眾所周知，目前最頂尖的光刻機是ASML的EUV光刻機，能夠制造3nm的芯片。且在ASML的規(guī)劃中，到2024年或2025年會交付全新一代的High－NA極紫外光刻機。

這種EUV光刻機，數(shù)值孔徑變?yōu)?．55NA，也就是解析度（精度）為8nm，可以制造2nm，以及1．8nm的芯片。

至于1．8nm以下，用什么光刻機？反正ASML現(xiàn)在還沒規(guī)劃，因為1．8nm后，技術(shù)又會怎么樣變化，誰也不清楚。

但近日，美國一家公司Zyvex，利用一種完全不同于EUV光刻機的技術(shù)，制造出了768皮米，也就是0．7nm的芯片。

而0．7nm，差不多相當于2個硅原子的寬度，也是理論上硅基芯片的最高精度，所以很多人認為，當芯片精度達到了1．8nm以后，可能EUV光刻機也不行了，要使用Zyvex公司研發(fā)出的這種光刻技術(shù)了。

Zyvex公司的光刻技術(shù)，是啥技術(shù)？其光刻系統(tǒng)命名為為ZyvexLitho1，是基于STM掃描隧道顯微鏡，使用的是EBL電子束光刻方式，與極紫外線沒有任何關系，稱之為電子束光刻機，可能更合適一點。

按照Zyvex的說法，這臺ZyvexLitho1是可以商用的，還可以接受別人的訂單，具體多少錢一臺，不清楚，但機器對方可以在6個月內(nèi)出貨。

雖然可以對外出貨，但國廠商，想要買到它，可能就千難萬難了，基本不太可能，畢竟EUV光刻機都買不到，更不要說精度更高的電子束光刻機了。

當然，硅基芯片，也不需要這種電子束光刻機，這么高的精度更多還是用于量子計算芯片，制造出一些高精度的量子器件，納米器材等。

另外就是，EBL電子束光刻機，產(chǎn)能非常低，至少在目前大規(guī)模制造芯片也不現(xiàn)實，只能小規(guī)模的制造量子計算的芯片，至于未來能不能技術(shù)改進，提高產(chǎn)能，進而取代EUV光刻機，還不清楚。

但這或許也意味著在EUV光刻機后，EBL電子束光刻機是一個新的方向，你覺得呢？

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