編者按：隨著低碳節(jié)能需求的不斷釋放，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品逐步獲得廣泛應(yīng)用。借助手機、家電等消費電子領(lǐng)域的成功，氮化鎵目前正逐漸進入高價值應(yīng)用場景如AI服務(wù)器、汽車等熱門市場，這些領(lǐng)域的投資回報率和利潤率高于消費市場，從而不斷吸引功率半導(dǎo)體大廠的注意力。日前，英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生，詳細介紹了該公司在氮化鎵領(lǐng)域的業(yè)務(wù)布局和新一代產(chǎn)品方陣。

英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤

作為全球功率半導(dǎo)體重要供應(yīng)商，英飛凌科技深耕氮化鎵技術(shù)二十逾載，擁有豐富的經(jīng)驗。

2023年，英飛凌又以現(xiàn)金8.3億美金收購了GaN Systems，借此收購英飛凌擴大了第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)版圖。據(jù)調(diào)研機構(gòu)集邦咨詢統(tǒng)計，按照2022年氮化鎵功率器件市場收入的整體份額看，此次收購將一舉讓英飛凌在該領(lǐng)域的收入份額從Top5開外直接進入第五名陣營。

作為這一過程的參與者和親歷者，英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤在10年前便成為了英飛凌科技的一員，并見證了英飛凌科技在氮化鎵領(lǐng)域的創(chuàng)新探索。

程文濤表示，英飛凌今天的氮化鎵技術(shù)中有相當(dāng)一部分是建立在跟IR氮化鎵業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，而通過收購GaN Systems之后氮化鎵產(chǎn)品線更加豐富，并且擁有了氮化鎵行業(yè)里最大的知識產(chǎn)權(quán)庫。

據(jù)程文濤介紹，在收購合并GaN Systems之前英飛凌只有兩類產(chǎn)品，收購之后擴充至五類。英飛凌原來是以做器件見長，而GaN Systems是以系統(tǒng)見長，雙方的合并激發(fā)了更多的技術(shù)創(chuàng)新思路。雙方人才的互相交流，對于公司產(chǎn)品的創(chuàng)新起到了加速作用。

現(xiàn)如今，英飛凌科技已經(jīng)形成了CoolGaNTM品牌下的新一代五大類氮化鎵產(chǎn)品陣列：CoolGaNTM Transistor、CoolGaNTM BDS、CoolGaNTM Smart Sense、CoolGaNTM Drive和CoolGaNTM Control。

CoolGaN? G3系列晶體管和CoolGaN? G5系列晶體管

針對CoolGaNTM Transistor，英飛凌科技近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM晶體管系列產(chǎn)品，新品完全采用 8 英寸工藝制造，這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN）的應(yīng)用范圍擴大到 40 V 至 700 V 電壓，進一步推動數(shù)字化和低碳化進程。全新650 V G5系列適用于消費、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和太陽能領(lǐng)域的應(yīng)用。該系列產(chǎn)品是英飛凌基于GIT的新一代高壓產(chǎn)品。另一個采用8英寸工藝制造的全新系列是G3中壓器件，覆蓋了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶體管電壓等級，以及40 V雙向開關(guān)（BDS）器件。G3中壓產(chǎn)品主要面向電機驅(qū)動、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費應(yīng)用。

CoolGaN? BDS和CoolGaN? Smart Sense

對于 CoolGaNTM BDS而言，其擁有出色的軟開關(guān)和硬開關(guān)性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關(guān)，適用于移動設(shè)備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等。CoolGaNTM Smart Sense 產(chǎn)品具有無損電流檢測功能，簡化了設(shè)計并進一步降低了功率損耗，同時將各種晶體管開關(guān)功能集成到一個封裝中，適用于消費類USB-C 充電器和適配器。

對于氮化鎵器件的應(yīng)用前景，程文濤持積極樂觀的態(tài)度。

程文濤表示，在用到氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品時，設(shè)計師們獲得了三大好處：節(jié)能、節(jié)省成本以及節(jié)省材料。氮化鎵在應(yīng)用中，由于它開關(guān)速度特別快，可以提升開關(guān)頻率，在開關(guān)頻率提升后很多被動元器件可以大幅度減小，散熱器也可以減小，進而節(jié)省物料，這是氮化鎵在節(jié)省物料層面帶來的優(yōu)勢。

基于此，使用氮化鎵器件后整個系統(tǒng)的成本自然也就下降了，這就氮化鎵半導(dǎo)體器件的大規(guī)模應(yīng)用打開了廣闊的市場空間。

預(yù)計2024年氮化鎵功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將持續(xù)走高，長期來看，市場規(guī)模將從2022年的1.8億美元成長到2026年的13.3億美元，復(fù)合增長率高達65%。相信伴隨英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新與突破，未來會看到氮化鎵器件的市場應(yīng)用邊界會不斷拓展。