近期，各大視頻平臺(tái)瘋傳一條消息

稱清華大學(xué)EUV項(xiàng)目

把ASML的光刻機(jī)巨大化

實(shí)現(xiàn)了光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化

并表示這個(gè)項(xiàng)目已經(jīng)在雄安新區(qū)落地

還在視頻中配了這樣一張圖

表示圖片中的項(xiàng)目就是光刻廠

???

該項(xiàng)目是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)工廠？

NO！

這是北京高能同步輻射光源項(xiàng)目（HEPS）！

關(guān)于北京高能同步輻射光源

HEPS坐落于北京懷柔雁棲湖畔

是國(guó)家“十三五”重大科技基礎(chǔ)設(shè)施

它是我國(guó)第一臺(tái)高能量同步輻射光源

也是世界上亮度最高的

第四代同步輻射光源之一

早在2019年就開(kāi)始建設(shè)

將于2025年底投入使用

HEPS是干嘛用的呢？

它的作用是通過(guò)加速器

將電子束加速到6GeV

然后注入周長(zhǎng)1360米的儲(chǔ)存環(huán)

用接近光速的速度保持運(yùn)轉(zhuǎn)

電子束在儲(chǔ)存環(huán)的不同位置

通過(guò)彎轉(zhuǎn)磁鐵或者各種插入件時(shí)

就會(huì)沿著偏轉(zhuǎn)軌道切線的方向

釋放出穩(wěn)定、高能量、高亮度的光

也就是同步輻射光

簡(jiǎn)單的說(shuō)

HEPS可以看成是一個(gè)

超精密、超高速、具有強(qiáng)大穿透力的

巨型X光機(jī)

它產(chǎn)生的小光束

可以穿透物質(zhì)、深入內(nèi)部進(jìn)行立體掃描

從分子、原子的尺度

多維度地觀察微觀世界

HEPS是進(jìn)行科學(xué)實(shí)驗(yàn)的大科學(xué)裝置

并不是網(wǎng)傳的光刻機(jī)工廠

該項(xiàng)目由

全國(guó)勘察設(shè)計(jì)大師、

國(guó)投集團(tuán)首席科學(xué)家?jiàn)溆顜ш?duì)

中國(guó)電子院多個(gè)技術(shù)科研

和設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)協(xié)同合作

從項(xiàng)目可研立項(xiàng)到項(xiàng)目落地

中國(guó)電子院攻克了多項(xiàng)技術(shù)和工藝難關(guān)

解決了項(xiàng)目不均勻沉降、微振動(dòng)控制、

超長(zhǎng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、光伏板設(shè)計(jì)、

精密溫度控制、工藝循環(huán)冷卻水系統(tǒng)、

超復(fù)雜工藝系統(tǒng)等七大技術(shù)難題

實(shí)現(xiàn)了重大技術(shù)突破

指標(biāo)控制達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平

目前高能同步輻射光源配套工程已全面完工

向產(chǎn)生世界最“亮”的光又更近了一步

　　本文我們分享《光刻機(jī)深度：篳路藍(lán)縷，尋光刻星火》報(bào)告部分內(nèi)容，全面了解光刻技術(shù)演進(jìn)、光刻機(jī)構(gòu)成、國(guó)內(nèi)光刻產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、市場(chǎng)空間等。

　　以下為研報(bào)內(nèi)容摘要：

　　光刻為IC制造核心工藝，光刻技術(shù)的演進(jìn)成就了摩爾定律。光刻工藝占IC制造1/2的時(shí)間+1/3的成本，在瑞利公式:CD=k1 入/NA 的指導(dǎo)下，人類在縮短波長(zhǎng)入，增大數(shù)值孔徑NA，降低工藝因子k1三個(gè)方面展開(kāi)探索，目前已實(shí)現(xiàn)13.5nm波長(zhǎng)與達(dá)物理極限的k1，正在向0.55NA EUV邁步。為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步制程微縮，業(yè)界多采用多重曝光工藝，但對(duì)光刻機(jī)的套刻精度、圖形畸變、穩(wěn)定性有更高的要求。10nm及以下時(shí)，ArFi+多重曝光的復(fù)雜度急劇上升，經(jīng)濟(jì)性下降，EUV的出現(xiàn)使摩爾定律得以延續(xù)。

　　光刻機(jī)由三大核心系統(tǒng)，數(shù)萬(wàn)個(gè)零件組成，是產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)頂尖公司通力合作的成果。1)光源方面，DUV采用準(zhǔn)分子激光器，技術(shù)掌握在Cymer和Gigaphoton手中，國(guó)內(nèi)科益虹源打破壟斷;EUV光源是通過(guò)高功率CO2激光器轟擊Sn滴而來(lái)，高功率激光器為核心組件。2) 光學(xué)系統(tǒng)是光刻機(jī)分辨率成像的保證，由照明系統(tǒng)和物鏡系統(tǒng)構(gòu)成，照明系統(tǒng)優(yōu)化成像過(guò)程，實(shí)現(xiàn)分辨率增強(qiáng)，投影物鏡系統(tǒng)將掩模圖形聚焦成像，ZEISS為ASML關(guān)鍵光學(xué)元件獨(dú)供商，國(guó)內(nèi)技術(shù)水平仍有較大差距。3)雙工件臺(tái)系統(tǒng)有效提高了光刻精度與效率，國(guó)內(nèi)華卓精科和清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)走在前列。

　　光刻重要性愈顯，國(guó)內(nèi)巫待0->1的突破。半導(dǎo)體行業(yè)十年翻倍，晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，疊加芯片性能升級(jí)，光刻強(qiáng)度上升，預(yù)計(jì)5nm邏輯芯片的光刻支出占比達(dá)35%，光刻工藝的重要性愈發(fā)凸顯，市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，預(yù)計(jì)2024年有望達(dá)230億美元，ASML在高端市場(chǎng)一枝獨(dú)秀。2022年中國(guó)大陸光刻機(jī)進(jìn)口約40億美元，主要從日本、荷蘭進(jìn)口，出口管制下光刻機(jī)存在斷供隱憂，自主可控勢(shì)在必行。依托舉國(guó)之力，匯聚各科研院之所長(zhǎng)，目前已有階段性成果陸續(xù)落地。光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)化漸近，零部件投資先行，我們測(cè)算國(guó)內(nèi)零部件市場(chǎng)空間約150億元，市場(chǎng)空間大、技術(shù)關(guān)鍵性強(qiáng)。

光刻機(jī)深度：篳路藍(lán)縷，尋光刻星火-中航證券-2023.9.8-61頁(yè).pdf

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