展注入了強(qiáng)勁的確定性。