8月29日，存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10nm級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10nm級(jí)的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。

SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10nm級(jí)DRAM技術(shù)的推進(jìn)，精細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！?/p>

SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)表示，公司以1b DRAM平臺(tái)擴(kuò)展的方式開(kāi)發(fā)了1c工藝，由此不僅可以減少工藝高度化過(guò)程中可能發(fā)生的嘗試錯(cuò)誤，還可以最有效地將業(yè)界內(nèi)以最高性能DRAM受到認(rèn)可的SK海力士1b工藝優(yōu)勢(shì)轉(zhuǎn)移到1c工藝。

而且，SK海力士在部分EUV工藝中開(kāi)發(fā)并適用了新材料，也在整個(gè)工藝中針對(duì)EUV適用工藝進(jìn)行了優(yōu)化，由此確保了成本競(jìng)爭(zhēng)力。與此同時(shí)，在1c工藝上也進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)革新，與前一代1b工藝相比，其生產(chǎn)率提高了30%以上。

據(jù)介紹，此次推出的1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運(yùn)行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時(shí)代的到來(lái)，數(shù)據(jù)中心的耗電量在繼續(xù)增加，如果運(yùn)營(yíng)云服務(wù)的全球客戶(hù)將SK海力士1c DRAM采用到數(shù)據(jù)中心，公司預(yù)測(cè)其電費(fèi)最高能減少30%。

SK海力士DRAM開(kāi)發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)金鍾煥表示：“1c工藝技術(shù)兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖?jìng)爭(zhēng)力，公司將其應(yīng)用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進(jìn)DRAM主力產(chǎn)品群，由此為客戶(hù)提供差別化的價(jià)值。今后公司也將堅(jiān)守DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)力，鞏固最受客戶(hù)信賴(lài)的AI用存儲(chǔ)器解決方案企業(yè)的地位?！?/p>