如果關(guān)注關(guān)刻機(jī)技術(shù)的人都清楚，目前有兩種光刻機(jī)，一種是DUV，一種是EUV。

其中EUV用于7nn及以下芯片的光刻，DUV用于7nm以上的芯片光刻。而DUV光刻機(jī)，基本上都是采用浸潤(rùn)式原理。

即在光刻機(jī)中，采用水為介質(zhì)，讓193nm波長(zhǎng)的光線，進(jìn)入水中進(jìn)行折射后，讓波長(zhǎng)變成132納米，從而實(shí)現(xiàn)從45nm－10nm級(jí)別的光刻。

事實(shí)上，在浸潤(rùn)式光刻機(jī)推出之前，業(yè)界采用的均是干式光刻機(jī)，即介質(zhì)為空氣，193nm波長(zhǎng)的光線，直接進(jìn)行光刻。

而在干式光刻機(jī)技術(shù)中，尼康、佳能才是巨頭。至于ASML，還只是一個(gè)小工廠，與尼康、佳能完全不是一個(gè)級(jí)別的。

后來(lái)是ASML押寶浸潤(rùn)式光刻機(jī)，某了尼康、佳能的命，把尼康、佳能踩在了腳下。

那么問(wèn)題就來(lái)了，為何偏偏是ASML？

事實(shí)上，在光刻機(jī)采用193nm波長(zhǎng)后，芯片工藝達(dá)到了65nm了，接下來(lái)芯片工藝是朝著45nm前進(jìn)。但193nm的光線，感覺(jué)不夠精細(xì)，所以業(yè)界把光刻的光線瞄向了157nm的波長(zhǎng)上。

但157nm這個(gè)波長(zhǎng)的光線，很不好，這種光線穿透率很差，這就需要光罩材質(zhì)要改進(jìn)，鏡頭技術(shù)也改進(jìn)。另外氧氣會(huì)吸收157納米的光，所以干式介質(zhì)中，不能有氧氣，要采用氮?dú)狻７凑褪?57nm波長(zhǎng)的光線，難題一大堆，非常不好解決。

這時(shí)候在臺(tái)積電工作的林本堅(jiān)，提出了一個(gè)觀點(diǎn)，為何一定要用干式介質(zhì)呢？用水來(lái)當(dāng)介質(zhì)也可以的。

并且在經(jīng)過(guò)不斷的試驗(yàn)之后，他發(fā)現(xiàn)193nm波長(zhǎng)的光線經(jīng)過(guò)水折射后，波長(zhǎng)變?yōu)?32nm了，這個(gè)波長(zhǎng)跳過(guò)了157nm這個(gè)討厭的波長(zhǎng)，又解決了問(wèn)題，豈不是兩全齊美？

但這時(shí)候像尼康、佳能等早就在157nm波長(zhǎng)上投入了幾十億美元研究，并且認(rèn)為157nm波長(zhǎng)才是方向，所謂的浸潤(rùn)式技術(shù)上并不可行，所以沒(méi)怎么理會(huì)。

只有ASML因?yàn)槭切S，反正光腳的不怕穿鞋的，覺(jué)得可以賭一把，于是用這個(gè)技術(shù)，趕出來(lái)了一臺(tái)試驗(yàn)性的浸潤(rùn)式光刻機(jī)，并把一些試驗(yàn)出來(lái)的結(jié)果給臺(tái)積電看。

臺(tái)積電一看，覺(jué)得技術(shù)完全可行，于是臺(tái)積電和ASML兩家公司一起努力，研發(fā)浸潤(rùn)式光刻機(jī)了。

而這時(shí)像尼康、佳能等，還說(shuō)林本堅(jiān)是在攪局，甚至想通過(guò)高層來(lái)阻止林本堅(jiān)研發(fā)浸潤(rùn)式光刻機(jī)，因?yàn)樗麄冊(cè)?57nm波長(zhǎng)光刻機(jī)上投入太多了，還聯(lián)合了產(chǎn)業(yè)鏈一起向157nm推進(jìn)，不可能半途而廢，那幾十億美元打了水漂了，給產(chǎn)業(yè)鏈也沒(méi)法交待。

最后就是ASML與臺(tái)積電研發(fā)浸潤(rùn)式光刻機(jī)成功了，而研發(fā)157nm波長(zhǎng)光刻機(jī)的尼康、佳能沒(méi)有拿出可靠的產(chǎn)品出來(lái)。

于是后來(lái)所有的晶圓廠，都轉(zhuǎn)向了ASML生產(chǎn)的浸潤(rùn)式光刻機(jī)，當(dāng)尼康、佳能轉(zhuǎn)向浸潤(rùn)式光刻機(jī)時(shí)，已經(jīng)落后ASML三、四年了。

所以最后，尼康、佳能只能看著ASML越來(lái)越火，最后還推出了EUV光刻機(jī)，他們卻慢慢的被淘汰掉了……