隨著芯片工藝研發(fā)難度的加大，小芯片標(biāo)準(zhǔn)日益受到全球芯片行業(yè)的關(guān)切，而小芯片技術(shù)成為潮流將為中國(guó)芯片加速芯片技術(shù)發(fā)展提供支持，有利于中國(guó)芯片縮短與海外芯片技術(shù)的差距。

在以往芯片工藝制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)是芯片技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，然而到了如今的3nm工藝上，芯片工藝研發(fā)已遇到困難，僅靠芯片工藝技術(shù)研發(fā)已很難持續(xù)提升芯片的性能。

臺(tái)積電在2020年就量產(chǎn)了5nm，本來(lái)臺(tái)積電預(yù)期2021年能量產(chǎn)3nm，延續(xù)此前的芯片制造工藝研發(fā)迭代時(shí)間，然而事與愿違的是3nm工藝直到今年才研發(fā)成功，然而在3nm工藝研發(fā)成功之后又被蘋(píng)果指出3nm工藝達(dá)不到預(yù)期的性能，成本提升幅度又太大，導(dǎo)致蘋(píng)果舍棄了3nm工藝而采用了由5nm工藝改良而來(lái)的4nm。

3nm研發(fā)遇阻證明了摩爾定律似乎真的無(wú)法延續(xù)了，而3nm工藝尚且無(wú)法順利量產(chǎn)，那么2024年能否量產(chǎn)2nm工藝也就同樣存在疑問(wèn)，海外芯片技術(shù)延續(xù)此前1－2年升級(jí)一代芯片制造工藝的路線已被打斷。

芯片制造工藝升級(jí)節(jié)奏被打亂，對(duì)于中國(guó)芯片來(lái)說(shuō)其實(shí)是有利的，這為中國(guó)進(jìn)一步縮短與海外芯片技術(shù)水平提供了時(shí)間和空間，中國(guó)這幾年也積極以多種途徑擺脫芯片制造工藝的限制，力求提升芯片性能。

中國(guó)仍然在努力發(fā)展先進(jìn)工藝，據(jù)稱(chēng)中芯國(guó)際正在力推芯片制造工藝往7nm工藝演進(jìn)，一旦7nm工藝量產(chǎn)，而臺(tái)積電等芯片制造企業(yè)在先進(jìn)工藝研發(fā)進(jìn)程受阻，中國(guó)與海外芯片制造工藝的差距將縮短。

除了在芯片制造工藝方面縮短差距之外，中國(guó)還在研發(fā)芯片堆疊、小芯片技術(shù)等提升芯片性能。芯片堆疊技術(shù)是將兩枚由14nm工藝生產(chǎn)的芯片堆疊在一起獲得更強(qiáng)的性能，如此可以獲得接近于7nm工藝的性能，這種技術(shù)應(yīng)用于手機(jī)上存在著發(fā)熱量過(guò)大的問(wèn)題，但是對(duì)于電腦、AI等行業(yè)來(lái)說(shuō)已不成問(wèn)題，臺(tái)積電就為英國(guó)一家廠商生產(chǎn)了類(lèi)似的芯片，將兩枚7nm芯片封裝在一起可以提升四成性能，甚至超過(guò)5nm芯片的性能，證明了可行性。

小芯片技術(shù)則是另一種提升芯片性能的技術(shù)，通過(guò)將不同工藝、不同性能的芯片封裝在一起縮短各種芯片之間的溝通時(shí)間提升整體性能，例如將存儲(chǔ)芯片、GPU、CPU、AI芯片等封裝在一起，整體性能就能得以大幅提升，這方面中國(guó)也已發(fā)布了自主研發(fā)的小芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

在封裝技術(shù)上，中國(guó)已具有封裝4nm芯片的技術(shù)，甚至一家國(guó)產(chǎn)封裝芯片企業(yè)還獲得了AMD的數(shù)年先進(jìn)芯片封裝訂單，證明了中國(guó)在芯片封裝技術(shù)上達(dá)到全球一流水準(zhǔn)，這更將有助于中國(guó)大幅縮短與海外芯片的性能差距，滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)制造業(yè)對(duì)先進(jìn)芯片的需求。

可以預(yù)期隨著海外芯片行業(yè)在先進(jìn)芯片制造工藝方面遇阻，芯片性能提升轉(zhuǎn)向芯片封裝技術(shù)之后，中國(guó)在先進(jìn)芯片技術(shù)方面與海外芯片的差距將持續(xù)縮短，海外芯片技術(shù)對(duì)中國(guó)芯片的發(fā)展影響將越來(lái)越小，中國(guó)芯片的技術(shù)受限的影響將越來(lái)越小，他們將越來(lái)越難以限制中國(guó)芯片技術(shù)的發(fā)展。

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