目標(biāo)

　　本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究簡單的NMOS源極跟隨器，有時(shí)也稱為共漏極配置。

　　材料

　　·ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

　　·無焊面包板

　　·跳線

　　·一個(gè)2.2 kΩ電阻（RL）

　　·一個(gè)小信號NMOS晶體管（M1采用增強(qiáng)模式CD4007或ZVN2110A）

　　說明

　　面包板連接如圖1和圖2所示。波形發(fā)生器W1的輸出連接至M1的柵極端子。示波器輸入1+（單端）也連接至W1輸出。漏極端子連接至正極（Vp）電源。源極端子連接至2.2 kΩ負(fù)載電阻和示波器輸入2+（單端）。負(fù)載電阻的另一端連接至負(fù)極（Vn）電源。要測量輸入-輸出誤差，可以將2+連接至M1的柵極，2–連接至源極，以顯示示波器通道2的差值。

　　圖1.源極跟隨器

　　硬件設(shè)置

　　波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波，峰峰值幅度為2 V，偏移為0。示波器通道2的單端輸入（2+）用于測量源極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測量輸入-輸出誤差時(shí)，應(yīng)連接示波器的通道2，以顯示2+和2–之間的差值。

　　圖2.源極跟隨器面包板電路

　　程序步驟

　　配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。產(chǎn)生的波形如圖3所示。

　　圖3.源極跟隨器的輸入和輸出波形

　　源極跟隨器的增益（VOUT/VIN）理想值為1，但總是略小于1。增益由以下公式1計(jì)算得出：

　　從公式可以看出，要獲得接近1的增益，我們可以增大RL或減小rs。也可以看出，rs是ID的函數(shù)，ID增大，rs會(huì)減小。此外，從電路可以看出，ID與RL相關(guān)，如果RL增大，ID會(huì)減小。在簡單的電阻負(fù)載發(fā)射極跟隨器中，這兩種效應(yīng)相互抵消。所以，要優(yōu)化跟隨器的增益，我們需要找到能在不影響另一方的情況下降低rs或增大RL的方法。需要注意的是，在MOS晶體管中，ID = Is （IG = 0）。

　　其中，K = μnCox/2，λ可以認(rèn)為是與工藝技術(shù)相關(guān)的常數(shù)。

　　從另一個(gè)角度來看，因?yàn)榫w管Vth本身的DC偏移，在預(yù)期的擺幅內(nèi)輸入和輸出之間的差值應(yīng)是恒定的。受簡單的電阻負(fù)載RL影響，漏電流ID會(huì)隨著輸出上下擺動(dòng)而升高和降低。我們知道ID是VGS的函數(shù)（平方關(guān)系）。以+1 V至-1 V的擺幅為例，最小ID = 1 V/2.2 kΩ或0.45 mA，最大ID = 6 V/2.2 kΩ或2.7 mA。因此VGS會(huì)發(fā)生明顯變化。根據(jù)這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果，我們能從一個(gè)方面改善源極跟隨器。

　　現(xiàn)在可以使用先前學(xué)子專區(qū)實(shí)驗(yàn)中的電流鏡來代替源負(fù)載電阻，以使放大器晶體管的源極電流固定不變。電流鏡能在寬電壓范圍內(nèi)獲取較為恒定的電流。晶體管中這種較為恒定的電流會(huì)導(dǎo)致VGS相當(dāng)恒定。從另一個(gè)角度來看，電流鏡中極高的輸出電阻可以有效提高RL，但rs保持為電流設(shè)定的低值。

　　加強(qiáng)源極跟隨器

　　附加材料

　　?一個(gè)3.2 kΩ電阻（將1 kΩ和2.2 kΩ電阻串聯(lián)）

　　?一個(gè)小信號NMOS晶體管（M1采用ZVN2110A）

　　?兩個(gè)小信號NMOS晶體管（M2和M3采用CD4007）

　　說明

　　面包板連接如圖4和圖5所示。

　　圖4.加強(qiáng)源極跟隨器。

　　硬件設(shè)置

　　波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波，峰峰值幅度為2 V，偏移為0。示波器通道2的單端輸入（2+）用于測量源極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測量輸入-輸出誤差時(shí)，應(yīng)連接示波器的通道2，以顯示2+和2–之間的差值。

　　圖5.加強(qiáng)源極跟隨器面包板電路

　　程序步驟

　　配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。產(chǎn)生的波形如圖6所示。

　　圖6.加強(qiáng)源極跟隨器波形

　　源極跟隨器輸出阻抗

　　目標(biāo)

　　源極跟隨器的一個(gè)重要方面是提供功率或電流增益，即從高電阻（阻抗）級驅(qū)動(dòng)低電阻（阻抗）負(fù)載。因此，測量源極跟隨器的輸出阻抗具有指導(dǎo)意義。

　　材料

　　·一個(gè)4.7 kΩ電阻

　　·一個(gè)10 kΩ電阻

　　·一個(gè)小信號NMOS晶體管（M1采用CD4007或ZVN2110A）

　　說明

　　圖7和圖8中的電路配置增加了一個(gè)電阻R2，將來自AWG1的測試信號注入M1的發(fā)射極（輸出）。輸入端（M1的基極）接地。

　　圖7.輸出阻抗測試

　　圖8.輸出阻抗測試面包板電路

　　硬件設(shè)置

　　波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波，峰峰值幅度為2 V，偏移為減去M1的VGS（約為–V）。這會(huì)將±0.1 mA （1 V/10 kΩ）電流注入M1的源極。示波器輸入2+測量源極電壓的變化。

　　程序步驟

　　繪制在源極處測得的電壓幅度。配置示波器以捕獲所測量的兩個(gè)信號的多個(gè)周期。產(chǎn)生的波形如圖9所示。

　　圖9.輸出阻抗測試波形

　　問題：

　　您能簡要描述兩種提高源極跟隨器增益（接近1）的方法嗎？

　　您可以在學(xué)子專區(qū)博客上找到問題答案。