2021開年,“缺貨”、“漲價(jià)”這兩大關(guān)鍵詞就博足了半導(dǎo)體從業(yè)人士的眼球。存儲(chǔ)市場(chǎng)在這波氛圍帶動(dòng)下,也迎來(lái)全面上漲。日經(jīng)報(bào)道指出,老款的DRAM價(jià)格暴漲2倍,IC insight也披露,DRAM的平均銷售價(jià)格在今年第一季度比上一季度增長(zhǎng)8%,而且?guī)缀跛?a class="innerlink" href="http://ihrv.cn/tags/存儲(chǔ)器" target="_blank">存儲(chǔ)器供應(yīng)商都預(yù)計(jì)2季度將有更強(qiáng)勁的需求。說(shuō)到存儲(chǔ)器,國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在3D NAND領(lǐng)域“蓋樓”,與國(guó)際存儲(chǔ)大廠試比高,目前其128層已研發(fā)成功。
目前存儲(chǔ)器已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場(chǎng)。在關(guān)注傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的進(jìn)展之外,近些年,隨著人工智能、5G和物聯(lián)網(wǎng)需求的崛起,存儲(chǔ)墻問題、內(nèi)存不具備非易失性、外存微縮艱難等問題凸顯,這些都勾起了行業(yè)內(nèi)對(duì)新型存儲(chǔ)器的探索。MKW Ventures的Mark Webb曾表示,在接下來(lái)的十年中,兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類型——相變存儲(chǔ)器(PCM)和磁RAM,將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
以DRAM和閃存為代表的第三代存儲(chǔ)器已發(fā)展了近50年,中國(guó)目前發(fā)展難度極大,如何解決專利壁壘將是中國(guó)DRAM和閃存企業(yè)在產(chǎn)品上市后面臨的無(wú)法繞開的問題。但新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)尚未形成行業(yè)壟斷,存儲(chǔ)技術(shù)也尚未形成壁壘,總體來(lái)說(shuō)機(jī)遇大于挑戰(zhàn)。那么新型存儲(chǔ)器能否成為我國(guó)在存儲(chǔ)業(yè)彎道超車的機(jī)會(huì)呢?國(guó)內(nèi)在新型存儲(chǔ)器上的進(jìn)展如何呢?
新型存儲(chǔ)器成新興市場(chǎng)的選擇
數(shù)據(jù)是這個(gè)世界的新經(jīng)濟(jì)。根據(jù)IDC的研究,到2025年,由物聯(lián)網(wǎng)生成的數(shù)據(jù)總量將為79.4 ZB;目前還有100億移動(dòng)設(shè)備正在使用中,每個(gè)移動(dòng)設(shè)備將生成、存儲(chǔ)、共享和傳輸新數(shù)據(jù)集。在全球范圍內(nèi),每天生成的數(shù)據(jù)總量約為2.5兆字節(jié),并且數(shù)量正在迅速增加。所有這些數(shù)據(jù)在其整個(gè)生命周期中都需要內(nèi)存,而且所產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)對(duì)芯片的處理能力提出了越來(lái)越嚴(yán)苛的要求。智能時(shí)代的到來(lái),將引起存儲(chǔ)行業(yè)的新一輪爆發(fā)。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理可以在云、核心網(wǎng)絡(luò)、邊緣網(wǎng)絡(luò)或設(shè)備本身中進(jìn)行。當(dāng)處理器需要在近距離處理數(shù)據(jù)時(shí),最直接的方法是在同一芯片上構(gòu)建處理器和內(nèi)存,如內(nèi)存內(nèi)計(jì)算。但是,由于現(xiàn)有的內(nèi)存制造工藝與標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝的差異,所有當(dāng)前的存儲(chǔ)技術(shù)都無(wú)法以優(yōu)化的方式來(lái)做到這種類型的集成,內(nèi)存內(nèi)計(jì)算很難實(shí)現(xiàn)。在這方面,相變存儲(chǔ)器具有真正的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),因?yàn)槠渲圃旃に噺囊婚_始便是無(wú)縫集成到最先進(jìn)的CMOS工藝中,這使得相變存儲(chǔ)器可以用作“內(nèi)存內(nèi)”或“近內(nèi)存“計(jì)算的主存儲(chǔ)器,并可在同一芯片上設(shè)計(jì)對(duì)于數(shù)據(jù)處理功能強(qiáng)大的處理器。
相變存儲(chǔ)器被稱為PCM或PCRAM。早在1968年就被奧弗辛斯基(Stanford Ovshinsky)提出,他首次描述了基于相變理論的存儲(chǔ)器:材料由非晶體狀態(tài)變成晶體,再變回非晶體的過程中,其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的光學(xué)特性和電阻特性,因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),這一學(xué)說(shuō)稱為奧弗辛斯基電子效應(yīng)。
以前由于半導(dǎo)體工藝的限制,造成相變單元所需要的驅(qū)動(dòng)電流過大,這也直接導(dǎo)致早期的相變存儲(chǔ)器并沒有贏得太多青睞,反而是利用硫系化合物其宏觀上光學(xué)反射率存在很大的差異,在商業(yè)上主要被用于多媒體數(shù)據(jù)光盤(DVD),來(lái)實(shí)現(xiàn)兩個(gè)穩(wěn)定數(shù)據(jù)態(tài)的存儲(chǔ)。而后得益于半導(dǎo)體加工工藝的進(jìn)步,使具有較小的驅(qū)動(dòng)電流器件成為可能,并迎來(lái)了自身真正發(fā)展的契機(jī)。
而在當(dāng)前主流的一些新型的存儲(chǔ)器如MRAM、ReRAM 和 PCM中,PCM被業(yè)界公認(rèn)為工藝是最為成熟的,也是未來(lái)最有望取代當(dāng)前傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
相較于其他類型的存儲(chǔ)器(包括NAND閃存),PCM具有多種優(yōu)勢(shì):
更快的寫入周期:PCM提供了可能比NAND閃存快得多的寫入周期。NAND閃存要求在寫入新數(shù)據(jù)之前先擦除數(shù)據(jù),而PCM則沒有這樣的要求,從而使其速度大大提高。
更快的訪問時(shí)間:研究發(fā)現(xiàn),使用PCM可以實(shí)現(xiàn)低于5 ns的訪問時(shí)間。
耐力:考慮到PCM不需要首先擦除數(shù)據(jù),供應(yīng)商和研究人員估計(jì)相變存儲(chǔ)器比NAND閃存可以處理更多的寫周期。
降低功耗:PCM有望提供比NAND同類產(chǎn)品更低的功耗要求。
PCM是可執(zhí)行的:相變存儲(chǔ)器的獨(dú)特之處在于,它既可以執(zhí)行代碼,就像現(xiàn)有的DRAM一樣,也可以存儲(chǔ)像NAND這樣的數(shù)據(jù)。
IBM曾在一篇文章中指出,通過使用基于PCM的模擬芯片,機(jī)器學(xué)習(xí)可加速一千倍。
具體到應(yīng)用上,在核心和邊緣網(wǎng)絡(luò)中,PCM可以用作為主內(nèi)存,以此來(lái)增加內(nèi)存總?cè)萘坎⑼瑫r(shí)減少內(nèi)存訪問延遲和成本?;赑CM的存儲(chǔ)產(chǎn)品,例如英特爾的Optane? DCPM也受到了數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商的廣泛關(guān)注和歡迎,因?yàn)镈CPM產(chǎn)品已體現(xiàn)出在提高存儲(chǔ)性能的同時(shí)降低了成本的優(yōu)勢(shì)。
此外,對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)相互連接的設(shè)備上的數(shù)據(jù)存儲(chǔ),PCM不僅可以替換傳統(tǒng)的NOR或NAND 存儲(chǔ)器,還能憑借其NVM屬性和超快速的訪問時(shí)間,確保這些設(shè)備的最佳性能。
由于PCM具有接近DRAM的性能,因此可以將其直接連接到片上系統(tǒng)(SoC)中嵌入式MCU的處理器總線作為所謂的“緊密耦合存儲(chǔ)”(TCM),從而簡(jiǎn)化并加速了系統(tǒng)啟動(dòng)過程及對(duì)關(guān)鍵事件的響應(yīng)并增強(qiáng)了安全性,因?yàn)樗嘘P(guān)鍵數(shù)據(jù)始終可以隱藏在MCU芯片內(nèi)部。ST在2018年12月研發(fā)了一項(xiàng)車載嵌入式相變化存儲(chǔ)半導(dǎo)體,2019年其宣稱“Stellar”系列可內(nèi)置容量極大的嵌入式PCM。這也證明了PCM可在車載存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)揮大作用。
隨著我們接近即將到達(dá)的半導(dǎo)體技術(shù)“十字路口”,PCM技術(shù)已漸進(jìn)成熟并隨時(shí)準(zhǔn)備支持技術(shù)競(jìng)賽的下一站,無(wú)論其走向5G、AIoT還是數(shù)據(jù)中心。
把握新型存儲(chǔ)器發(fā)展時(shí)機(jī),本土存儲(chǔ)力量崛起
據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì),2019年以來(lái),存儲(chǔ)器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè),總體市場(chǎng)空間將從2019年的1110億美元增長(zhǎng)至2025年的1850億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率為9%。 細(xì)分市場(chǎng)中,新型存儲(chǔ)器市場(chǎng)增速最快 ,將從5億美元增長(zhǎng)到40億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到42%,發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>
而新型存儲(chǔ)器行伍中的相變存儲(chǔ)器PCM早已成為國(guó)際存儲(chǔ)大廠角逐的新領(lǐng)地,英特爾摒棄了發(fā)展多年的NAND業(yè)務(wù),卻唯獨(dú)留下了Optane?技術(shù),專心發(fā)展以PCM為代表的新型存儲(chǔ)器,這具有極強(qiáng)的風(fēng)向標(biāo)作用。SK海力士宣布在下一代相變存儲(chǔ)器中采用PUC(peri under cell)技術(shù)。ST將PCM嵌入其MCU中,探索在車載半導(dǎo)體中的應(yīng)用。
國(guó)家“十四五”規(guī)劃綱要中,在加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)方面, “先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)” 也被列入“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”重點(diǎn)領(lǐng)域。在這種大環(huán)境和大機(jī)遇下,無(wú)論從經(jīng)濟(jì)上還是戰(zhàn)略上來(lái)看,發(fā)展新型存儲(chǔ)器PCM都是中國(guó)不可不把握的機(jī)遇。
好在,在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)不乏已有深耕者,北京時(shí)代全芯(AMT)就是其中一家。時(shí)代全芯從事PCM技術(shù)研發(fā)超過十年,是中國(guó)最早獲得IBM核心集成電路技術(shù)專利的民營(yíng)企業(yè),積累了豐富的PCM存儲(chǔ)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn),儲(chǔ)備了一大批優(yōu)秀且經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師。
AMT于2019年8月發(fā)布了首款相變存儲(chǔ)產(chǎn)品——基于相變材料的2兆位可編程只讀相變存儲(chǔ)器(EEPROM)。這也是國(guó)內(nèi)首批商業(yè)化量產(chǎn)的相變存儲(chǔ)產(chǎn)品,標(biāo)志著中國(guó)成為全球繼美光、三星之后少數(shù)幾個(gè)掌握相變存儲(chǔ)器研發(fā)、生產(chǎn)工藝和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的公司。目前產(chǎn)品已下線,量產(chǎn)曙光在前。
今后,公司還將陸續(xù)推出大容量系列存儲(chǔ)產(chǎn)品,如:高密度相變存儲(chǔ)器(3D PCM)、三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器(TCAM)、智能存儲(chǔ)器(Smart Memory)等,更好地滿足市場(chǎng)需求,也為中國(guó)的存儲(chǔ)業(yè)尤其是新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)添磚加瓦。
如前文所說(shuō),新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)還未成熟,各家也在不斷探索,壁壘尚未形成,而且,更重要的是像PCM這樣的新型存儲(chǔ)技術(shù)并不需要特別先進(jìn)的工藝制成,其設(shè)備受限制較少,因此我國(guó)在這一領(lǐng)域具有換道超車的可能。我國(guó)應(yīng)當(dāng)抓住這樣一個(gè)大好的時(shí)機(jī),大力發(fā)展PCM,保持與世界同步,我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)才能快速趕上國(guó)際步伐。
結(jié)語(yǔ)
目前中國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率極低,但是縱觀國(guó)內(nèi)整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈,存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化具備一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。在設(shè)計(jì)端,兆易創(chuàng)新從事NOR Flash、長(zhǎng)鑫和西安華芯從事DRAM、長(zhǎng)江存儲(chǔ)從事NAND Flash;在制造端,武漢新芯和中芯國(guó)際具備一定的制造能力,同時(shí)紫光國(guó)芯也開始布局該領(lǐng)域;在封測(cè)端,長(zhǎng)電科技、華天科技和深科技均有一定的封測(cè)能力。在新型存儲(chǔ)器領(lǐng)域,有時(shí)代全芯這樣“一門心思”死磕相變存儲(chǔ)器的。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器崛起的旭日正冉冉升起。
不過,半導(dǎo)體創(chuàng)企的道路注定艱難,如今國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)的“種子”已經(jīng)播下,我們應(yīng)多給創(chuàng)企們一些時(shí)間,靜待花開結(jié)果。