中國上海，2023年10月17日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器“TLP3475W”。它可以降低高頻信號中的插入損耗，并抑制功率衰減^[1]，適用于使用大量繼電器且需要實現(xiàn)高速信號傳輸?shù)陌雽?dǎo)體測試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。

　　TLP3475W采用了東芝經(jīng)過優(yōu)化的封裝設(shè)計，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz（典型值）^[2]——與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3475S相比，插入損耗降低了約1/3^[2]。

　　TLP3475W采用厚度僅為0.8mm（典型值）的小巧纖薄的WSON4封裝，是目前業(yè)界最小的^[3]光繼電器，其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%，且支持在同一電路板上貼裝更多產(chǎn)品，將有助于提高測量效率。

　　東芝將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品線，為更高速和更強大功能的半導(dǎo)體測試設(shè)備提供支持。

　　S21插入損耗特性

　　▲應(yīng)用：

　　-半導(dǎo)體測試設(shè)備（高速存儲器測試設(shè)備、高速邏輯測試設(shè)備等）

　　-探測卡

　　-測量設(shè)備

　　▲特性：

　　-業(yè)界最小的^[3]WSON4封裝：1.45mm×2.0mm（典型值），厚度＝0.8mm（典型值）

　　-改善高頻信號的傳輸：當插入損耗（S21）＝–3dB時，f＝20GHz（典型值）

　　-常開功能（1-Form-A）

　　▲主要規(guī)格：

　　注：

　　[1] 當頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬兆赫茲時。

　　[2] 信號通過輸出MOSFET時功率衰減比（插入損耗）為–3dB的頻段。

　　[3] 適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調(diào)查。

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