氮化鎵比硅更適合做高頻功率器件，可顯著減少電力損耗和散熱負(fù)載，有體積、功率密度方面的明顯優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用于變頻器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線充電等領(lǐng)域，可以有效降低能源損耗。

　　從第一款氮化鎵快充電源量產(chǎn)到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場(chǎng)，短短幾年，整個(gè)氮化鎵快充電源市場(chǎng)的容量翻了百倍，昔日只有個(gè)別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術(shù)，如今便已成為了一線手機(jī)、筆電品牌的必備產(chǎn)品，不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。

　　在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過(guò)程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)難度相對(duì)較大，而且成本也比較高。

　　作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的電源芯片廠商，PI基于其電源芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，率先推出了內(nèi)置氮化鎵功率器件的高集成電源芯片，合封氮化鎵芯片的概念也因此誕生。

　　隨后幾年，國(guó)產(chǎn)電源芯片企業(yè)不僅推出了氮化鎵控制器芯片，而且大部分控制器還支持直驅(qū)氮化鎵功率器件。

　　諸多電源芯片廠商紛紛在合封氮化鎵芯片領(lǐng)域發(fā)力，豐富了高集成度的氮化鎵電源芯片市場(chǎng)，在一顆芯片內(nèi)集成了PWM控制器、驅(qū)動(dòng)器以及氮化鎵功率器件，大大精簡(jiǎn)了電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程的電路設(shè)計(jì)，并有效降低了BOM成本，有利于促進(jìn)氮化鎵快充技術(shù)的普及。

　　由工采網(wǎng)代理的四川美闊推出的一款GaN/氮化鎵-MGZ31N65芯片適用于65W快充電源設(shè)計(jì)；芯片內(nèi)部集成650V 250mΩ氮化鎵開(kāi)關(guān)管、控制器、驅(qū)動(dòng)器、高壓?jiǎn)?dòng)電路和保護(hù)單元。

　　采用130KHz開(kāi)關(guān)頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積，得到性能和成本的平衡，同時(shí)集成高壓?jiǎn)?dòng)電路、軟啟動(dòng)電路，以及用于超寬輸出范圍的分段式供電電路。

　　在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流，最高工作頻率為175KHz，支持抖頻改善EMI性能，支持谷底開(kāi)通，輕載和空載模式以突發(fā)模式運(yùn)行以降低功耗，提高效率；內(nèi)置過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓和輸出短路、次級(jí)開(kāi)路保護(hù)功能，采用PQFN8×8封裝形式，可通過(guò)PCB銅箔散熱，簡(jiǎn)化散熱要求，降低溫升。

　　此外，還推出了適用于氮化鎵快充的同步整流控制器以及協(xié)議芯片，為客戶(hù)開(kāi)發(fā)氮化鎵快充提供整套方案。為客戶(hù)提供最優(yōu)解，進(jìn)一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統(tǒng)可靠性。

　　美闊推出的65W1C快充電源集成氮化鎵PD方案，將高性能多模式反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)、氮化鎵開(kāi)關(guān)管、供電和保護(hù)等電路集成在一顆散熱增強(qiáng)的PQFN8*8封裝內(nèi)部。

　　極大減少了外圍元器件數(shù)量，PCBA面積較少50%以上，并消除傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)走線寄生參數(shù)對(duì)高頻開(kāi)關(guān)的影響，使得氮化鎵的性能得以進(jìn)一發(fā)揮。

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