《電子技術(shù)應用》
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高精度分段线性补偿基准电压源
2022年电子技术应用第3期
奚冬杰，徐晴昊
中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏 无锡214035
摘要： 介绍了一种新型电压基准电路，基于分段线性补偿方式设计了一种高精度基准电压源。利用与温度成正比的电流(IPTAT)和与温度成反比的电流(ICTAT)做差，从而获得用于基准电压源曲率补偿的分段线性电流。将电路整个工作温度区间分为两段，利用分段线性电流完成补偿，且增加三极管基极电流补偿技术，最终得到高精度的基准输出电压。仿真结果表明，在-55 ℃~125 ℃温度范围时，基准电压源温度系数为1.208×10-6/℃，低频时电源抑制比低于-88 dB。当电源电压从2.5 V升至5 V时，线性调整率为0.108 mV/V。
中圖分類號： TN433
文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.212101
中文引用格式： 奚冬杰，徐晴昊. 高精度分段線性補償基準電壓源[J].電子技術(shù)應用，2022，48(3)：41-44.
英文引用格式： Xi Dongjie，Xu Qinghao. High precision piecewise linear compensated voltage reference[J]. Application of Electronic Technique，2022，48(3)：41-44.
High precision piecewise linear compensated voltage reference
Xi Dongjie，Xu Qinghao
No.58 Institue，China Electronic Technology Group Corporation，Wuxi 214035，China
Abstract： A innovative and high precision piecewise linear compensated voltage reference was designed in this paper. The current proportional to temperature(IPATA) and the current inversely proportional to temperature(ICTAT) was used to obtain the piecewise linear current for the curvature compensation of the voltage reference source. The whole working temperature range of the circuit was divided into two sections, finally high precision voltage reference was obtain by piecewise linear and bipolar base current compensation method. The simulation results show that in the temperature range of -55 ℃ to 125 ℃, the temperature coefficient of the voltage reference is 1.208 ppm/℃, and the power supply rejection ratio is lower than -88 dB at low frequency. When the supply voltage changes from 2.5 V to 5 V, the line regulation is 0.108 mV/V.
Key words : voltage reference；piecewise linear compensation；temperature coefficient；PSRR

0 引言

    帶隙基準電壓源(Bandgap Voltage Reference，BGR)作為IC設計中一個重要的基礎單元模塊，被廣泛應用于電源管理、A/D和D/A轉(zhuǎn)換器以及數(shù)?；旌系燃呻娐贰＠硐肭闆r下基準電壓源輸出一個不隨溫度、電源電壓和工藝變化而變化的參考電壓，其精度限制了所有IC系統(tǒng)所能達到的性能上限，因此研究如何設計一個高精度輸出的基準電壓源具有重要意義[1-3]。

    隨著片上系統(tǒng)(SoC)和便攜式穿戴設備的高速發(fā)展，傳統(tǒng)帶隙基準的精度已難以滿足現(xiàn)代集成電路的設計需求。傳統(tǒng)帶隙基準采用一階補償結(jié)構(gòu)，其采用具有固定正溫度系數(shù)的電壓(VPTAT)來補償VBE的負溫度系數(shù)，經(jīng)補償后的電壓仍存在高階非線性溫度系數(shù)分量。因此傳統(tǒng)帶隙基準溫度系數(shù)受補償誤差限制，僅在補償溫度點附近具有最小溫度系數(shù)，隨工作溫度范圍的增加基準輸出精度急劇惡化[4-5]。

    針對一階補償因固有缺陷所導致輸出電壓精度受限問題，業(yè)內(nèi)提出了指數(shù)型電流補償、亞閾值MOS補償和不同電阻溫度系數(shù)補償?shù)冉鉀Q方案。但上述高階補償方案存在與標準CMOS工藝不兼容、電路結(jié)構(gòu)復雜、高噪聲、功耗大和因模型精度不足導致產(chǎn)品良率下降等問題。為此本文設計了一種高精度分段線性補償基準電壓源設計方案，首先將PTAT電流和CTAT電流做差獲得分段線性補償電流，其次將電路整個工作溫度區(qū)間分為兩段后利用分段線性補償電流完成補償，然后通過增加三極管基極電流補償結(jié)構(gòu)進一步提升基準輸出精度。最終所設計BGR在2.5 V~5 V電源電壓下以及-55 ℃~125 ℃溫度范圍內(nèi)溫度系數(shù)為1.208 ppm/℃，具有功耗低、結(jié)構(gòu)簡單和未使用NPN三極管可與標準CMOS工藝兼容等優(yōu)勢。




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作者信息：

奚冬杰，徐晴昊

(中國電子科技集團公司第五十八研究所，江蘇 無錫214035)




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