三星電子宣布（3月25日），開(kāi)發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達(dá)到512GB的DDR5內(nèi)存模組。
　　據(jù)悉，存儲(chǔ)顆粒采用高電介質(zhì)金屬柵極（HKMG）晶體管工藝制造，進(jìn)一步降低漏電。
　　單DRAM芯片的容量是16Gb（2GB），通過(guò)TSV穿孔實(shí)現(xiàn)了8層堆疊，也就是16GB，湊成512GB的話(huà)總計(jì)需要32顆。
　　速度方面，這款DDR5內(nèi)存條的速度高達(dá)7200Mbps，也就是7200MHz頻率。即便如此，三星表示功耗下降了13%。
　　Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn)，三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流）兼容。根據(jù)路線(xiàn)圖，Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，年底前登陸，除了DDR5，還會(huì)首發(fā)PCIe 5.0。
　　三星表示，旗下多款DDR5內(nèi)存已經(jīng)進(jìn)入試樣階段。
　　對(duì)于普通消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，對(duì)DDR5的支持要等到下半年的12代酷睿（Alder Lake）和AMD Zen4了。
　

　　那么，最近有買(mǎi)內(nèi)存的小伙伴嗎？?jī)?nèi)存條的價(jià)格是不是在悄然上漲？
　　據(jù)供應(yīng)鏈消息，DRAM內(nèi)存顆粒的現(xiàn)貨價(jià)格最近極速上漲，今年初到現(xiàn)在已經(jīng)漲了60%多，是2019年3月份以來(lái)的最高價(jià)格水平。
　　內(nèi)存價(jià)格大漲與多方面需求有關(guān)，PC、消費(fèi)電子以及汽車(chē)行業(yè)的生產(chǎn)正在迅速恢復(fù)，導(dǎo)致內(nèi)存芯片需求意外增長(zhǎng)。
　　這一次的內(nèi)存價(jià)格上漲還看不到頭，短期內(nèi)無(wú)法解決，三星、SK海力士及美光三大內(nèi)存巨頭過(guò)去兩年就在削減內(nèi)存產(chǎn)能，再加上最近半年來(lái)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊張，各種電子元件都在漲價(jià)，內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)無(wú)法回頭。
　　唯一的變數(shù)就要看國(guó)產(chǎn)內(nèi)存了，生產(chǎn)內(nèi)存模組的廠(chǎng)商光威之前表態(tài)，喊出了“內(nèi)存漲價(jià)不要怕，光威純國(guó)產(chǎn)內(nèi)存2021年將大幅增產(chǎn)”的口號(hào)，他們采用合肥長(zhǎng)鑫內(nèi)存顆粒的純國(guó)產(chǎn)內(nèi)存今年會(huì)大幅增產(chǎn)，有望抑制內(nèi)存價(jià)格漲勢(shì)。
　　此前合肥產(chǎn)投集團(tuán)披露，截至2020年底，合肥長(zhǎng)鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目提前達(dá)到4萬(wàn)片/月產(chǎn)能，開(kāi)始啟動(dòng)6萬(wàn)片/月產(chǎn)能建設(shè)，實(shí)現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷(xiāo)售的關(guān)鍵跨越。
　

　　另外，存儲(chǔ)大廠(chǎng)SK海力士的CEO李錫熙（Seok-Hee Lee）近日在IEEE國(guó)際可靠性物理研討會(huì)上發(fā)表主題演講，分享了在閃存、內(nèi)存未來(lái)發(fā)展方面的一些規(guī)劃和展望。
　　3D NAND閃存方面，如今行業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)不是更先進(jìn)的工藝，也不是QLC、PLC，而是堆疊層數(shù)的不斷增加，SK海力士就已經(jīng)做到了176層。
　　SK海力士此前認(rèn)為，3D閃存的堆疊層數(shù)極限是500層，不過(guò)現(xiàn)在更加樂(lè)觀(guān)，認(rèn)為在不遠(yuǎn)的將來(lái)就能做到600層。
　

　　當(dāng)然，為了做到這一點(diǎn)，需要在技術(shù)方面進(jìn)行諸多創(chuàng)新和突破，比如SK海力士提出了原子層沉積（ALD）技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化閃存單元屬性，可以更高效地存儲(chǔ)、釋放電荷，并且在堆疊層數(shù)大大增加后依然保持電荷一致性。
　　為了解決薄膜應(yīng)力（film stress）問(wèn)題，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。
　　為了解決堆疊層數(shù)增加后存儲(chǔ)單元之間的干擾、電荷丟失問(wèn)題，SK海力士開(kāi)發(fā)了獨(dú)立的電荷阱氮化物（CTN）結(jié)構(gòu)，以增強(qiáng)可靠性。
　　另外針對(duì)DRAM內(nèi)存發(fā)展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝制程推進(jìn)到10nm以下。
　　

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