5 月 28 日消息，根據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家撇開(kāi)了 5 月 23 日自家舉辦的“臺(tái)積電 2024 技術(shù)研討會(huì)”，前往荷蘭訪問(wèn)位于 Eindhoven 的 ASML 總部，以及訪問(wèn)德國(guó) Ditzingen 的工業(yè)激光專業(yè)公司 TRUMPF。
ASML 首席執(zhí)行官 Christophe Fouquet 和 TRUMPF 首席執(zhí)行官 Nicola Leibinger-Kammüller 通過(guò)社交媒體透露了魏總秘密出訪的行蹤。
首席執(zhí)行官 Fuke 表示：“我們向魏總介紹了我們的最新技術(shù)和新產(chǎn)品，包括高數(shù)值孔徑（High NA）EUV 設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來(lái)的半導(dǎo)體微處理技術(shù)”。
據(jù)此前5月14日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電張曉強(qiáng)博士于 5 月 14 日出席在阿姆斯特丹舉辦的技術(shù)研討會(huì)，他直言：“ASML 的 High-NA EUV 太貴了，我非常喜歡 High-NA EUV 的能力，但不喜歡它的價(jià)格”。
臺(tái)積電正考慮為劃于 2026 年下半年量產(chǎn)的 1.6 納米產(chǎn)品 A16 之后的工藝引入 High NA EUV 設(shè)備，同時(shí)在此之前使用現(xiàn)有 Low NA EUV 設(shè)備。
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