日前，繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品規(guī)模化量產(chǎn)后，江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式發(fā)布。

該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。

江波龍表示，近年來在存儲芯片自主研發(fā)投入了大量的精力和資源，公司引進(jìn)了一批具備超過20年存儲芯片設(shè)計經(jīng)驗(yàn)的高端人才。

據(jù)介紹，該團(tuán)隊(duì)不僅精通閃存芯片設(shè)計技術(shù)，還對于流片工藝制程、產(chǎn)品生產(chǎn)過程有深入了解，對4xnm、2xnm、1xnm等Flash工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)擁有豐富經(jīng)驗(yàn)。

在產(chǎn)品測試方面，江波龍自研NAND Flash產(chǎn)品通過內(nèi)嵌片上DFT電路，配合自主開發(fā)的測試平臺，實(shí)現(xiàn)高效生產(chǎn)測試。

目前，江波龍已具備SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash產(chǎn)品的設(shè)計能力，并將通過完善的工程及品控能力逐步拓展更豐富的Flash產(chǎn)品系列。

值得一提的是，江波龍除了在NAND Flash芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，還在DRAM芯片方面進(jìn)行深入研究。

據(jù)江波龍介紹，2023年就已推出復(fù)合式存儲nMCP，將自研SLC NAND Flash和通過自研測試平臺驗(yàn)證的LPDDR4x進(jìn)行合并封裝，實(shí)現(xiàn)高頻低耗、寬溫運(yùn)行的優(yōu)異特性，可充分滿足5G網(wǎng)絡(luò)模塊存儲需求。

江波龍表示，未來將繼續(xù)大力投入存儲芯片的自主研發(fā)，深入挖掘NAND Flash、DRAM存儲芯片的應(yīng)用潛力。