1.65~3 GHz 500 W功率放大器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2022年電子技術(shù)應(yīng)用第4期
薛 新，董 亮，吳佳倩
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十六研究所，浙江 嘉興314033
摘要： 現(xiàn)代發(fā)射系統(tǒng)對(duì)功率放大器的工作頻帶和功率等級(jí)提出了越來(lái)越高的要求，而基于新型GaN功率器件的功放設(shè)計(jì)可以滿足這些新的需求。采用GaN HEMT進(jìn)行基本功放單元設(shè)計(jì)，并創(chuàng)新性地采用非對(duì)稱結(jié)構(gòu)的5路徑向功率合成器實(shí)現(xiàn)整機(jī)所需功率同時(shí)提高整機(jī)效率。該功率放大器工作頻率為1.65~3 GHz，實(shí)測(cè)輸出功率大于500 W(CW)，電源轉(zhuǎn)換效率大于25%，較同類產(chǎn)品在效率體積等指標(biāo)上有較大提升。該產(chǎn)品適用于高功率系統(tǒng)應(yīng)用，如EMC測(cè)試、電子對(duì)抗等。
中圖分類號(hào)： TN722
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.212199
中文引用格式： 薛新，董亮，吳佳倩. 1.65~3 GHz 500 W功率放大器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2022，48(4)：113-116.
英文引用格式： Xue Xin，Dong Liang，Wu Jiaqian. Design and implementation of a 1.65~3 GHz 500 watts power amplifier[J]. Application of Electronic Technique，2022，48(4)：113-116.
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.212199
中文引用格式： 薛新，董亮，吳佳倩. 1.65~3 GHz 500 W功率放大器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2022，48(4)：113-116.
英文引用格式： Xue Xin，Dong Liang，Wu Jiaqian. Design and implementation of a 1.65~3 GHz 500 watts power amplifier[J]. Application of Electronic Technique，2022，48(4)：113-116.
Design and implementation of a 1.65~3 GHz 500 watts power amplifier
Xue Xin，Dong Liang，Wu Jiaqian
No.36 Research Institute of CETC，Jiaxing 314033，China
Abstract： Modern transmission systems have put forward higher and higher requirements for the working frequency band and power level of power amplifiers, and the design of power amplifiers based on GaN power devices can meet these new requirements. In this paper, GaN HEMT is used to design the basic power amplifier unit, and the 5-path power synthesizer with asymmetric structure is innovatively used to realize the required power of the whole machine and improve the efficiency of the whole machine. The operating frequency of the power amplifier is 1.65~3 GHz, the measured output power is greater than 500 W(CW), and the power conversion efficiency is greater than 25%. Compared with similar products, the efficiency and volume index have been greatly improved.This product is suitable for high-power system applications, such as EMC testing, electronic countermeasures, etc.
Key words : GaN power device；high power；high efficiency
0 引言
近年來(lái)軍民用通信技術(shù)更新步伐很快，與此對(duì)應(yīng)的通信裝備也在不斷地更新?lián)Q代。作為射頻微波發(fā)射系統(tǒng)的主要設(shè)備，微波功率放大系統(tǒng)的主要發(fā)展趨勢(shì)一直以來(lái)都是增大頻譜寬度，增大功率及效率，減小器件和電路的體積、重量和制造成本。由于每一種射頻器件在兼顧頻率和功率時(shí)都存在極限，促使人們不斷探索新的工作原理，新的器件結(jié)構(gòu)，采用新型材料來(lái)突破原有的極限，同時(shí)在滿足整機(jī)大功率輸出方面也在不斷探索新的技術(shù)實(shí)現(xiàn)方式，并已經(jīng)取得了較大進(jìn)展，采用新的功率器件和新的整機(jī)功率實(shí)現(xiàn)方式設(shè)計(jì)的固態(tài)功率放大器也已逐漸廣泛使用。
本文設(shè)計(jì)的固態(tài)功率放大器主要功能是將系統(tǒng)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的1.65~3 GHz各類調(diào)制信號(hào)放大至500 W以上射頻連續(xù)波功率，可用于EMC測(cè)試、電子對(duì)抗等高功率系統(tǒng)應(yīng)用。
本文詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)下載：http://ihrv.cn/resource/share/2000004066。
作者信息：
薛 新，董 亮，吳佳倩
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十六研究所，浙江 嘉興314033)
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