3月22日，前臺積電研發(fā)處處長楊光磊在中國臺灣科學(xué)及技術(shù)委員會“科學(xué)、民主與社會研究中心”（DSET）主辦的《供應(yīng)鏈重組與經(jīng)濟安全》國際論壇上表示，中國面對美國對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的出口管制必須自主發(fā)展，但是需多少時間才能完全自主還不清楚，可能需要幾十年才能自成體系。

近年來，在官方支持及內(nèi)部需求的推動之下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。即便是在美國聯(lián)合日本、荷蘭持續(xù)通過限制半導(dǎo)體設(shè)備出口來阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也仍未止步。

雖然目前中國臺灣半導(dǎo)體制造業(yè)在前后段都占據(jù)了關(guān)鍵位置，美國、日本、歐洲在前段制造設(shè)備，以及后段封裝測試和材料領(lǐng)域有優(yōu)勢，不過仍需要緊密合作才能滿足半導(dǎo)體市場的需求。但是，中國大陸憑借官方支持以及自身龐大的市場內(nèi)需的驅(qū)動之下，經(jīng)過多年的發(fā)展，已經(jīng)建立起了幾乎覆蓋整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供應(yīng)鏈體系，雖然在不少環(huán)節(jié)依然比較薄弱，特別是在半導(dǎo)體設(shè)備方面。

楊光磊此前就曾表示，現(xiàn)在中國大陸半導(dǎo)體一大進步也表現(xiàn)在半導(dǎo)體設(shè)備上，過去沒有人愿意做，現(xiàn)在已經(jīng)有了一定規(guī)模，一定技術(shù)能力。并且預(yù)測未來幾年，中國大陸的成熟制程很有可能將依靠成本優(yōu)勢橫掃世界。

在最新的演講當(dāng)中，楊光磊進一步指出，中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國的限制之下必須自主發(fā)展，未來將會自成體系，但是可能需要幾十年才能完成。即使能夠自成體系，但封閉系統(tǒng)下的發(fā)展，將會與外部世界合作的規(guī)模大不相同，且難以與外部的全球合作的生態(tài)系統(tǒng)競爭。不過，如果外部全球各國不能合作，就另當(dāng)別論。

從整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展看，楊光磊認(rèn)為，中國臺灣的成功也只是歸功于對的時間、對的地點和用對人，加上獨創(chuàng)的晶圓代工產(chǎn)業(yè)符合當(dāng)?shù)氐奈幕Ｎ磥?，臺積電憑借人工智能發(fā)展機遇，加上全世界科技創(chuàng)新應(yīng)用沒有改變晶圓廠基本需求，仍將占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。但是，將來的挑戰(zhàn)將是地緣政治壓力與風(fēng)險使全球供應(yīng)鏈重組，以及人才短缺與新世代文化差距等。

反觀日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從1980年代全盛時期走下坡之后，呈落后狀況，但半導(dǎo)體材料地位依舊領(lǐng)先，還有半導(dǎo)體設(shè)備表現(xiàn)也強勁?，F(xiàn)在，在政府全力支持下，日本半導(dǎo)體制造有望重回領(lǐng)先。但日本半導(dǎo)體制造布局，質(zhì)量與成本競爭，也有人才短缺與數(shù)字轉(zhuǎn)型問題，都是接下來的挑戰(zhàn)。

在楊光磊看來，中國臺灣與日本各有優(yōu)勢，也須面對風(fēng)險，雙方互補有機會更進一步。中國臺灣半導(dǎo)體制造領(lǐng)先，日本在設(shè)備與材料領(lǐng)域舉足輕重，雙方合作則有加乘效應(yīng)。過去，聯(lián)電與富士通在20~90nm有合作，力積電現(xiàn)在則與日本SBI控股簽署了備忘錄合作28~55nm，臺積電與SONY半導(dǎo)體、EDNSO合資的日本熊本晶圓廠JASM在12~28nm合作，都是很好的案例。

不過，雖然雙方合作有優(yōu)勢，但也會存在競爭，比如積極發(fā)力尖端制程的Rapidus將會與臺積電存在潛在競爭，加上兩地的文化差異，都是雙方半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)攜手須注意的問題。

對于各地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展來說，人才可謂是非常的關(guān)鍵，除了需要想辦法吸引外部人才之外，自身人才的培養(yǎng)更是發(fā)展的核心動力。但是人才培育并非一蹴而就。楊光磊此前就曾表示，人才的培養(yǎng)，政府只能扮演輔助角色，比起人的數(shù)量，應(yīng)該更注重人才質(zhì)量，對半導(dǎo)體人才教育也要有不同思維。

資料顯示，楊光磊此前曾在臺積電服務(wù)20年時間，曾經(jīng)參與臺積電0.18、0.13 微米以及后來65納米等制程研發(fā)工作，2018年自臺積電研發(fā)基礎(chǔ)工程處長的職位離職之后，于2019年7月出任中國中芯國際擔(dān)任獨立董事。直到2021年11月11日，楊光磊才辭任中芯國際獨立非執(zhí)行董事及薪酬委員會成員職務(wù)。