引言：

氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)盡顯,在 5G 通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域,發(fā)揮重要的作用。

面向中高功率市場(chǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體IDM

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體是一家第三代半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè),具備完整的“外延材料+芯片制造”自主核心技術(shù)與生產(chǎn)能力。公司以藍(lán)寶石基氮化鎵外延技術(shù)為基礎(chǔ),結(jié)合獨(dú)有的PSJ芯片工藝,生產(chǎn)700V、1200V、1700V、3300V等多種規(guī)格的中高功率氮化鎵外延材料與功率器件。其產(chǎn)品具有強(qiáng)大的電流塌陷控制能力,達(dá)到了極高的耐壓等級(jí),更好地服務(wù)于中高端功率市場(chǎng),助推GaN市場(chǎng)規(guī)模高速增長。

攻克多樣技術(shù)難題,鑄就卓越技術(shù)品質(zhì)

針對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體D-Mode GaN HEMT器件的測(cè)試樣品,廣電計(jì)量完成了一系列靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的參數(shù)測(cè)試。測(cè)試結(jié)果顯示,遠(yuǎn)山半導(dǎo)體DFN封裝形式的Gan HEMT器件通過了1200V高耐壓測(cè)試,并且展現(xiàn)出了極低的界面電容、優(yōu)良的熱阻和極快的開關(guān)速度,同時(shí)克服了氮化鎵器件容易發(fā)生的電流崩塌問題。各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平,意味著其產(chǎn)品在性能、質(zhì)量和可靠性方面具備優(yōu)勢(shì),有更強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

在靜態(tài)測(cè)試中,測(cè)試樣品處于關(guān)斷狀態(tài)且漏源電壓Vds達(dá)到1200V時(shí),Idss僅為7.69*10-7A,靜態(tài)電阻Ron=78mΩ;動(dòng)態(tài)測(cè)試的數(shù)據(jù)同樣優(yōu)秀,如下圖所示:

圖1 漏源關(guān)斷漏電流曲線圖  

圖2 寄生電容與VDS電壓關(guān)系曲線

圖3 瞬態(tài)熱阻曲線圖

隨著功率增加熱阻上升是功率器件普遍面臨的問題。從本次瞬態(tài)熱阻測(cè)試(見圖3)可以看出該測(cè)試器件的表現(xiàn)與SiC產(chǎn)品相當(dāng),充分表明其在高功率工作條件下的熱管理性能出色。

圖6反向恢復(fù)波形

廣電計(jì)量針對(duì)GaN HEMT器件的特性,設(shè)計(jì)了適合其器件性能的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。加載測(cè)試條件:VDS=600V  VGS=-6/3V Rg(on)=1Ω  Rg(off)=1Ω  L=100uH。實(shí)際的測(cè)試結(jié)果:器件的開啟延遲 Tdon 為 16.2ns,上升時(shí)間 Tr 為 9.8ns,關(guān)斷延遲為Tdoff為 15.3ns,下降時(shí)間 Tf 為 10.7ns。測(cè)試器件在高電壓大電流下實(shí)現(xiàn)了極高的開關(guān)響應(yīng)速度。

在動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試中,隨著電壓的上升,未出現(xiàn)快速的電阻升高,表明了本款氮化鎵器件在高壓下未出現(xiàn)電流崩塌現(xiàn)象。

需予以關(guān)注的是, GaN HEMT的開關(guān)速度明顯快于Si和SiC mosfet,具有非常低的寄生成分。GaN開關(guān)具有非常短的延遲,速度極快,頻率極高,且相較于等效的 Si 和 SiC 晶體管,具有更高的效率。倘若未加以注意,測(cè)試設(shè)備以及測(cè)量技術(shù)所引入的寄生元件,極有可能掩蓋 GaN 器件參數(shù),進(jìn)而導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果。

需予以關(guān)注的是, GaN HEMT的開關(guān)速度明顯快于Si和SiC mosfet,具有非常低的寄生成分。GaN開關(guān)具有非常短的延遲,速度極快,頻率極高,且相較于等效的 Si 和 SiC 晶體管,具有更高的效率。倘若未加以注意,測(cè)試設(shè)備以及測(cè)量技術(shù)所引入的寄生元件,極有可能掩蓋 GaN 器件參數(shù),進(jìn)而導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果。

針對(duì)此次動(dòng)態(tài)性能測(cè)試所面臨的挑戰(zhàn),廣電計(jì)量深入探究氮化鎵開關(guān)性能測(cè)試技術(shù),對(duì)測(cè)試布局予以優(yōu)化,規(guī)避測(cè)試過程中長環(huán)路的引入,從高低側(cè)電壓測(cè)量以及電流傳感器選取等方面著力,成功攻克了本次測(cè)試的難點(diǎn)。在進(jìn)行開通關(guān)斷能量測(cè)試時(shí),需對(duì)真假損耗予以區(qū)分。在關(guān)斷階段,當(dāng)柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(VGS (th))時(shí),氮化鎵處于不導(dǎo)通狀態(tài),負(fù)載電流(Iload)為 S2 的輸出電容(Coss)充電,由此產(chǎn)生的輸出電容儲(chǔ)能損耗(Eoss)為無功功率,不屬于真實(shí)損耗范疇。所測(cè)量的關(guān)斷能量(Eoff)包含了 Coss 的充電能量損失,而此部分并非關(guān)斷損耗的構(gòu)成部分。

圖7 漏電流路徑示意圖

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)負(fù)責(zé)人表示:“與廣電計(jì)量的合作是我們?cè)诘壒β市酒|(zhì)量管控道路上的一次重要突破。在我們的合作的過程中,廣電計(jì)量對(duì)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格把控和對(duì)細(xì)節(jié)的關(guān)注,讓我們對(duì)芯片的質(zhì)量有了十足的信心。通過他們的檢測(cè)服務(wù),證明了我們的芯片在電氣參數(shù)穩(wěn)定性和高溫高壓環(huán)境下的可靠性方面都達(dá)到了行業(yè)領(lǐng)先水平。這不僅提升了我們客戶的滿意度,也為我們公司在市場(chǎng)上樹立了良好的品牌形象。我們衷心希望能與廣電計(jì)量保持長期合作關(guān)系,共同探索更多提升芯片質(zhì)量的方法和途徑,為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量?！?/p>

國內(nèi)覆蓋芯片種類最多、技術(shù)能力最全面的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)

廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司是一家國有第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu),下設(shè)集成電路測(cè)試與分析事業(yè)部。作為工信部、發(fā)改委及廣東省、江蘇省和上海市支持掛牌的集成電路公共服務(wù)平臺(tái),廣電計(jì)量是國內(nèi)覆蓋芯片種類最多、技術(shù)能力最全面的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu),更是集成電路解決方案定制化設(shè)計(jì)及落地的合作方。

針對(duì) SiC 功率器件的高壓、高溫、大功率等特點(diǎn),廣電計(jì)量采用全新的硬件設(shè)計(jì)方案及制板工藝成功實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1000V 的 HV - HAST 和高達(dá) 225°C 的 HTXB 試驗(yàn)?zāi)芰?充分驗(yàn)證 SiC 功率器件的極限工作穩(wěn)定性;與 Si 相比,SiC MOSFET 可靠性評(píng)價(jià)急需采取專門開發(fā)的解決方案來應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn),率先建立了超越 Si 器件標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測(cè)試能力,包括 HTRB/RB、H3TRB、HTGB/GB、HTFB 及 AC - HTC;針對(duì) GaN 仍存在一系列 Si 器件的可靠性評(píng)估及測(cè)試無法覆蓋的難題,廣電計(jì)量建立的 GaN 驗(yàn)證平臺(tái)不僅涵蓋了標(biāo)準(zhǔn)鑒定能力,更重要具備對(duì) GaN 器件內(nèi)在故障機(jī)制觸發(fā)方法的驗(yàn)證能力。

· 已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個(gè)型號(hào)的芯片驗(yàn)證,并支持完成多款型號(hào)芯片的工程化和量產(chǎn)。

· 為國內(nèi)三分之二的功率器件龍頭企業(yè)提供參數(shù)測(cè)試、可靠性試驗(yàn)及失效分析。

· 在第三代半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域合作客戶超過80家,樣品數(shù)量三十余萬只。