4 月 22 日消息，英特爾近日宣布完成世界首臺(tái)商用 High NA EUV 光刻機(jī)的安裝。

而在上周的一場(chǎng)電話會(huì)議上，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）表示這臺(tái)耗資約 3.5 億美元（當(dāng)前約 25.38 億元人民幣）的龐然大物年內(nèi)就將啟用。

菲利普斯是英特爾代工旗下邏輯技術(shù)開發(fā)部門的光刻、硬件和解決方案主管。他表示英特爾將于今年晚些時(shí)候?qū)?High NA EUV 光刻機(jī)投入制程開發(fā)工作。

英特爾將在 18A 尺度的概念驗(yàn)證節(jié)點(diǎn)上對(duì) High NA EUV 和傳統(tǒng) 0.33NA EUV 光刻的混合使用進(jìn)行測(cè)試，并在之后的 14A 節(jié)點(diǎn)上進(jìn)入商業(yè)化量產(chǎn)階段。

菲利普斯預(yù)測(cè) High NA EUV 光刻機(jī)至少可在三代的未來節(jié)點(diǎn)上沿用，從而將光刻技術(shù)的名義尺度突破到 1nm 以下量級(jí)。

關(guān)于未來光刻技術(shù)發(fā)展，菲利普斯認(rèn)為將光線波長(zhǎng)進(jìn)一步縮短至 6.7nm 會(huì)引入大量新的問題，包括明顯更大的光學(xué)組件；在他眼中，更高的數(shù)值孔徑（Hyper NA）是可能的技術(shù)方向。

對(duì)于 High NA EUV 光刻帶來的單芯片理論最大面積減小問題，菲利普斯表示英特爾正同 EDA 企業(yè)一道就芯片“縫合”技術(shù)進(jìn)行開發(fā)，以方便設(shè)計(jì)師使用。