隨著美國對于EDA軟件以及芯片相關(guān)的具體措施推出，業(yè)界發(fā)現(xiàn)這次美國的芯片限制主要在于先進芯片，而對于成熟工藝并沒限制，業(yè)界人士認為這是為了幫助美國芯片的銷售所采取的措施，這將促使中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈加快自主研發(fā)。

美國芯片限制主要有兩條，一條是用于GAAFET結(jié)構(gòu)集成電路所必需的EDA軟件，另一條則是金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，這都與當下全球正在推進的先進芯片技術(shù)有關(guān)。

用于GAAFET結(jié)構(gòu)集成電路所必需的EDA軟件，目前應(yīng)用的其實只有三星，而臺積電和Intel都預(yù)計到2024年才會采用GAAFET結(jié)構(gòu)，但是三星采用GAAFET結(jié)構(gòu)的3nm工藝目前只有一個尚未知道具體名字的客戶，這就意味著全球用到這類EDA軟件的芯片企業(yè)非常有限。

按照Intel和臺積電的量產(chǎn)時間，那么需要采用基于GAAFET結(jié)構(gòu)進行開發(fā)的EDA軟件設(shè)計最快也得到2024年，預(yù)期到時候Intel、蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、三星等芯片企業(yè)才會用到這些EDA軟件。

至于金剛石和氧化鎵半導(dǎo)體材料，目前還在開發(fā)當中，真正應(yīng)用還要數(shù)年時間，早前傳出的將獲得美國巨額補貼的SkyWater就計劃采用這類先進半導(dǎo)體材料，據(jù)稱SkyWater將建設(shè)一座90nm工藝的工廠，但是通過引入碳納米管等半導(dǎo)體材料可以比7nm工藝生產(chǎn)的硅基芯片還要高50倍性能，可以看出新的半導(dǎo)體材料對于芯片行業(yè)的巨大影響。

對于中國制造業(yè)來說，首先的影響就是在2nm及更先進工藝芯片方面，國產(chǎn)芯片未來數(shù)年如果沒有研發(fā)出我們的EDA軟件，那么這類芯片都將只能采用美國芯片了，例如旗艦手機將只能采用高通、聯(lián)發(fā)科的高端芯片，數(shù)據(jù)中心只能采用Intel的服務(wù)器芯片等等，這可以為包括美國芯片企業(yè)在內(nèi)的高端芯片企業(yè)獲得豐厚的利潤。

至于半導(dǎo)體材料，這方面影響可能比較小，雖然SkyWater已計劃籌建90nm生產(chǎn)線，但是籌建生產(chǎn)線需要1－2年時間，而投產(chǎn)后引入碳納米管等先進半導(dǎo)體材料還需要在生產(chǎn)中驗證，并對它進行改進，確認可以應(yīng)用于芯片中，才能真正將之變成現(xiàn)實，這個過程或許幾年，或許10年。

對于EDA軟件，目前國產(chǎn)EDA軟件正在加快推進當中，在1990年代其實國產(chǎn)EDA軟件已取得了一些基礎(chǔ)，但是后來美國的EDA軟件更成熟、兼容性更好等原因，美國EDA軟件逐漸壟斷國內(nèi)市場；到了2008年隨著國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)逐漸得到重視，國產(chǎn)EDA軟件再度獲得支持，如今華大九天、概倫電子、中科院等諸多企業(yè)或機構(gòu)都陸續(xù)研發(fā)出EDA軟件，可以滿足國內(nèi)當前主要以成熟工藝為主的芯片設(shè)計。

至于先進的半導(dǎo)體材料方面，國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)也已取得部分突破，例如第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵已被國內(nèi)企業(yè)廣泛應(yīng)用于充電芯片方面，第四代半導(dǎo)體材料也有一些技術(shù)成就，今年4月份浙江某大學(xué)的研究機構(gòu)就公布消息指出通過采用熔體技術(shù)路線制造出了2英寸的氧化鎵晶圓，此外在石墨烯技術(shù)上也有一些專利，石墨烯技術(shù)正是碳基芯片的一部分，這都說明國內(nèi)企業(yè)和機構(gòu)在先進的半導(dǎo)體材料具有一定的基礎(chǔ)。

可以預(yù)期隨著美國不斷地加強類似的舉措，在當前環(huán)境下很可能是同時采用美國的EDA軟件和國產(chǎn)EDA軟件，逐步過渡到完全采用國產(chǎn)EDA軟件，國產(chǎn)EDA軟件將得到國內(nèi)芯片設(shè)計企業(yè)和芯片制造企業(yè)的采用，最終形成我們的體系。

至于先進的EDA軟件和半導(dǎo)體材料，可以隨著我國的芯片制造工藝的逐步推進而演進，那還需要數(shù)年時間，或許到那時候我們已有用于先進工藝的EDA軟件和半導(dǎo)體材料，到時候或許美國已無法再對我們的芯片產(chǎn)業(yè)施加影響。

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