1月26日,據日經報道,知情人士稱,在新進投資者的推動下,紫光集團將放棄在重慶和成都的存儲廠建廠計劃,同時前日本爾必達社長、紫光集團高級副總裁兼日本分公司 CEO 坂本幸雄也已離職。

報道稱,紫光集團終止的兩個項目之一是位于重慶的 DRAM 業(yè)務。此前,紫光集團曾希望坂本幸雄執(zhí)掌 DRAM 業(yè)務,通過其經驗和人脈在日本組建一個 100 多人的團隊,然后在重慶量產先進的 DRAM 產品。

對于團隊的組建,坂本幸雄曾對外表示,“日本還有許多能開發(fā)存儲器的人才。準備了相當于日企五六倍的報酬”。

但知情人士稱,招聘工作未能按預期順利進行,加上紫光集團遭遇財務危機,以及美國阻撓之下獲取先進的半導體設備面臨重重難關,坂本在去年下半年就已離開紫光集團。這一消息已被坂本的發(fā)言人證實。

紫光放棄的第二個存儲廠建廠計劃位于成都,自2016年以來,紫光集團相繼在武漢、南京、成都建設起三座存儲芯片制造工廠。其中,位于武漢的長江存儲在武漢新芯的基礎上已成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片;

2018年8月,長江存儲宣布推出全新3D NAND架構Xtacking;不久之后,紫光集團首次展出了長江存儲的64層3D NAND閃存芯片。紫光集團原本打算設立價值240億美元的3D NAND Flash芯片廠。紫光本來希望成都廠能復制長江儲存(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)的成功制造經驗。

紫光集團董事長趙偉國公開表示,紫光集團要在成都、南京等比例復制武漢工廠。

紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造,該工廠計劃于2019年底開工建設,預計2021年建成投產。

紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業(yè)基金,在重慶建設DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

在芯片工廠建成前,紫光集團先期在現有芯片工廠內設立產品中試生產線,進行產品生產工藝技術研發(fā),待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產。

2020年底,曾有消息傳出,紫光集團位于重慶、成都的存儲芯片廠計劃嚴重延遲,可能在紫光債務違約后撤銷。

去年7月,由于債務危機遲遲無法解決,紫光遭債權人申請宣告破產。去年12月,由北京建廣資產管理有限公司(Beijing Jianguang Asset Management Co.)和北京智路資產管理有限公司(Wise Road Capital)帶頭的財團,成為紫光集團最新奧援。1月17日北京地方法院批準了此前已獲得債權人通過的重整計劃。