1月26日,據(jù)日經(jīng)報道,知情人士稱,在新進投資者的推動下,紫光集團將放棄在重慶和成都的存儲廠建廠計劃,同時前日本爾必達社長、紫光集團高級副總裁兼日本分公司 CEO 坂本幸雄也已離職。

報道稱,紫光集團終止的兩個項目之一是位于重慶的 DRAM 業(yè)務(wù)。此前,紫光集團曾希望坂本幸雄執(zhí)掌 DRAM 業(yè)務(wù),通過其經(jīng)驗和人脈在日本組建一個 100 多人的團隊,然后在重慶量產(chǎn)先進的 DRAM 產(chǎn)品。

對于團隊的組建,坂本幸雄曾對外表示,“日本還有許多能開發(fā)存儲器的人才。準備了相當于日企五六倍的報酬”。

但知情人士稱,招聘工作未能按預(yù)期順利進行,加上紫光集團遭遇財務(wù)危機,以及美國阻撓之下獲取先進的半導體設(shè)備面臨重重難關(guān),坂本在去年下半年就已離開紫光集團。這一消息已被坂本的發(fā)言人證實。

紫光放棄的第二個存儲廠建廠計劃位于成都,自2016年以來,紫光集團相繼在武漢、南京、成都建設(shè)起三座存儲芯片制造工廠。其中,位于武漢的長江存儲在武漢新芯的基礎(chǔ)上已成功設(shè)計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片;

2018年8月,長江存儲宣布推出全新3D NAND架構(gòu)Xtacking;不久之后,紫光集團首次展出了長江存儲的64層3D NAND閃存芯片。紫光集團原本打算設(shè)立價值240億美元的3D NAND Flash芯片廠。紫光本來希望成都廠能復(fù)制長江儲存(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)的成功制造經(jīng)驗。

紫光集團董事長趙偉國公開表示,紫光集團要在成都、南京等比例復(fù)制武漢工廠。

紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造,該工廠計劃于2019年底開工建設(shè),預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。

紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設(shè)立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金,在重慶建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

在芯片工廠建成前,紫光集團先期在現(xiàn)有芯片工廠內(nèi)設(shè)立產(chǎn)品中試生產(chǎn)線,進行產(chǎn)品生產(chǎn)工藝技術(shù)研發(fā),待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產(chǎn)。

2020年底,曾有消息傳出,紫光集團位于重慶、成都的存儲芯片廠計劃嚴重延遲,可能在紫光債務(wù)違約后撤銷。

去年7月,由于債務(wù)危機遲遲無法解決,紫光遭債權(quán)人申請宣告破產(chǎn)。去年12月,由北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(Beijing Jianguang Asset Management Co.)和北京智路資產(chǎn)管理有限公司(Wise Road Capital)帶頭的財團,成為紫光集團最新奧援。1月17日北京地方法院批準了此前已獲得債權(quán)人通過的重整計劃。