9 月 12 日消息,三星電子今日宣布,三星首款 1 太比特四層單元(QLC)第九代 V-NAND 已正式開始量產(chǎn),而 1Tb TLC 產(chǎn)品已于今年 4 月開始量產(chǎn)。
據(jù)介紹,三星 QLC 第九代 V-NAND 實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)技術(shù)突破,IT之家匯總?cè)缦拢?/p>
通道孔蝕刻技術(shù)(Channel Hole Etching),能夠基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)當(dāng)前業(yè)內(nèi)最高的單元層數(shù)。三星運(yùn)用在 TCL 第九代 V-NAND 中積累的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),優(yōu)化了存儲(chǔ)單元面積及外圍電路,位密度比上一代 QLC V-NAND 提升約 86%。
預(yù)設(shè)模具(Designed Mold)技術(shù),能夠調(diào)整控制存儲(chǔ)單元的字線(WL)間距,確保同一單元層內(nèi)和單元層之間的存儲(chǔ)單元的特性保持一致(V-NAND 層數(shù)越多,存儲(chǔ)單元特性越重要);采用預(yù)設(shè)模具技術(shù)使得數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約 20%,增強(qiáng)可靠性。
預(yù)測(cè)程序(Predictive Program)技術(shù),能夠預(yù)測(cè)并控制存儲(chǔ)單元的狀態(tài)變化,盡可能減少不必要的操作,讓三星 QLC 第九代 V-NAND 的寫入性能翻倍,I/O 速度提升 60%。
低功耗設(shè)計(jì)(Low-Power Design)技術(shù),使數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約 30% 和 50%。該技術(shù)降低了驅(qū)動(dòng) NAND 存儲(chǔ)單元所需的電壓,能夠僅感測(cè)必要的位線(BL),從而盡可能減少功耗。
此外,三星還表示將擴(kuò)大 QLC 第九代 V-NAND 的應(yīng)用范圍,從品牌消費(fèi)類產(chǎn)品開始,擴(kuò)展到移動(dòng)通用閃存(UFS)、個(gè)人電腦和服務(wù)器 SSD,為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶提供服務(wù)。