《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Intel 3工藝官方揭秘最新數(shù)據(jù)

面積縮小10%、能效飆升17%
2024-06-14
來源:快科技
關(guān)鍵詞: Intel 制程工藝 3nm

6月13日消息,Intel 4制造工藝只在代號Meteor Lake的初代酷睿Ultra上使用了一次,接下來就輪到了Intel 3,已經(jīng)如期大規(guī)模量產(chǎn),首發(fā)用于代號Sierra Forest的至強(qiáng)6能效核版本,第三季度內(nèi)推出的代號Granite Rapids的至強(qiáng)6性能核版本也會用它。

按照Intel的最新官方數(shù)據(jù),Intel 3相比于Intel 4邏輯縮微縮小了約10%(可以理解為晶體管尺寸),每瓦性能(也就是能效)則提升了17%。

Intel解釋說,半導(dǎo)體行業(yè)目前的慣例是,制程工藝節(jié)點(diǎn)的命名,不再根據(jù)晶體管實(shí)際的物理特征尺寸,而是基于性能和能效一定比例的提升進(jìn)行迭代。

可以粗略地理解為,Intel 3的性能水平,大致相當(dāng)于其他廠商的3nm工藝。

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Intel 3其實(shí)就是Intel 4的升級版本,主要變化之一是EUV極紫外光刻的運(yùn)用更加嫻熟,在更多生產(chǎn)工序中使用了EUV。

二是引入了更高密度的設(shè)計庫,提升晶體管驅(qū)動電流,并通過減少通孔電阻,優(yōu)化了互連技術(shù)堆棧。

此外,得益于Intel 4的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),Intel 3的產(chǎn)量提升更快。

未來,Intel還將推出Intel 3的多個演化版本,滿足客戶的多樣化需求。

其中,Intel 3-T將引入采用硅通孔技術(shù),針對3D堆疊進(jìn)行優(yōu)化;

Intel 3-E將擴(kuò)展更多功能,比如射頻、電壓調(diào)整等;

Intel 3-PT將在增加硅通孔技術(shù)的同時,實(shí)現(xiàn)至少5%的性能提升。

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Intel強(qiáng)調(diào)說,Intel 3是一個重要的節(jié)點(diǎn),大規(guī)模量產(chǎn)標(biāo)志著“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”計劃進(jìn)入“沖刺階段”,還是Intel對外開放代工的第一個節(jié)點(diǎn)。

接下來,Intel將開啟半導(dǎo)體的“埃米時代”。

Intel 20A首發(fā)應(yīng)用于Arrow Lake消費(fèi)級處理器,2024年下半年量產(chǎn)發(fā)布。

Intel 18A則是Intel 20A的升級版,將在2025年用于代號Clearwater Forest的服務(wù)器處理器,以及代號Panther Lake的消費(fèi)級處理器,并向代工客戶大規(guī)模開放。

再往后,就是Intel 14A。

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