三星電子宣布（3月25日），開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達到512GB的DDR5內(nèi)存模組。
　　據(jù)悉，存儲顆粒采用高電介質(zhì)金屬柵極（HKMG）晶體管工藝制造，進一步降低漏電。
　　單DRAM芯片的容量是16Gb（2GB），通過TSV穿孔實現(xiàn)了8層堆疊，也就是16GB，湊成512GB的話總計需要32顆。
　　速度方面，這款DDR5內(nèi)存條的速度高達7200Mbps，也就是7200MHz頻率。即便如此，三星表示功耗下降了13%。
　　Intel副總裁Carolyn Duran確認，三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強可擴展處理器（Sapphire Rapids藍寶石激流）兼容。根據(jù)路線圖，Sapphire Rapids應該是第四代至強可擴展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會首發(fā)PCIe 5.0。
　　三星表示，旗下多款DDR5內(nèi)存已經(jīng)進入試樣階段。
　　對于普通消費者來說，對DDR5的支持要等到下半年的12代酷睿（Alder Lake）和AMD Zen4了。
　

　　那么，最近有買內(nèi)存的小伙伴嗎？內(nèi)存條的價格是不是在悄然上漲？
　　據(jù)供應鏈消息，DRAM內(nèi)存顆粒的現(xiàn)貨價格最近極速上漲，今年初到現(xiàn)在已經(jīng)漲了60%多，是2019年3月份以來的最高價格水平。
　　內(nèi)存價格大漲與多方面需求有關(guān)，PC、消費電子以及汽車行業(yè)的生產(chǎn)正在迅速恢復，導致內(nèi)存芯片需求意外增長。
　　這一次的內(nèi)存價格上漲還看不到頭，短期內(nèi)無法解決，三星、SK海力士及美光三大內(nèi)存巨頭過去兩年就在削減內(nèi)存產(chǎn)能，再加上最近半年來全球半導體產(chǎn)能緊張，各種電子元件都在漲價，內(nèi)存價格已經(jīng)無法回頭。
　　唯一的變數(shù)就要看國產(chǎn)內(nèi)存了，生產(chǎn)內(nèi)存模組的廠商光威之前表態(tài)，喊出了“內(nèi)存漲價不要怕，光威純國產(chǎn)內(nèi)存2021年將大幅增產(chǎn)”的口號，他們采用合肥長鑫內(nèi)存顆粒的純國產(chǎn)內(nèi)存今年會大幅增產(chǎn)，有望抑制內(nèi)存價格漲勢。
　　此前合肥產(chǎn)投集團披露，截至2020年底，合肥長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目提前達到4萬片/月產(chǎn)能，開始啟動6萬片/月產(chǎn)能建設，實現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷售的關(guān)鍵跨越。
　

　　另外，存儲大廠SK海力士的CEO李錫熙（Seok-Hee Lee）近日在IEEE國際可靠性物理研討會上發(fā)表主題演講，分享了在閃存、內(nèi)存未來發(fā)展方面的一些規(guī)劃和展望。
　　3D NAND閃存方面，如今行業(yè)的發(fā)展重點不是更先進的工藝，也不是QLC、PLC，而是堆疊層數(shù)的不斷增加，SK海力士就已經(jīng)做到了176層。
　　SK海力士此前認為，3D閃存的堆疊層數(shù)極限是500層，不過現(xiàn)在更加樂觀，認為在不遠的將來就能做到600層。
　

　　當然，為了做到這一點，需要在技術(shù)方面進行諸多創(chuàng)新和突破，比如SK海力士提出了原子層沉積（ALD）技術(shù)，進一步強化閃存單元屬性，可以更高效地存儲、釋放電荷，并且在堆疊層數(shù)大大增加后依然保持電荷一致性。
　　為了解決薄膜應力（film stress）問題，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。
　　為了解決堆疊層數(shù)增加后存儲單元之間的干擾、電荷丟失問題，SK海力士開發(fā)了獨立的電荷阱氮化物（CTN）結(jié)構(gòu)，以增強可靠性。
　　另外針對DRAM內(nèi)存發(fā)展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝制程推進到10nm以下。
　　

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