隨著低碳化和數(shù)字化的發(fā)展,電源管理技術(shù)呈現(xiàn)新的發(fā)展趨勢,提高效率、減輕設(shè)備重量、提高功率密度以及為電動汽車提高續(xù)航里程,成為人們?nèi)粘jP(guān)心的共同話題,各大半導體廠商也在減少能耗、提高能效方面不遺余力,希望做出自身的貢獻。
半導體行業(yè)在過去相當長時間內(nèi),芯片技術(shù)的演進一直以來主導著行業(yè)的發(fā)展,例如在數(shù)字化方向工藝節(jié)點的技術(shù)演進,對于功率半導體而言則是在晶圓部分不斷地縮小芯片尺寸、實現(xiàn)更低的導通阻抗。所以,封裝技術(shù)無疑是推進研發(fā)進展的突破口。
英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān) 程文濤先生(圖源:英飛凌公司)
英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān)程文濤先生指出:“技術(shù)創(chuàng)新與封裝創(chuàng)新相結(jié)合,才能為電動汽車的關(guān)鍵發(fā)展趨勢提供助力?!?/p>
以硅基半導體為例,高壓超結(jié)硅功率器件的FOM值基本已經(jīng)達到了物理極限,在此情況下要想繼續(xù)降低導通阻抗或者是實現(xiàn)更高的能效,封裝技術(shù)是繼續(xù)把硅的功率發(fā)揮到極致的必經(jīng)之路。不僅是硅基半導體,現(xiàn)在大熱的寬禁帶半導體SiC/GaN也需要仰仗新的封裝技術(shù)。
日前,英飛凌宣布其適用于高壓MOSFET 的 QDPAK 和 DDPAK 頂部散熱 (TSC) 封裝技術(shù)已成功注冊為 JEDEC 標準,有助于OEM 廠商在市場中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品,并將功率密度提升至更高水準,以支持各種應(yīng)用。
頂部散熱(TSC)封裝技術(shù)的優(yōu)勢
英飛凌此次發(fā)布的頂部散熱(TSC)封裝技術(shù)包括QDPAK和DDPAK兩款。相比DPAK(TO-252)封裝, QDPAK相當于4個并排的DPAK,DDPAK則是相當于2個DPAK并排在一起。TSC封裝技術(shù)可助力實現(xiàn)更大功率、更高密度設(shè)計和更高效率:
·滿足更大功率需求:優(yōu)化利用電路板空間,采用開爾文源極連接,減少源極寄生電感;
·提高功率密度:頂部散熱可實現(xiàn)最高電路板利用率;
·提高效率: 經(jīng)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)具有低電阻和超低寄生電感,可實現(xiàn)更高效率;
·減輕重量:綜合優(yōu)化散熱和發(fā)熱,有助于打造更小巧的外殼,從而減少用料,減輕重量。
(圖源:英飛凌公司)
TSC封裝技術(shù)具體能解決什么問題呢?程文濤概括道:“從制造方面來看,這兩大頂部散熱封裝技術(shù)能夠帶來最大的益處在于:高度優(yōu)化了生產(chǎn)工藝,讓整個裝配過程步驟變少,自動化制造流程更簡潔,最終在下游廠商端實現(xiàn)包括PCB數(shù)量、層級和板間連接器用量減少,帶來裝配及整體系統(tǒng)成本大幅降低?!?/p>
頂部散熱封裝技術(shù)在熱管理上具有優(yōu)勢。電源應(yīng)用電路板的熱設(shè)計中需要盡可能降低系統(tǒng)熱阻(Rthja),同時實現(xiàn)最高結(jié)溫(Tj)。這意味著最大限度地增加流入散熱片的熱量,同時最大限度地減少流入印刷電路板(PCB)的熱量。
10年前,在功率半導體行業(yè),千瓦及以上的大功率應(yīng)用基本上是插件封裝技術(shù)為主導,譬如TO247和TO220封裝,這些插件封裝技術(shù)能使工程師最大限度地利用外加的散熱片,非常高效地將芯片內(nèi)部產(chǎn)生的熱量散出芯片之外。
隨著4G、5G宏基站等應(yīng)用對功率密度的要求,芯片越做越小,要用更少的獨立散熱片,同時還需要把更多的熱量均勻地散發(fā)到整個設(shè)備以外。所以以上需求成為兩個互相矛盾的存在,近5年來,這個矛盾愈加凸顯。
“我們經(jīng)過了很長一段時間與下游客戶以及處于行業(yè)領(lǐng)導地位的客戶和工程師討論,最后達成了一個共識,就是頂部散熱是這個矛盾的解決途徑。” 程文濤表示。
(圖源:英飛凌公司)
貼片化是從帶獨立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB(印刷電路板)之間的接觸,利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的熱量傳導出去。目前常用的PCB采用FR4材質(zhì),F(xiàn)R4材質(zhì)的最高溫度上限在110度左右。在更高的功率設(shè)計中,底部散熱封裝無法通過貼片和PCB之間結(jié)合均勻地把更多熱量散出去,導致這種散熱方式走到了瓶頸。
英飛凌研發(fā)的頂部散熱,通過在頂部增加一個薄薄的散熱片,使得PCB溫度與芯片結(jié)溫相分離,從而實現(xiàn)了在相同電路板溫度條件下,功率耗散增加了大約20%,而且通過降低電路板溫度,延長了系統(tǒng)使用壽命。
SMD/THD封裝對比(圖源:英飛凌公司)
在溫度穩(wěn)定之后,QDPAK和DDPAK的散熱能力與TO220和TO247的散熱能力實現(xiàn)了對等。
兩款頂部散熱封裝技術(shù)已注冊為JEDEC標準
JEDEC是一個制定半導體器件標準的全球性行業(yè)組織,成員包括全球各地的半導體制造商、芯片設(shè)計師、系統(tǒng)供應(yīng)商等,其制定的標準被廣泛應(yīng)用于整個半導體產(chǎn)業(yè),包括出廠測試、產(chǎn)品標識、器件封裝、環(huán)境試驗以及安全性和可靠性測試等方面。這些標準的使用可以提高制造商之間的互操作性、可靠性和通用性,從而降低成本并提高效率。
(圖源:英飛凌公司)
程文濤表示,功率半導體業(yè)界不成文的規(guī)定,“任何一家廠商選定一款功率半導體時,至少要有一個備選方案,也就是Second Source,理想的情況是有三四種備選方案?!?/p>
JEDEC標準目前在半導體行業(yè)中是一個公認的標準,而且這是免費的,在JEDEC標準得到了注冊和認證之后,其它的廠商可以免費從JEDEC標準組織里面下載這些標準。
由于已經(jīng)兼容業(yè)界通行的尺寸、安規(guī),因此為產(chǎn)品做推廣的時候會比較方便。另外JEDEC標準組織也讓行業(yè)里的一些創(chuàng)新的想法能夠很快推行。得益于能夠在JEDEC標準組織里面得到注冊,頂部散熱封裝技術(shù)在過去幾年發(fā)展越來越快,也促進了半導體行業(yè)的發(fā)展。
“就目前而言,英飛凌在功率半導體封裝領(lǐng)域是銳意進取的,英飛凌一直擔任著很重要的角色。在這個過程里, JEDEC標準組織也是一個非常重要的存在,英飛凌經(jīng)常會與JEDEC標準組織進行非常積極的互動,能夠盡快地讓英飛凌創(chuàng)新的封裝技術(shù)在JEDEC標準組織里面和行業(yè)里面推廣開來。” 程文濤表示。
QDPAK和DDPAK封裝設(shè)計的成功注冊將推動市場更廣泛地采用 TSC 技術(shù)以取代 TO247 和 TO220插件封裝技術(shù),此項新 JEDEC 注冊封裝系列將成為高壓工業(yè)和汽車應(yīng)用過渡至下一代平臺中頂部散熱設(shè)計的重要推手。
(圖源:英飛凌公司)
適用于高壓( HV) 與低壓( LV) 器件的 QDPAK 和 DDPAK SMD TSC 封裝采用 2.3 mm標準厚度。英飛凌在研究行業(yè)中貼片各種封裝尺寸后,在大部分的非頂部散熱以及頂部散熱的封裝共存的情況下,選擇了2.3 mm,這樣的厚度能夠讓足夠多的器件并存在同一塊PCB板上。
程文濤表示:“希望通過這次跟JEDEC標準組織的互動,能夠使2.3 mm成為業(yè)界通行的厚度。”
應(yīng)用場景
可以說頂部散熱方式覆蓋的功率段范圍相當廣泛。而英飛凌提供的這類頂部帶銅箔的頂部散熱封裝在功率約為200-300W的應(yīng)用場景中,就開始凸顯其價值了,采用該封裝方式,可以實現(xiàn)取消獨立散熱片,或替代插件器件;而一般功率在1000W時,頂部帶裸銅的頂部散熱封裝就是一個必選項。目前,英飛凌的頭部客戶最積極采用頂部散熱封裝技術(shù)主要集中在數(shù)據(jù)中心、通信應(yīng)用,乃至在對儲能要求更加便攜、更加高功率密度的情形下,頂部散熱這種貼片形式的占比是越來越高。
新能源汽車也是一個重要的應(yīng)用場景,目前為了滿足電動汽車的設(shè)計要求,業(yè)界在不斷增加功率半導體能效的同時,還致力于減少它所占用的PCB面積,這時候?qū)β拭芏鹊囊笠埠芨?。頂部散熱能夠幫助工程師在設(shè)計新能源汽車時,把更多空間留給電池動力部分。
程文濤總結(jié)道:“但凡是需要體積小、重量輕、功率密度高、效率高的產(chǎn)品,頂部散熱封裝技術(shù)都非常受歡迎?!?/p>