半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成。而測試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT（Wafer Acceptance Test）三個(gè)環(huán)節(jié)。

CP測試，英文全稱Circuit Probing、Chip Probing，也稱為晶圓測試，測試對象是針對整片wafer中的每一個(gè)Die，目的是確保整片wafer中的每一個(gè)Die都能基本滿足器件的特征或者設(shè)計(jì)規(guī)格書，通常包括電壓、電流、時(shí)序和功能的驗(yàn)證，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，可以用來檢測fab廠制造的工藝水平?？梢愿苯拥闹繵afer的良率。

CP的難點(diǎn)是如何在最短的時(shí)間內(nèi)挑出壞的die，修補(bǔ)die。

常用到的設(shè)備有測試機(jī)（Tester) 、探針臺(tái)(Prober) 以及測試機(jī)與探針卡之間的接口(Mechanical lnterface)。一般測試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高。

FT測試，英文全稱Final Test，是芯片出廠前的最后一道攔截。測試對象是針對封裝好的chip，CP測試之后會(huì)進(jìn)行封裝，封裝之后進(jìn)行FT測試，也叫“終測”?？梢杂脕頇z測封裝廠的工藝水平。FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率。測試完這道工序就直接賣去做應(yīng)用了。

FT測試一般分為兩個(gè)步驟:1)自動(dòng)測試設(shè)備 (ATE) 2) 系統(tǒng)級別測試SLT) --2是必須項(xiàng)，1一般小公司可能用不起，ATE試一般只需要幾秒鐘;SLT一般需要幾個(gè)小時(shí)，邏輯比較簡單。

FT的難點(diǎn)是如何在最短的時(shí)間內(nèi)保證出廠的Unit能夠完成全部的功能。FT需要tester (ATE) + handler + socket。

CP對整片Wafer的每個(gè)Die來測試，而FT則對封裝好的Chip來測試。CP Pass 才會(huì)去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。

WAT是Wafer Acceptance Test，對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定；WAT（Wafer Acceptance Test）測試，也叫PCM（Process Control Monitoring），對Wafer 劃片槽（Scribe Line）測試鍵（Test Key）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。

WAT測試有問題，超過SPEC，一般對應(yīng)Fab各個(gè)Module制程工藝或者機(jī)臺(tái)Shift，例如Litho OVL異常，ETCH CD 偏小，PVD TK偏大等等。WAT有嚴(yán)重問題的Wafer會(huì)直接報(bào)廢。

對于測試項(xiàng)來說，有些測試項(xiàng)在CP時(shí)會(huì)進(jìn)行測試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時(shí)間；但是有些測試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測試（不同的設(shè)計(jì)公司會(huì)有不同的要求）。

一般來說，CP測試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。

在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory的CP測試會(huì)更難，因?yàn)橐鰎edundancy analysis，寫程序很麻煩。

WAT測試有問題，超過SPEC，一般對應(yīng)Fab各個(gè)Module制程工藝或者機(jī)臺(tái)Shift，例如Litho OVL異常，ETCH CD 偏小，PVD TK偏大等等。WAT有嚴(yán)重問題的Wafer會(huì)直接報(bào)廢。

對于測試項(xiàng)來說，有些測試項(xiàng)在CP時(shí)會(huì)進(jìn)行測試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測試了，節(jié)省了FT測試時(shí)間；但是有些測試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測試（不同的設(shè)計(jì)公司會(huì)有不同的要求）。

一般來說，CP測試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。

在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題。FT相對來說簡單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory的CP測試會(huì)更難，因?yàn)橐鰎edundancy analysis，寫程序很麻煩。

關(guān)于3溫測試：這是一種特殊的測試方法，它要求在三個(gè)不同的溫度下對產(chǎn)品進(jìn)行測試，通常是常溫（25℃左右）、高溫（如60℃或70℃）和低溫（如-20℃或-40℃）。這種測試的目的是為了檢查產(chǎn)品在不同溫度下的性能和可靠性，以確保產(chǎn)品能在不同環(huán)境下正常工作。