氮化鎵化學式為GaN，由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關器件快速發(fā)展。第三代半導體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一，其高熱導率和基本不會被腐蝕的極強化學穩(wěn)定性，被廣泛運用于持續(xù)高溫大功率器件上。

圖片資料來源：品利基金

　GaN半導體材料有二種基本結構:纖鋅礦(Wurtzite, WZ)和閃鋅礦(Zinc blende, ZB)。常溫常壓下惟有纖鋅礦結構為穩(wěn)定相。纖鋅礦結構由兩套六角密堆積子格子沿c軸方向平移3c/8 套構而形成，所屬空間群為或P63mc。

　　作為第三代半導體材料的杰出代表，氮化鎵技術一時間在快充產(chǎn)品中更是被廣泛應用，快充市場日益成為氮化鎵應用最大的推動力；如今，氮化鎵材料已不僅僅應用于消費電子電源適配器領域，日前這一產(chǎn)品在手機端亦在加速滲透。

圖片資料來源：品利基金

　氮化鎵有三大應用領域：

　第一是光電子領域，當中包括較低端的LED以及高端激光應用；

　第二是射頻領域，主要應用于5G基站中的射頻放大器，但目前推廣似乎陷入了產(chǎn)業(yè)上的停滯；

　第三則是在電力電子即功率器件方面的應用，最火的當屬以手機為代表的消費類電子應用。

　在工業(yè)用電領域，相比硅基、CoolMOS和碳化硅，氮化鎵器件能實現(xiàn)更優(yōu)的性價比，并滿足高端電源對應用環(huán)境和產(chǎn)品規(guī)格的需求；工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。

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?。?）非常低的QRR

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貼片封裝采用銅夾片封裝技術來代替內(nèi)部的封裝引線；可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性；封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進一步改善散熱。

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