近日，烏克蘭國家科學院（NASU）發(fā)布公告稱，著名物理學家、半導體領域卓越貢獻者——克拉德科教授，在俄烏沖突中被“射殺”身亡。這一消息讓人們感到十分悲痛和惋惜！

　　根據NASU官網發(fā)布的公告顯示，“烏克蘭國家科學院物理和天文學部門遺憾地告知，3月13日，俄羅斯占領軍無情地射殺了杰出的實驗物理學家、教授、烏克蘭國家科學院VE Lashkaryov半導體物理研究所長期系主任、副主任。同時，他還是烏克蘭國家科學技術獎和烏克蘭國家科學院VE Lashkaryov獎的獲得者，烏克蘭國家科學院通訊院士?！?/p>

　　圖：烏克蘭國家科學院公告

　　截至發(fā)稿前，該消息未獲得俄羅斯方面任何確認。

　　據悉，烏克蘭國家科學院（NASU）成立于1918年，是前蘇聯現存的最古老、規(guī)模最大的頂級研究機構之一。

　　圖：烏克蘭國家科學院

　　根據公開信息顯示，克拉德科1957年出生在烏克蘭西部的Ozero村，因其在使用高分辨率X射線衍射（一束X射線通過材料時的散射方式）來尋找非常薄的晶體結構中的缺陷而聞名，例如構成微芯片、二極管和晶體管中的半導體的那些缺陷。

　　半導體是一種不能像真正的導電材料（如銅）那樣導電的材料，但比絕緣材料（如橡膠）的導電性能好。半導體處于導電光譜的中間位置，因此被稱為半導體。它們通常是固體時具有晶體結構的材料，比如硅（Si）。

　　資料圖：克拉德科教授

　　而克拉德科教授的貢獻在于，在對更小、更強大和更復雜的微芯片的需求不斷增加的階段，微芯片和其他小型但重要的電子元件的制造商需要能夠更好的方法來控制材料的物理和化學特性，而通過使用X射線衍射，克拉德科教授的研究方法可以非常詳細地觀察非常小、非常薄的晶體材料層。

　　自2004年以來，克拉德科領導著一個專門從事這一研究的部門，即NASU的V.E. Lashkaryov半導體物理研究所的半導體材料和系統(tǒng)結構分析部。同時，他也是V.E. Lashkaryov研究所本身的副所長，并在烏克蘭和國際上的一些物理學雜志上擔任編輯。

　　以下為克拉德科教授的主要研究成果：

　　1、在同時包含變形和成分不均勻性的復雜結構缺陷的最復雜情況下，研究真實晶體對X-變化的動態(tài)解離過程的物理學。

　　2、根據晶體介質中動態(tài)X射線彌散的特殊性，在異常彌散領域提出并發(fā)展了真實晶體的結構診斷法。

　　3、建立了垂直整合的量子點簡單相關函數的遠結構秩序的二維模型，并允許通過高分辨率X射線衍射的實驗數據獲得具有這種量子點的異質結構的量子分析結果。

　　4、建立了一種新的綜合方法的物理基礎，用于在最復雜的缺陷結構中對真正的晶體進行結構診斷，這些缺陷結構同時由應變和成分不均勻性組成。

　　5、通過對納米結構物體使用準任意反射來擴展研究領域，建立了一些有趣的規(guī)律性。準量子點反射對包含固體溶液的子球體的組成高度敏感，以及超量子點的衛(wèi)星對其單個球體的缺陷結構的振動敏感性，以及分別分離這種結構對每個球體的分離能力的貢獻的可能性。