6月25日消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展,并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā),并已取得重大突破。
SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良品,可用于實際應用。
此外,SK海力士的實驗性3D DRAM在性能上已展現(xiàn)出與現(xiàn)有2D DRAM相媲美的特性。盡管3D DRAM技術(shù)擁有巨大的市場潛力和技術(shù)優(yōu)勢,但SK海力士也坦誠地指出,在實現(xiàn)商業(yè)化之前,仍需進行大量的技術(shù)驗證和優(yōu)化工作。
值得一提的是,與2D DRAM的穩(wěn)定運行不同,3D DRAM在性能上還存在一定的不穩(wěn)定性。因此,SK海力士認為,要達到廣泛應用的目標,需要進一步提升3D DRAM的堆疊層數(shù),實現(xiàn)32層至192層堆疊的存儲單元。這一目標的實現(xiàn),將極大地推動3D DRAM技術(shù)的商業(yè)化進程。
在當前的DRAM市場中,三星、SK海力士和美光等少數(shù)幾家主要參與者依然占據(jù)主導地位,共同占據(jù)了全球市場份額的96%以上。
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