隨著人工智能的發(fā)展，市場對內(nèi)存的要求更高，三星正在向市場推出基于特定應(yīng)用要求的存儲組合產(chǎn)品。

據(jù)悉，三星最近正在研發(fā)新型存儲器LLW DRAM，將高帶寬、低延遲、低功耗的特性結(jié)合在一起。三星將新的內(nèi)存技術(shù)定位在需要運行大型語言模型（LLM）的設(shè)備上，未來也可能出現(xiàn)在各種客戶端工作負載中。

LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存，擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。

同時，LLW DRAM還有另一個重要特性，就是1.2pJ/bit的超低功耗，不過三星沒有告知該功耗下的具體數(shù)據(jù)傳輸速率。

據(jù)了解，LLW DRAM在設(shè)計上可能會借鑒GDDR6W，并采用扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術(shù)將多個DRAM集成到一個封裝中。

目前三星已公布技術(shù)的預期性能細節(jié)，根據(jù)過往經(jīng)驗，LLW DRAM很可能到了開發(fā)階段的尾聲。