最受矚目的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，“華為概念股”山東天岳終于上市，市場(chǎng)反應(yīng)相當(dāng)直接。

1月12日，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天岳先進(jìn)”）正式在科創(chuàng)板敲鐘上市，發(fā)行價(jià)格為82．79元／股。

作為國(guó)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)4英寸碳化硅襯底量產(chǎn)的公司，天岳先進(jìn)被視為中國(guó)第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍人物，又因?yàn)槿A為在2019年的強(qiáng)勢(shì)站臺(tái)，讓該公司在創(chuàng)下一年內(nèi)估值上漲10倍的記錄。

孰料，這樣一家號(hào)稱掌握第三代半導(dǎo)體核心技術(shù)，且被市場(chǎng)寄予厚望的公司，股價(jià)在上市次日即跌破發(fā)行價(jià)。截至1月13日收盤(pán)，天岳先進(jìn)每股報(bào)81．99元，跌幅4．11％。

山東天岳份額提升明顯

部分市場(chǎng)人士認(rèn)為，天岳先進(jìn)尚未實(shí)現(xiàn)盈利是該公司股價(jià)表現(xiàn)不佳的重要原因，亦有產(chǎn)業(yè)鏈消息人士指出，目前該公司在實(shí)際產(chǎn)能和技術(shù)上都仍存在著較大不足。

問(wèn)題是，為什么持續(xù)虧損多年且產(chǎn)能欠缺的天岳先進(jìn)，卻能夠受到華為等巨頭，以及眾多投資機(jī)構(gòu)的青睞？

蔣民華院士余響

上世紀(jì)50年代，美國(guó)麻省理工大學(xué)開(kāi)始嘗試用鍺作為半導(dǎo)體材料開(kāi)發(fā)集成電路，但由于鍺的抗高溫性及抗輻射性較差，在60年代開(kāi)始逐漸被單晶硅半導(dǎo)體所替代。

由此，人類(lèi)電子信息行業(yè)正式進(jìn)入飛速發(fā)展時(shí)期。時(shí)至今日，人類(lèi)社會(huì)中90％以上的芯片使用的襯底材料仍然是單晶硅，未來(lái)這一數(shù)字也不會(huì)發(fā)生太大的變化，但隨著第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，人們開(kāi)始逐漸意識(shí)到其在特定領(lǐng)域內(nèi)的壓倒性優(yōu)勢(shì)。

所謂第三代半導(dǎo)體，即以碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）等材料為代表，與傳統(tǒng)的單晶硅半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。

這些特性讓第三代半導(dǎo)體材料在5G通信、特高壓、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域能夠大展拳腳，而這些行業(yè)恰恰是國(guó)內(nèi)新基建概念下的核心領(lǐng)域，這也很好解釋了天岳先進(jìn)的投資方多集中于通信與電動(dòng)車(chē)行業(yè)的原因。

本世紀(jì)初，山東大學(xué)蔣民華院士組建了碳化硅課題組開(kāi)始攻關(guān)，并掌握了N型和半絕緣SiC體塊單晶的生長(zhǎng)和加工技術(shù)，成功研制出碳化硅單晶爐，實(shí)現(xiàn)了從單晶生長(zhǎng)爐制造、單晶生長(zhǎng)、襯底加工和應(yīng)用的全部國(guó)產(chǎn)化實(shí)驗(yàn)。

目前國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)幾乎全部出自于山東大學(xué)晶體材料研究所之手。

2011年5月，蔣民華院士仙逝，由于碳化硅半導(dǎo)體較大的不確定性，鮮有企業(yè)愿意承接這一項(xiàng)目，課題也因此一度中斷。此時(shí)，從事工程器械的宗艷民在得知這一項(xiàng)目后，果斷購(gòu)買(mǎi)了山東大學(xué)碳化硅材料技術(shù)。

由于自身的材料學(xué)背景，宗艷民敏銳地察覺(jué)到碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)的價(jià)值，并開(kāi)始了該項(xiàng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化探索。

2015年，天岳先進(jìn)4英寸碳化硅襯底投入生產(chǎn)，在隨后的幾年里，公司的業(yè)務(wù)逐漸分為半絕緣性碳化硅襯底和導(dǎo)電性碳化硅襯底兩大板塊。

前者可制成微波射頻器件，應(yīng)用于信息通訊、無(wú)線電探測(cè)等領(lǐng)域。后者則可制成MOSFET、IGBT等功率器件，應(yīng)用于新能源汽車(chē)、軌道交通以及大功率傳輸變電等。

幾乎在同一時(shí)間，半絕緣性碳化硅襯底在射頻芯片上的應(yīng)用也引起了華為的注意。

華為入場(chǎng)，天岳先進(jìn)的如夢(mèng)時(shí)刻

2019年8月，天岳先進(jìn)首次對(duì)外融資便引進(jìn)了華為旗下子公司哈勃投資，這也被外界視為海思進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要信號(hào)。

不過(guò)此時(shí)的華為可能并沒(méi)有這種打算。在哈勃投資企業(yè)的名單中，涵蓋了半導(dǎo)體材料、射頻芯片、顯示器、模擬芯片、EDA、測(cè)試、CIS圖像傳感器、光刻機(jī)等半導(dǎo)體行業(yè)的全部細(xì)分領(lǐng)域，但這些投資背后主要的邏輯是華為對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的扶持。

或許是無(wú)心插柳，又或許是未雨綢繆，哈勃對(duì)天岳先進(jìn)的投資很快就起到了至關(guān)重要的作用。

2020年，美國(guó)商務(wù)部一紙禁令讓華為無(wú)法從臺(tái)積電獲得5G芯片，此舉讓華為的手機(jī)業(yè)務(wù)受到重創(chuàng)。

所以我們能夠看到，在2021年底華為的旗艦產(chǎn)品P50 Pocket只能搭載4G版本的高通芯片，而解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵就是射頻芯片的國(guó)產(chǎn)化。

根據(jù)天岳先進(jìn)的招股書(shū)，目前公司前兩大客戶合計(jì)貢獻(xiàn)60％的營(yíng)業(yè)收入，盡管天岳先進(jìn)并沒(méi)有公開(kāi)這兩家客戶的名字，但通過(guò)“B公司屬通信行業(yè)，主要應(yīng)用信息通信射頻器件”和“公司關(guān)聯(lián)方”等關(guān)鍵信息，不難判斷出這家公司正是華為。

而在招股書(shū)中公開(kāi)的另一項(xiàng)關(guān)鍵交易信息中，天岳先進(jìn)表示該客戶對(duì)公司的采購(gòu)金額從2019年的1632．82萬(wàn)元，提升至2020年的14154．57萬(wàn)元。在一年的時(shí)間內(nèi)，華為對(duì)天岳先進(jìn)的采購(gòu)進(jìn)額增長(zhǎng)了一個(gè)量級(jí)，這也不免讓人質(zhì)疑天岳先進(jìn)引進(jìn)哈勃投資有用股權(quán)換取采購(gòu)訂單的目的。

憑借哈勃投資的背書(shū)，天岳先進(jìn)在資本市場(chǎng)中開(kāi)啟了“開(kāi)掛模式”。在哈勃投資完成股份認(rèn)繳的4個(gè)月后，海通新能源、遼寧中德等公司隨即對(duì)天岳先進(jìn)增資，這一系列資本進(jìn)入讓后者的估值隨之水漲船高。

2020年，天岳先進(jìn)前后又進(jìn)行了三輪融資，又引入了28家投資機(jī)構(gòu)，截至2020年底，公司的估值已經(jīng)超過(guò)百億，達(dá)到年初的十倍。

不僅僅是通信行業(yè)，隨著國(guó)內(nèi)車(chē)企陸續(xù)發(fā)布搭載800V高電壓平臺(tái)的車(chē)型，這場(chǎng)高壓快充升級(jí)革命讓碳化硅材料成為焦點(diǎn)。據(jù)天風(fēng)證券測(cè)算，使用碳化硅材料可讓電機(jī)逆變器效率提升4％，這將讓電動(dòng)車(chē)的續(xù)航里程至少提高7％。

本月6日，天岳先進(jìn)公布了科創(chuàng)板上市發(fā)行結(jié)果，寧德時(shí)代旗下問(wèn)鼎投資、廣汽集團(tuán)旗下廣祺柒號(hào)、上汽集團(tuán)、小鵬汽車(chē)均現(xiàn)身其中，這也意味著碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的發(fā)展已基本達(dá)成共識(shí)。

車(chē)規(guī)產(chǎn)品進(jìn)展緩慢

雖然被眾多資本機(jī)構(gòu)看好，但上市次日破發(fā)的情況的確讓人出乎意料，財(cái)務(wù)狀況不佳或?yàn)橹苯釉颉?/p>

根據(jù)招股書(shū)公示信息，從2018年－2020年，天岳先進(jìn)歸母凈利潤(rùn)為別為－4213．96萬(wàn)元，－20068．36萬(wàn)元，－64161．32萬(wàn)元。天岳先進(jìn)對(duì)此表示，報(bào)告期內(nèi)，公司尚未盈利主要系實(shí)施股權(quán)激勵(lì)確認(rèn)高額股份支付費(fèi)用所致，扣除費(fèi)經(jīng)常性損益后2019年、2020年均已實(shí)現(xiàn)盈利。

除連年虧損外，更大的問(wèn)題是天岳先進(jìn)很難滿足于華為在射頻芯片上愈發(fā)緊迫的需求。

產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，海思第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)對(duì)當(dāng)前天岳先進(jìn)的進(jìn)展并不滿意，“無(wú)論是在產(chǎn)能上，還是在技術(shù)上”。根據(jù)海思團(tuán)隊(duì)的判斷，天岳先進(jìn)可能要在2025年才能滿足于成熟技術(shù)的大批量出貨。

需要說(shuō)明的是，盡管第三代半導(dǎo)體是5G射頻芯片的最佳方案，但并不是唯一方案，比如國(guó)內(nèi)射頻芯片龍頭卓勝微就是采用第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵，去作為5G射頻芯片的原材料。

而在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域，天岳先進(jìn)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)也存在著很大的問(wèn)題。

上文中曾提到，第三代半導(dǎo)體材料在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域中的應(yīng)用主要為導(dǎo)電型碳化硅襯底，而天岳先進(jìn)的招股書(shū)顯示，2021年上半年，公司導(dǎo)電型碳化硅襯底僅為61．08萬(wàn)元，占公司整體營(yíng)收0．25％。

這也意味著天岳先進(jìn)的電動(dòng)車(chē)相關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用幾稀。天岳先進(jìn)也坦言，盡管公司與全球行業(yè)龍頭企業(yè)相比在同尺寸產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)上不存在明顯差距，但大尺寸規(guī)模量產(chǎn)的能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)際巨頭。