2025年2月19日 英國劍橋- 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者 Parkwalk、英國企業(yè)發(fā)展基金（BGF）、劍橋創(chuàng)新資本公司（CIC）、英國展望集團（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。
電力電子進入 GaN 的時代
氮化鎵器件代表了電力電子領(lǐng)域的突破。與傳統(tǒng)的硅基解決方案相比，它提供了更快的開關(guān)速度、更低的能耗和更緊湊的設(shè)計。CGD專有的、強大的單片集成 ICeGaN? 技術(shù)簡化了 GaN 在現(xiàn)有和漸進式設(shè)計中的執(zhí)行，提供了超過99%的效率水平，在包括電動汽車和數(shù)據(jù)中心電源在內(nèi)的各種高功率應(yīng)用中實現(xiàn)了高達50%的節(jié)能。由于這些應(yīng)用有望使每年節(jié)省數(shù)百萬噸的二氧化碳排放，加之 ICeGaN? 技術(shù)為客戶提供的固有的易用性，加速了全球向更可持續(xù)能源系統(tǒng)的過渡。
GiorGIA LONGOBARDI | CGD 首席執(zhí)行官和創(chuàng)始人
“本輪融資標志著CGD的一個重要節(jié)點，驗證了我們的技術(shù)和通過高效的GaN解決方案徹底改變電力電子行業(yè)的目標——使可持續(xù)的電力電子成為可能。我們現(xiàn)在正朝著快速增長的方向前進，期望降低多個領(lǐng)域的能源消耗。我們期待與我們的戰(zhàn)略投資者共同開拓汽車市場”。
市場機會和卓著的口碑
全球 GaN 功率器件市場預(yù)計實現(xiàn)41%復(fù)合年增長率的驚人增長，到20291年將達到20億美元。結(jié)合了高能效、小型化和單片集成的智能功能 ICeGaN? 被視為使用碳化硅（SiC）的現(xiàn)有解決方案的可行替代方案，并助力 CGD 進軍預(yù)計到20291年超過百億美元的高功率市場。憑借尖端技術(shù)和市場領(lǐng)導(dǎo)地位，CGD 完全有能力在這一快速擴張的市場占據(jù)有利地位。成功地贏得了行業(yè)領(lǐng)先客戶青睞的 CGD 有能力始終如一，為客戶提供可靠和有影響力的解決方案，推進行業(yè)創(chuàng)新。
Henryk Dabrowski | CGD銷售高級副總裁
“我很高興此次融資有助于 CGD 為成交的客戶提供最新一代 P2 產(chǎn)品。這項投資將大大提高我們的產(chǎn)能，滿足更多對可靠且易于使用的 GaN 解決方案日益增長的需求?！?/p>
全球擴張與未來愿景
憑借全球?qū)＜覉F隊、數(shù)十年的研究、以及對推動 GaN 技術(shù)進步的承諾，CGD 始終如一地為市場提供解決方案，增強常用電子產(chǎn)品的性能。隨著世界向電氣化和可持續(xù)發(fā)展方向的邁進，CGD 在 GaN 技術(shù)方面的領(lǐng)先地位為降低能耗、降低成本和減輕環(huán)境影響提供了一條途徑。通過實現(xiàn)高效、緊湊和高性能的功率器件，CGD 正在為可持續(xù)電力電子產(chǎn)品樹立新的標準。
這筆資金將幫助 CGD 擴大在劍橋、北美、中國臺灣地區(qū)和歐洲的業(yè)務(wù)，為不斷增長的客戶提供 CGD 獨特的價值主張；并將推動實施 CGD 繼續(xù)向大功率工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和汽車市場提供高效的 GaN 產(chǎn)品的增長戰(zhàn)略。
John Pearson | Parkwalk顧問公司首席投資官
“CGD 處于可以降低人工智能和電動汽車等蓬勃發(fā)展行業(yè)的能源需求的技術(shù)前沿。巨大的全球潛力和廣泛的應(yīng)用有助于 CGD 繼續(xù)創(chuàng)新和發(fā)展。我們很自豪自2019年以來一直支持 CGD 以及其出色的團隊，并同其他投資者合作，加快 CGD在 全球的擴張。”
George Mills | 深度科技、英國耐心資本直接和共同投資總監(jiān)
“經(jīng)過多年的研發(fā)，CGD 已經(jīng)證明了其半導(dǎo)體技術(shù)的影響力。他們的 GaN 器件比硅基器件消耗更少的能量，既降低了成本，又對環(huán)境產(chǎn)生了積極的影響。這項有價值的技術(shù)現(xiàn)在需要長期資本助力其擴大規(guī)模?！?/p>
關(guān)于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓半導(dǎo)體公司，由劍橋大學(xué)的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于2016年自劍橋大學(xué)分拆后成為獨立公司，致力于開發(fā)功率器件的革命性技術(shù)。CGD 的使命是通過提供最高效、最可靠的產(chǎn)品來塑造電力電子的未來。CGD 的設(shè)計、開發(fā)和商業(yè)化，實現(xiàn)了 GaN 器件和 IC 在能源效率和緊湊性上的根本性轉(zhuǎn)變，適用于大批量生產(chǎn)。CGD 技術(shù)受到強大的知識產(chǎn)權(quán)組合的保護，領(lǐng)先的創(chuàng)新技能和雄心推動著 CGD 不斷的進步。