中文引用格式: 麻澤龍,吳景峰,余小輝. 基于系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)的X頻段變頻模塊研制[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,2024,50(12):105-111.
英文引用格式: Ma Zelong,Wu Jingfeng,Yu Xiaohui. Development of X-band RF transceiver module with system in package technology[J]. Application of Electronic Technique,2024,50(12):105-111.
引言
系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)(System in Package,SiP)是將多個(gè)具有不同功能的有源電子器件與無(wú)源元件等其他器件組裝成為可以提供多種功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件,形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)[1]。相較于片上系統(tǒng)(System on Chip,SoC),系統(tǒng)級(jí)封裝的最大優(yōu)勢(shì)就是可以采用具有不同工藝(CMOS、Bi-CMOS等)和封裝技術(shù)(MCM)的器件制作出具有不同功能(發(fā)射接收通道、耦合器、頻率源)的系統(tǒng)[2],充分發(fā)揮各工藝的優(yōu)勢(shì),且可以降低研發(fā)周期,節(jié)約成本[3]。射頻SiP是SiP模塊的一個(gè)重要研究方向[4],主要基片類型包括硅基、低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)以及多層板等,芯片連接類型包括倒裝、芯片層疊,封裝類型包括球柵陣列(Ball Grid Array,BGA)、柵格陣列(Land Grid Array,LGA)等[5]。在文獻(xiàn)[6]中研究人員設(shè)計(jì)了一款基于SiP技術(shù)工作頻段為8~12 GHz的收發(fā)模塊[6],內(nèi)部集成了高功率放大器、低噪聲放大器、單片微波集成芯片、單刀雙擲開(kāi)關(guān)等器件,不同層間通過(guò)接插件連接,尺寸僅為13.8 mm×13.8 mm×6.1 mm。
本文介紹了一種X頻段雙通道收發(fā)SiP模塊。該模塊使用了多種原材料(GaAs、陶瓷)及工藝類型(CMOS、薄膜體聲波諧振器濾波(Film Bulk Acoustic Resonator,F(xiàn)BAR)等)制成的元器件。通過(guò)合理的軟件仿真、原理圖設(shè)計(jì)、器件布局,最終實(shí)現(xiàn)了該頻段收發(fā)模塊的小型化,且相關(guān)指標(biāo)測(cè)試指標(biāo)良好,滿足設(shè)計(jì)需求。
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作者信息:
麻澤龍,吳景峰,余小輝
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所, 河北 石家莊 050000)

