3 月 27 日消息,據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道,ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù),運行效率得以提升。
根據(jù)之前報道,NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝,可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量,相較以往機型的 160 片提升近 22%。
下一代光刻技術(shù) High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導致影響晶圓吞吐量的光損失。因此 ASML 提高了光學系統(tǒng)的放大倍率,從而將光線入射角調(diào)整回合適大小。
但在掩膜尺寸不變的情況下,增加光學系統(tǒng)放大倍率本身也會因為曝光場的減少影響晶圓吞吐量。因此 ASML 僅在一個方向上將放大倍數(shù)從 4 倍提升至 8 倍,這使得曝光場僅用減小一半。
而為了進一步降低曝光時間,提升吞吐量,有必要提升光刻機載物臺的運動速率。ASML 工程師就此開發(fā)了同時兼容現(xiàn)有 0.33NA 數(shù)值孔徑系統(tǒng)的新款快速載物臺運動系統(tǒng)。
對于 NXE:3800E 而言,其光學原件同之前的 3600D 機型相同,僅是配備了更高效的 EUV 光源,所以其吞吐量收益主要來自每次曝光之間的晶圓移動加速。與 3600D 相比,3800E 的載物臺移動速度提升至 2 倍,曝光步驟總時長也大約減少了一半。
更快的運行速度也帶來了能效的提升,ASML 的發(fā)言人表示,NXE:3800E 整體節(jié)省了約 20%~25% 的能源。
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