9 月 15 日消息，工業(yè)和信息化部于 9 月 9 日印發(fā)《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024 年版）》通知，在文件列表包含國(guó)產(chǎn)氟化氪光刻機(jī)（110nm），和氟化氬光刻機(jī)（65nm）的內(nèi)容。

中國(guó)首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備是指國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破、擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)、尚未取得明顯市場(chǎng)業(yè)績(jī)的裝備產(chǎn)品，包括整機(jī)設(shè)備、核心系統(tǒng)和關(guān)鍵零部件等。

附上這兩行信息截圖如下：

晶圓直徑    照明波長(zhǎng)    分辨率    套刻    

氟化氪（KrF）光刻機(jī)    300mm    248nm    ≤110nm    ≤25nm    

氟化氬（ArF）光刻機(jī)    300mm    193nm    ≤65nm    ≤8nm    

氟化氪（KrF）和氟化氬（ArF）兩種氣體均服務(wù)于深紫外（DUV）光刻機(jī)，產(chǎn)生深紫外光的準(zhǔn)分子激光器。

目前來(lái)說(shuō)，光刻機(jī)共經(jīng)歷了五代的發(fā)展，從最早的 436 波長(zhǎng)，再到第二代光刻機(jī)開(kāi)始使用波長(zhǎng) 365nm i-line，第三代則是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波長(zhǎng)的 DUV 激光，這就是 ArF 準(zhǔn)分子激光。

ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光源光刻機(jī)，光源實(shí)際波長(zhǎng)突破 193nm，縮短為 134nm，NA 值為 1.35，最高可實(shí)現(xiàn) 7nm 制程節(jié)點(diǎn)。

浸入技術(shù)是指讓鏡頭和硅片之間的空間浸泡于液體之中，由于液體的折射率大于 1，使得激光的實(shí)際波長(zhǎng)會(huì)大幅度縮小。

套刻精度就是常說(shuō)的“多重曝光能達(dá)到的最高精度”，按套刻精度與量產(chǎn)工藝 1:3 的關(guān)系，這個(gè)光刻機(jī)大概可以量產(chǎn) 28nm 工藝的芯片。

28 納米光刻機(jī)，是芯片中低端和中高端的分界線(xiàn)，意味著工業(yè)獨(dú)立，中國(guó)的空調(diào)洗衣機(jī)汽車(chē)等各類(lèi)工業(yè)品，可以突破西方國(guó)家設(shè)置的重重封鎖，自主生產(chǎn)銷(xiāo)售。