隨著各大芯片巨頭相繼公布三季報，近日美國芯片巨頭高通（Qualcomm）發(fā)布了第四財季業(yè)績報告，第四季度經調整營收113．9億美元，同比增長22％，預期113．7億美元，根據(jù)財報顯示調整后符合預期，但對于下一財季的業(yè)績，高通還發(fā)布了低于預期第一財季展望。

由于消費電子需求的萎縮，引發(fā)上游的半導體需求也在不斷下滑，多家大廠發(fā)出預警并做出減產、縮減資本支出的應對策略。

雖說現(xiàn)在“寒氣”籠罩諸多芯片大廠，可半導體芯片業(yè)界也迎來一些好消息。

美光新型DRAM芯片問世

本周二11月1日，美國內存芯片制造商美光科技公司表示，已開始向部分智能手機制造商提供最新的DRAM芯片樣品，以供測試。

美光在低功耗LPDDR5X移動內存上采用新一代尖端的制造技術1β（1－beta），使其最高速率可達到每秒8．5Gb。據(jù)了解，1β工藝節(jié)點在性能、位密度和電源效率方面提供了顯著的收益，而且還能降低DRAM成本，將帶來廣泛的市場優(yōu)勢。除了移動設備外，1β工藝節(jié)點還將提供低延遲、低功耗、高性能的DRAM，從智能車輛到數(shù)據(jù)中心的應用場景中都會受益。

美光 DRAM 制程集成副總裁 Thy Tran 在媒體采訪時表示，1 β 節(jié)點 DRAM 的量產已全面準備就緒，將會率先在日本工廠量產，之后也會在中國臺灣量產。從 2023 年開始，其他產品類別會陸續(xù)上線改用 1 β 工藝，目前正在緊鑼密鼓準備之中。

在過去數(shù)年里，美光積極推進其制造和研發(fā)技術。去年美光開始使用1α（1－alpha）工藝節(jié)點批量生產DRAM芯片，加上今年量產全球首款232層的3D TLC NAND閃存，讓其歷史上首次確立了在DRAM和NAND領域的領導地位。

美光聲稱，相比上一代工藝，1β芯片的能效比1α提高了15％，且內存密度提升了35％，單顆裸片容量高達 16Gb。能效的提升意味著芯片可以為更強大的處理器騰出容量，從而延長電池使用壽命。內存密度的提升則意味客戶可以將更多的數(shù)據(jù)放到更為緊湊的空間中，為進一步的性能提升釋放空間。

值得注意的是，Thy Tran 還指出1 β 工藝沒有使用 EUV 極紫外光刻技術。1β技術是通過美光獨有的多重曝光光刻技術結合領先工藝和先進材料實現(xiàn)的，在更小的尺寸內實現(xiàn)更高的內存容量，從而降低單位數(shù)據(jù)成本，是內存創(chuàng)新的又一次飛躍。

隨著芯片尺寸的縮小，較小的 DRAM 單元會產生更密集的內存裸片，DRAM的擴展性也會因此而受限。目前各大芯片公司使用EUV光刻技術來克服難關，美光另辟蹊徑，以最高精度在微小面積上形成圖案，再一次確立了其全球領先的技術地位，但該技術仍處于發(fā)展初期。

1βGRAM制程技術帶來了前多未有的內存密度，為新一代數(shù)據(jù)密集型、智能化和低功耗的技術革命奠定了基礎。

華為公布超導量子芯片專利

根據(jù)國家知識產權局信息顯示，11月1日華為技術有限公司“超導量子芯片”專利公布，公布號為CN115271077A。

根據(jù)企查查專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種超導量子芯片，包括耦合器和控制器。其中，耦合器用于耦合第一超導比特電路和第二超導比特電路，耦合器的頻率響應曲線包括至少一個相位反轉點，相位反轉點包括頻率響應曲線的諧振點或極點。

控制器用于調整耦合器的頻率響應曲線，使得第一和第二超導比特電路的比特頻率之間包含奇數(shù)個相位反轉點，并進一步調整相位反轉點的頻率，使得第一和第二超導比特電路的交叉共振效應的等效相互作用為零。

該發(fā)明專利技術，可以降低了量子比特之間的串擾，使得串擾誤差顯著低于量子糾錯所要求的閾值。

據(jù)筆者了解，華為2017年便已開始投入對量子芯片技術的研發(fā)，截至目前，華為已經公開多項相關專利，包括“一種超導芯片中量子比特的控制方法及其相關設備”、“超導量子計算系統(tǒng)和量子比特操控方法”、“一種量子芯片和量子計算機”等量子相關專利。

IDC報告顯示，全球量子計算市場將從2020年的4．12億美元增長到2027年的86億美元，6年復合年增長率超過50％。量子芯片可以說是目前非常熱門的一項技術。

目前量子計算已經成為各國發(fā)展科技實力的重要切入點，更是掌握量子技術的關鍵應用。而且世界各國都在進一步布局，這也引發(fā)了量子二次革命趨勢?！傲孔有酒奔夹g，是攻克量子領域關鍵技術、掌握關鍵應用的一個很好的研究方向。

新型芯片能打破摩爾定律極限嗎？

兩項新技術或許能為如今的芯片寒潮帶來一絲熱度。但也引發(fā)了新的疑問：新型芯片能打破摩爾定律極限嗎？

眾所周知，高端芯片制造成本大，單單是采購一臺EUV光刻機設備就需花費1．2億美元。另一方面，高端芯片越往下越難，持續(xù)下探會面臨功耗壓不住的情況，成本與使用效益未必能成正比。

據(jù)了解，華為已在光量子芯片進行布局，使用光量子芯片或不用光刻機也能量產。而今，美光繞開繞過EUV光刻機，使得能效和內存密度大幅提升，或許經過一段時間的積累沉淀有望打破摩爾定律極限這個可能。

目前，硅基芯片產業(yè)鏈發(fā)展了幾十年，各種創(chuàng)造出來的半導體設備，材料都是基于硅基芯片發(fā)展的，所以要想將新型芯片推動成龐大的產業(yè)鏈市場，還得厚積薄發(fā)。

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