當?shù)貢r間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發(fā)出全球首款300毫米（12英寸）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術。英飛凌是世界上第一家在現(xiàn)有且可擴展的大批量制造環(huán)境中掌握這項突破性技術的公司。這一突破將有助于大幅推動基于 GaN 的功率半導體市場。與 200 mm 晶圓相比，300 mm 晶圓上的芯片生產(chǎn)在技術上更先進，效率更高，因為更大的晶圓直徑每個晶圓可容納 2.3 倍的芯片。

目前基于氮化鎵的功率半導體在工業(yè)、汽車和消費、計算和通信應用中得到快速采用，包括AI系統(tǒng)的電源供應器、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統(tǒng)。最先進的 GaN 制造工藝可以提高器件性能，從而為最終客戶的應用帶來好處，因為它可以實現(xiàn)效率性能、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，300 毫米制造通過可擴展性確保了卓越的客戶供應穩(wěn)定性。

英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創(chuàng)新實力和全球團隊專注工作的結果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統(tǒng)創(chuàng)新領導者的地位。這項技術突破將改變行業(yè)游戲規(guī)則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購 GaN Systems 近一年后，我們再次證明我們決心成為快速增長的 GaN 市場的領導者。作為電源系統(tǒng)的領導者，英飛凌掌握了所有三種相關材料：硅、碳化硅和氮化鎵?！?/p>

據(jù)介紹，英飛凌在其位于奧地利菲拉赫的功率工廠現(xiàn)有的 300 mm 硅生產(chǎn)中，成功地在一條集成試驗線上制造了 300 mm GaN 晶圓。該公司正在利用現(xiàn)有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生產(chǎn)中的成熟能力。英飛凌將根據(jù)市場需求進一步擴大 GaN 產(chǎn)能。300 毫米 GaN 制造將使英飛凌能夠塑造不斷增長的 GaN 市場，預計到本十年末，該市場將達到數(shù)十億美元。

這一開創(chuàng)性的技術成功凸顯了英飛凌作為電源系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域全球半導體領導者的地位。英飛凌正在實施 300 毫米 GaN，以增強現(xiàn)有并支持新的解決方案和應用領域，使其具有越來越經(jīng)濟高效的價值主張，并能夠滿足各種客戶系統(tǒng)的需求。英飛凌將在電子展2024 年 11 月在慕尼黑舉行的貿易展。

300 mm GaN 技術的一個顯著優(yōu)勢是它可以利用現(xiàn)有的 300 mm 硅制造設備，因為氮化鎵和硅在制造過程中非常相似。英飛凌現(xiàn)有的大批量 300 毫米硅生產(chǎn)線非常適合試點可靠的 GaN 技術，從而加快實施和高效利用資本。完全按比例生產(chǎn)的 300 毫米 GaN 將有助于 GaN 成本與硅（Si）持平，這意味著同類硅和 GaN 產(chǎn)品的成本將走向持平。

英飛凌表示，300 毫米 GaN 是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領導地位的又一里程碑，支持英飛凌的脫碳和數(shù)字化使命。