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英飛凌發(fā)布新一代氮化鎵產(chǎn)品矩陣

2024-08-13
來源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 氮化鎵

編者按:隨著低碳節(jié)能需求的不斷釋放,第三代半導體產(chǎn)品逐步獲得廣泛應用。借助手機、家電等消費電子領(lǐng)域的成功,氮化鎵目前正逐漸進入高價值應用場景如AI服務器、汽車等熱門市場,這些領(lǐng)域的投資回報率和利潤率高于消費市場,從而不斷吸引功率半導體大廠的注意力。日前,英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤先生,詳細介紹了該公司在氮化鎵領(lǐng)域的業(yè)務布局和新一代產(chǎn)品方陣。

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英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤


作為全球功率半導體重要供應商,英飛凌科技深耕氮化鎵技術(shù)二十逾載,擁有豐富的經(jīng)驗。

2023年,英飛凌又以現(xiàn)金8.3億美金收購了GaN Systems,借此收購英飛凌擴大了第三代半導體業(yè)務版圖。據(jù)調(diào)研機構(gòu)集邦咨詢統(tǒng)計,按照2022年氮化鎵功率器件市場收入的整體份額看,此次收購將一舉讓英飛凌在該領(lǐng)域的收入份額從Top5開外直接進入第五名陣營。

作為這一過程的參與者和親歷者,英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤在10年前便成為了英飛凌科技的一員,并見證了英飛凌科技在氮化鎵領(lǐng)域的創(chuàng)新探索。

程文濤表示,英飛凌今天的氮化鎵技術(shù)中有相當一部分是建立在跟IR氮化鎵業(yè)務基礎(chǔ)上,而通過收購GaN Systems之后氮化鎵產(chǎn)品線更加豐富,并且擁有了氮化鎵行業(yè)里最大的知識產(chǎn)權(quán)庫。

據(jù)程文濤介紹,在收購合并GaN Systems之前英飛凌只有兩類產(chǎn)品,收購之后擴充至五類。英飛凌原來是以做器件見長,而GaN Systems是以系統(tǒng)見長,雙方的合并激發(fā)了更多的技術(shù)創(chuàng)新思路。雙方人才的互相交流,對于公司產(chǎn)品的創(chuàng)新起到了加速作用。

現(xiàn)如今,英飛凌科技已經(jīng)形成了CoolGaNTM品牌下的新一代五大類氮化鎵產(chǎn)品陣列:CoolGaNTM Transistor、CoolGaNTM BDS、CoolGaNTM Smart Sense、CoolGaNTM Drive和CoolGaNTM Control。

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CoolGaN? G3系列晶體管和CoolGaN? G5系列晶體管


針對CoolGaNTM Transistor,英飛凌科技近日推出新一代高壓(HV)和中壓(MV)CoolGaNTM晶體管系列產(chǎn)品,新品完全采用 8 英寸工藝制造,這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN)的應用范圍擴大到 40 V 至 700 V 電壓,進一步推動數(shù)字化和低碳化進程。全新650 V G5系列適用于消費、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和太陽能領(lǐng)域的應用。該系列產(chǎn)品是英飛凌基于GIT的新一代高壓產(chǎn)品。另一個采用8英寸工藝制造的全新系列是G3中壓器件,覆蓋了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶體管電壓等級,以及40 V雙向開關(guān)(BDS)器件。G3中壓產(chǎn)品主要面向電機驅(qū)動、電信、數(shù)據(jù)中心、太陽能和消費應用。

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CoolGaN? BDS和CoolGaN? Smart Sense


對于 CoolGaNTM BDS而言,其擁有出色的軟開關(guān)和硬開關(guān)性能,提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關(guān),適用于移動設備USB端口、電池管理系統(tǒng)、逆變器和整流器等。CoolGaNTM Smart Sense 產(chǎn)品具有無損電流檢測功能,簡化了設計并進一步降低了功率損耗,同時將各種晶體管開關(guān)功能集成到一個封裝中,適用于消費類USB-C 充電器和適配器。

對于氮化鎵器件的應用前景,程文濤持積極樂觀的態(tài)度。

程文濤表示,在用到氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品時,設計師們獲得了三大好處:節(jié)能、節(jié)省成本以及節(jié)省材料。氮化鎵在應用中,由于它開關(guān)速度特別快,可以提升開關(guān)頻率,在開關(guān)頻率提升后很多被動元器件可以大幅度減小,散熱器也可以減小,進而節(jié)省物料,這是氮化鎵在節(jié)省物料層面帶來的優(yōu)勢。

基于此,使用氮化鎵器件后整個系統(tǒng)的成本自然也就下降了,這就氮化鎵半導體器件的大規(guī)模應用打開了廣闊的市場空間。

預計2024年氮化鎵功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將持續(xù)走高,長期來看,市場規(guī)模將從2022年的1.8億美元成長到2026年的13.3億美元,復合增長率高達65%。相信伴隨英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新與突破,未來會看到氮化鎵器件的市場應用邊界會不斷拓展。


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