隨著微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步，促進(jìn)了新型大功率半導(dǎo)體器件和驅(qū)動(dòng)控制電路的出現(xiàn)，現(xiàn)在逆變器多采用絕緣柵極晶體管（IGBT）、功率場效應(yīng)管、MOS控制器晶閘管以及智能型功率模塊等各種先進(jìn)和易與控制的大功率器件。

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　　逆變器是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件，主要的作用是將光伏組件發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)變成交流電；是太陽能和用戶之間相聯(lián)系的必經(jīng)之路；逆變器結(jié)構(gòu)由輸入電路、主力變電路、輸出電路、輔助電路、控制電路和保護(hù)電路等構(gòu)成；目前，市面上常見的光伏逆變器主要分為集中式逆變器與組串式逆變器，還有新潮的集散式逆變器。

　　IGBT是光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器的核心器件；在逆變器中承擔(dān)著功率變換和能量傳輸?shù)淖饔?，是逆變器的心臟。IGBT模塊占光伏逆變器價(jià)值量的15%至20%，不同的光伏電站需要的IGBT產(chǎn)品略有不同，比如集中式光伏主要采用IGBT模塊，而分部式光伏主要采用IGBT單管或模塊。

　　IGBT模塊備受各行業(yè)青睞，是我國重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優(yōu)勢，開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡單、開關(guān)損耗小、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小，在高壓、大電流、高速等方面同樣優(yōu)勢明顯。

　　IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓(1200V-6700V)它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時(shí)候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。

　　在光伏逆變器的設(shè)計(jì)中，常用的IGBT分別為平面型IGBT和溝道型IGBT。在平面型IGBT中，多晶硅柵極是呈“平面”分布或者相對(duì)于p+體區(qū)是水平分布的。在溝道型IGBT中，多晶硅柵極是以“溝道方式向下”進(jìn)入p+體區(qū)。這種結(jié)構(gòu)有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，就是可以減小通道對(duì)電子流的阻力并消除電流擁擠現(xiàn)象，因?yàn)榇藭r(shí)電子垂直地在通道中流過。在平面型IGBT中，電子以某種角度進(jìn)入通道，引起電流擁擠，從而增加電子流的阻力。在溝道型IGBT中，電子流的增強(qiáng)使Vce(on)大幅度降低。

　　一般來說，在直流/交流逆變器系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，選擇IGBT器件的基本準(zhǔn)則是提高轉(zhuǎn)換效率、降低系統(tǒng)散熱片的尺寸、提高相同電路板上的電流密度。

　　臺(tái)灣茂矽推出了幾款適用于中壓范圍6寸晶圓片適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲(chǔ)能等。與行業(yè)同類產(chǎn)品相比，溫升更低、可靠性更高。

　　由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂硅生產(chǎn)的IGBT晶圓FS工藝6寸IGBT晶圓片P81MV022NL0013P、P81MV020NL0011P、P81MV023NL0014P這三款主要有以下特性：

　　1、1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù) 2、低開關(guān)損耗 3、正溫度系數(shù)  4、簡易平行）可應(yīng)用于中等功率驅(qū)動(dòng)器；不間斷電源。

　　IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

　　臺(tái)灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進(jìn)入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領(lǐng)域，并受到客戶的青睞，ISWEEK工采網(wǎng)擁有一整套完整的解決方案

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