日前中國版芯片標準《小芯片接口總線技術(shù)要求》正式出爐，這是中國自主研發(fā)的小芯片標準，與Intel主推的UCle聯(lián)盟和臺積電推動的3D Fabric聯(lián)盟相抗衡，美國試圖以小芯片標準阻止中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展又一次落空了。

業(yè)界都清楚先進工藝的生產(chǎn)成本越來越高，臺積電今年計劃量產(chǎn)的3nm工藝最終預(yù)定客戶僅有蘋果一家，但是蘋果發(fā)現(xiàn)臺積電的3nm工藝未能達到預(yù)期目標而被迅速放棄，最終沒有客戶采用3nm工藝，預(yù)計2nm工藝的成本會更高，能用得起的芯片廠商將更少。

為了提升性能但是又能控制成本，Intel、高通、臺積電等芯片企業(yè)都開始另外想辦法，那就是chiplet技術(shù)，通過將不同芯片封裝在一起縮減各部分芯片的溝通時間提升整體性能，由此Intel推動成立了UCle聯(lián)盟，臺積電推動成立了3D Fabric聯(lián)盟，這些聯(lián)盟都未邀請中國大陸芯片廠商。

他們?nèi)绱俗鰺o疑是希望再次在標準方面孤立中國芯片，然而如今的中國芯片已擁有了自己的完整體系，完全可以另起爐灶發(fā)展我們的小芯片標準，于是國內(nèi)牽頭了60多家芯片企業(yè)聯(lián)合制定了我們的小芯片標準，涵蓋了芯片設(shè)計、芯片制造、EDA、封裝等多個行業(yè)的企業(yè)。

事實上中國芯片企業(yè)在封裝技術(shù)上居于全球領(lǐng)先地位，全球前十大封裝企業(yè)當(dāng)中就有三家是中國芯片企業(yè)，中國的封裝企業(yè)還實現(xiàn)了4nm封裝技術(shù)，完全具備發(fā)展我們獨立的小芯片技術(shù)的能力，如今恰恰證明了這一點。

中國已日益認識到標準的重要性，特別是自3G技術(shù)以來，中國開始力推自己的移動通信技術(shù)標準，4G技術(shù)與歐洲平分天下，5G技術(shù)更已取得了專利話語權(quán)，讓中國在移動通信技術(shù)領(lǐng)域取得了巨大的優(yōu)勢，促使中國科技業(yè)界開始積極推動自己的標準。

對于芯片技術(shù)的發(fā)展，近幾年也開始日益重視。在芯片架構(gòu)方面，早在2018年中國就成立RISC－V聯(lián)盟，因為RISC－V架構(gòu)屬于新生架構(gòu)，歐美企業(yè)并未獲得主導(dǎo)權(quán)，因此中國及早發(fā)展RISC－V架構(gòu)就可以獲得更多主導(dǎo)權(quán)，如今RISC－V的20家會員中已有13家是中國企業(yè)，中國發(fā)售的RISC－V芯片已突破50億顆，RISC－V的大獲成功促使美國芯片企業(yè)Intel、高通掉頭支持RISC－V架構(gòu)。

在存儲芯片技術(shù)方面也一樣從一開始就建立我們的技術(shù)標準，長江存儲從一開始就自主研發(fā)xtacking標準，為此它從最低端的32層NAND flash芯片技術(shù)做起，隨后逐步提升到64層，再到128層，逐步積累技術(shù)，到如今更研發(fā)出全球最先進的232層NAND flash，超越了三星、美光等老牌存儲芯片企業(yè)。

正是這些已取得的成功，讓中國科技行業(yè)開始日益重視技術(shù)標準，如今的小芯片技術(shù)恰恰也是一項重要的技術(shù)標準。中國已建立了我們自己的芯片制造、芯片設(shè)計體系，在封裝技術(shù)方面更已達到世界領(lǐng)先水平，完全具有足夠的能力發(fā)展自己的chiplet技術(shù)標準，現(xiàn)在順利拿出chiplet技術(shù)標準證明了這一點。

由于中國芯片近十年來所取得的成就，外媒認為美國的限制可謂“封鎖了個寂寞”，促進中國芯片取得了長足的發(fā)展，中國的芯片日產(chǎn)能突破10億顆，中國的芯片進口量由此減少了800億顆，而芯片出口量卻增加到1600億顆。

相比之下，美國的做法導(dǎo)致美國芯片損失了1．5萬億美元市值，芯片庫存堆積而不得不降價九成求售，相反美國制造商對中國芯片贊不絕口，美國兩位參議院要求美國制造商不要采用中國芯片最后卻在美國制造商的“勸告下”放松了限制，同意只是在關(guān)鍵芯片方面不采用中國芯片，可見中國芯片的成績。

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