7 月 18 日消息，據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報道，三星電子內(nèi)存部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊負(fù)責(zé)人 Choi Jang Seok 今日表示，三星將在今年底開始量產(chǎn)符合 CXL 2.0 協(xié)議的 256GB CMM-D 2.0 模塊。
該內(nèi)存模組將配備較為成熟的 1y nm（第二代 20~10 nm 級）工藝 DRAM 內(nèi)存顆粒，發(fā)揮 CXL 內(nèi)存模塊對 DRAM 顆粒性能要求較低的優(yōu)勢。未來三星電子還將推出顆粒更為先進(jìn)的版本。
▲ 三星電子 CMM-D 模組
除 CMM-D 外，三星電子還規(guī)劃了多個類型的 CXL 存儲產(chǎn)品，包含配備多個 CMM-D 模塊的 CMM-B 內(nèi)存盒模組、同時搭載 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存顆粒的 CMM-H 混合存儲模組。
Choi Jang Seok 提到三星電子正在內(nèi)部研究另一類名為 CMM-DC 產(chǎn)品，其在 CMM-D 的基礎(chǔ)上還具備計算能力。
展望未來，Choi Jang Seok 稱：“當(dāng) CXL 3.1 和池化（IT之家注：可在多個主機(jī)間共享 CXL 內(nèi)存資源）技術(shù)得到支持后，CXL 市場將在 2028 年左右全面開花?！?/p>
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