《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 模擬設(shè)計(jì) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 全面圍堵!美國(guó)想禁14nm及以下、128層以上的半導(dǎo)體設(shè)備

全面圍堵!美國(guó)想禁14nm及以下、128層以上的半導(dǎo)體設(shè)備

2022-08-03
來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
關(guān)鍵詞: 14nm 128層 半導(dǎo)體

近日,有媒體報(bào)道稱,為了全面圍堵中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展,美國(guó)官員計(jì)劃對(duì)14nm及以下的芯片制造設(shè)備,以及128層以上的存儲(chǔ)芯片制造設(shè)備進(jìn)行禁止,不允許供應(yīng)商們對(duì)位于中國(guó)大陸的廠商出貨。

為何要禁止14nm及以下的芯片制造設(shè)備?原因在于28nm是成熟工藝與先進(jìn)工藝的分界線,14nm算是先進(jìn)工藝了,所以要禁止,只能讓我們制造成熟工藝的芯片,停留在成熟工藝上,然后先進(jìn)工藝的芯片,從美國(guó)買,然后美國(guó)獲得巨額利益。

5.jpg

而為何要禁128層以上的存儲(chǔ)設(shè)備制造設(shè)備?原因在于128層的NAND閃存,在當(dāng)前其實(shí)也算是成熟工藝了,長(zhǎng)江存儲(chǔ)早已量產(chǎn)了。

像三星、SK海力士等早就進(jìn)入了192層,甚至200+層,最近美光不就表示已經(jīng)推出了232層 3D NAND閃存了么?

禁128層以上設(shè)備,相當(dāng)于就阻止中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商,進(jìn)入了更先進(jìn)的技術(shù),只能停留在128層技術(shù)上。

據(jù)稱,這個(gè)禁令針對(duì)的是所有位于中國(guó)大陸的廠商,不管這個(gè)廠商是不是中國(guó)本土的廠商。意思就是假如臺(tái)積電、intel、三星等企業(yè),在中國(guó)大陸設(shè)的廠,也一樣要被禁止。

很明顯,美國(guó)就是全方面的進(jìn)行圍堵我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掌握先進(jìn)技術(shù),希望我們只能掌握成熟的技術(shù),這樣就離不開美國(guó)的芯片,一直被美國(guó)卡著脖子,那么我們的高科技產(chǎn)業(yè),就一直處于美國(guó)掌握之中。

7.jpg

不過(guò),當(dāng)前這個(gè)禁令還只是某些官員提出,并沒(méi)有真正的成為政策執(zhí)行,但接下來(lái)會(huì)不會(huì)執(zhí)行,還是未知數(shù)。

但這則消息已經(jīng)反映出一個(gè)現(xiàn)象,那就阻止中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)崛起,可能已經(jīng)是美國(guó)某些政客的共識(shí)了,這對(duì)于我們而言,確實(shí)不是一個(gè)好消息。

再考慮到美國(guó)之前通過(guò)的520億美元的芯片補(bǔ)貼計(jì)劃,要鎖死中國(guó)高端芯片產(chǎn)業(yè)10年,逼芯片巨頭們二選一,所以我們接下來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),只能靠自己,不能對(duì)外有任何幻想,一定要全產(chǎn)業(yè)鏈崛起才行。




本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。