近年來世界能源消耗加劇以及電力需求的不斷增加，大力開發(fā)新型電力電子器件已成為新趨勢(shì)。隨著科技的不斷進(jìn)步，所有的電力電子器件都有了飛速的發(fā)展，而在這些電力電子器件中發(fā)展速度最快的無疑是IGBT；

IGBT具有耐壓高、導(dǎo)通壓降低、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、高頻率、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，適用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如：UPS電源、光伏逆變器、充電樁、BMS、儲(chǔ)能、變頻器、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

    隨著以MOSFET、IGBT為代表的電壓控制型器件的出現(xiàn)，電力電子技術(shù)便從低頻迅速邁入了高頻電力電子階段，并使電力電子技術(shù)發(fā)展得更加豐富，同時(shí)為高效節(jié)能、省材 、新能源、自動(dòng)化及智能化提供了新的機(jī)遇。

　　IGBT/wafer將MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好；電壓驅(qū)動(dòng)（MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)，克服GTR缺點(diǎn)）；又具有通態(tài)壓降低，可以向高電壓、大電流方向發(fā)展（GTR的優(yōu)點(diǎn)，克服MOSFET的缺點(diǎn)）等綜合優(yōu)點(diǎn)，因此IGBT發(fā)展很快，在開關(guān)頻率大于1KHz，功率大于5KW的應(yīng)用場(chǎng)合具有優(yōu)勢(shì)。

　　IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣分為穿通型，非穿通型，劃分依據(jù)為：臨界擊穿電壓下P base-N drift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透了N-基區(qū)；

　　技術(shù)層面：

　　IGBT芯片經(jīng)歷了一系列的迭代過程從PT技術(shù)向NPT技術(shù)，再到現(xiàn)在FS技術(shù)的升級(jí)，使芯片變薄，降低了熱阻，并提升了Tj；

　　IEGT、CSTBT和MPT的引入；持續(xù)降低了Vce，并提高了功率密度；通過表面金屬及鈍化層優(yōu)化，可滿足車用的高可靠性要求。

　　FS工業(yè)技術(shù)簡(jiǎn)介：

　　FS工藝它同時(shí)具有PT-IGBT和NPT-IGBT的優(yōu)點(diǎn)，至今一直居于主導(dǎo)地位；由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽IGBT晶圓片均采用了FS技術(shù)。

　　FS生產(chǎn)工藝以輕摻雜N- 區(qū)熔單晶硅作為起始材料，完成正面元胞制作之后再進(jìn)行背面工藝。在硅片減薄之后，首先在硅片的背面注入磷，形成N+ buffer, 最后注入硼，形成P+ collector, 激活雜質(zhì)后再淀積金屬鋁。

　　FS相對(duì)于NPT而言，背面增加了N型注入、硅片更薄，硅片在加工過程中的碎片率上升。更薄的N-區(qū)電阻小，使VCESAT更低；更薄N-層導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)的過剩載流子總量少，使關(guān)斷時(shí)間及關(guān)斷損耗減少。

　　IGBT晶圓片具有小尺寸、高功率密度、低成本、高可靠性等諸多優(yōu)點(diǎn)，不同電壓可作用于：

　　1、600V逆導(dǎo)型FS-IGBT主要應(yīng)用于消費(fèi)電子，白色家電，汽車電子等中低壓消費(fèi)領(lǐng)域。

　　2、600－1700V可應(yīng)用于:EV／HEV 、馬達(dá)電機(jī)相關(guān)應(yīng)用、工業(yè)控制／變頻、白色家電、光伏系統(tǒng)、UPS

　　3、高壓1700v－6500v下可應(yīng)用于：軌道運(yùn)輸、電網(wǎng)、風(fēng)電系統(tǒng)

　　強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手臺(tái)灣茂矽電子IGBT晶圓產(chǎn)品7月正式在ISweek工采網(wǎng)上架，其推出的三款FS工藝6寸1200V IGBT晶圓片：1、25A/P81MV020NL0011P；2、40A/P81MV022NL0013P； 3、15A/P81MV023NL0014P；都具備1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù)、低開關(guān)損耗、正溫度系數(shù)、簡(jiǎn)單的平行特性。

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