《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動態(tài) > 英特爾誓回巔峰!引入下一代光刻機趕超臺積電,制程工藝即將進入埃米時代!

英特爾誓回巔峰!引入下一代光刻機趕超臺積電,制程工藝即將進入埃米時代!

2021-07-29
來源:物聯(lián)網(wǎng)智庫

  英特爾公布了公司有史以來最詳細的制程工藝封裝技術(shù)路線圖,展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新,并有望將此影響延續(xù)至2025年及以后。
  在本次“英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上,英特爾除了公布了其近十多年來首個全新晶體管架構(gòu) RibbonFET 和業(yè)界首個全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)PowerVia之外,還重點介紹了采用下一代極紫外光刻(EUV)技術(shù)的計劃,即高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV。英特爾有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。

  英特爾公司CEO帕特·基辛格在發(fā)布會中表示:“基于英特爾在先進封裝領(lǐng)域毋庸置疑的領(lǐng)先性,我們正在加快制程工藝創(chuàng)新的路線圖,以確保到 2025 年制程性能再度領(lǐng)先業(yè)界。”
  窮盡摩爾定律,啟動新命名體系
  數(shù)十年來,制程工藝“節(jié)點”的名稱都與晶體管的柵極長度相對應(yīng)。但從1997年開始,業(yè)界開始意識到,基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點命名方法已經(jīng)不再符合實際。
  雖然業(yè)界多年前不再遵守這種命名法,但英特爾卻一直沿用這種歷史模式,即使用反映尺寸單位(如納米)的遞減數(shù)字來為節(jié)點命名。
  不過,整個行業(yè)使用著各不相同的制程節(jié)點命名和編號方案,這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法,也無法全面展現(xiàn)如何實現(xiàn)能效和性能的最佳平衡。
  今天,在披露制程工藝路線圖時,英特爾引入了基于關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)——包括性能、功耗和面積等的新命名體系。從上一個節(jié)點到下一個節(jié)點命名的數(shù)字遞減,反映了對這些關(guān)鍵參數(shù)改進的整體評估,以幫助客戶對整個行業(yè)的制程節(jié)點演進建立一個更準確的認知。
  基辛格說:“今天公布的創(chuàng)新技術(shù)不僅有助于英特爾規(guī)劃產(chǎn)品路線圖,同時對我們的代工服務(wù)客戶也至關(guān)重要?!彪S著英特爾代工服務(wù)(IFS)的推出,新的命名體系將有助英特爾的客戶清晰了解情況,這比以往任何時候都顯得更加重要。

  具體來看,英特爾從下一個節(jié)點(此前被稱作Enhance SuperFin)Intel 7開始,后續(xù)節(jié)點命名將陸續(xù)為Intel 4、Intel 3,而在Intel 3之后的下一個節(jié)點將被命名為Intel 20A,這一命名反映了向新時代的過渡,即工程師在原子水平上制造器件和材料的時代--半導體的埃米時代。
  “摩爾定律仍在持續(xù)生效。對于未來十年走向超越‘1納米’節(jié)點的創(chuàng)新,英特爾有著一條清晰的路徑?!被粮癖硎?。

  英特爾還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV,有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。英特爾正與 ASML 密切合作,確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功,超越當前一代 EUV。
  “英特爾和ASML共同走在極紫外光刻(EUV)技術(shù)的前沿。隨著英特爾不斷拓展其全球工廠網(wǎng)絡(luò),我們隨時準備提供能為未來創(chuàng)新做出貢獻的最先進的EUV。我們對下一代高數(shù)值孔徑EUV倍感興奮,它將使芯片技術(shù)取得更大進步?!盇SML公司CEO兼總裁Peter Wennink談到。
  英特爾代工服務(wù)推出,趕超臺積電
  隨著英特爾全新IDM 2.0戰(zhàn)略的實施,封裝對于實現(xiàn)摩爾定律的益處變得更加重要。基辛格說,“業(yè)界對英特爾代工服務(wù)(IFS)有強烈的興趣,今天我很高興我們宣布了首次合作的兩位重要客戶。英特爾代工服務(wù)已揚帆起航!”英特爾對領(lǐng)先行業(yè)的先進封裝路線圖提出:

  EMIB作為首個 2.5D 嵌入式橋接解決方案將繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè),英特爾自2017年以來一直在出貨EMIB產(chǎn)品。Sapphire Rapids 將成為采用EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)批量出貨的首個英特爾?至強?數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。它也將是業(yè)界首個提供幾乎與單片設(shè)計相同性能的,但整合了兩個光罩尺寸的器件。繼Sapphire Rapids之后,下一代 EMIB的凸點間距將從 55微米縮短至 45微米。
  Foveros利用晶圓級封裝能力,提供史上首個 3D 堆疊解決方案。Meteor Lake是在客戶端產(chǎn)品中實現(xiàn)Foveros技術(shù)的第二代部署。該產(chǎn)品具有 36微米的凸點間距,不同晶片可基于多個制程節(jié)點,熱設(shè)計功率范圍為 5-125W。
  Foveros Omni開創(chuàng)了下一代Foveros技術(shù),通過高性能3D堆疊技術(shù)為裸片到裸片的互連和模塊化設(shè)計提供了無限制的靈活性。Foveros Omni允許裸片分解,將基于不同晶圓制程節(jié)點的多個頂片與多個基片混合搭配,預計將于2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中。
  Foveros Direct實現(xiàn)了向直接銅對銅鍵合的轉(zhuǎn)變,它可以實現(xiàn)低電阻互連,并使得從晶圓制成到封裝開始,兩者之間的界限不再那么截然。Foveros Direct 實現(xiàn)了10微米以下的凸點間距,使3D堆疊的互連密度提高了一個數(shù)量級,為功能性裸片分區(qū)提出了新的概念,這在以前是無法實現(xiàn)的。Foveros Direct 是對 Foveros Omni 的補充,預計也將于 2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中。

  會上,英特爾宣布,AWS 將成為首個使用英特爾代工服務(wù)(IFS)封裝解決方案的客戶。
  基辛格談到,今天討論的突破性技術(shù)主要在英特爾俄勒岡州和亞利桑那州的工廠開發(fā),這鞏固了英特爾作為美國唯一一家同時擁有芯片研發(fā)和制造能力的領(lǐng)先企業(yè)的地位。
  寫在最后
  56年前,英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾首次提出摩爾定律,成為整個半導體行業(yè)無比追捧的真理和發(fā)展方向,然而在最近幾年的發(fā)展過程中,關(guān)于摩爾定律是否真實失效的討論一直在業(yè)界爭執(zhí)不休。
  今天,英特爾依舊延續(xù)著這一傳統(tǒng),并在全新的創(chuàng)新高度上制定路線圖?;粮裾劦?,“在窮盡元素周期表之前,摩爾定律都不會失效,英特爾將持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進創(chuàng)新。”




1.png



本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。