近期，各大存儲(chǔ)原廠陸續(xù)公布最新財(cái)報(bào)，在存儲(chǔ)市場(chǎng)需求利好等因素推動(dòng)下，三星、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)等均交出了亮眼成績(jī)單。

01 存儲(chǔ)需求帶動(dòng)，原廠業(yè)績(jī)上漲

三星電子（Samsung）

10月28日，三星電子公布截至2021年9月30日的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。該季度三星營(yíng)收達(dá)到73.98萬(wàn)億韓元（約630億美元），較上年同期增長(zhǎng)10%，創(chuàng)下歷史新高。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)較上一季度增長(zhǎng)26%至15.82萬(wàn)億韓元（133.9億美元），為歷史第二高。三星表示，內(nèi)存繼續(xù)保持有利的市場(chǎng)條件，代工和顯示器業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁銷售，這些因素帶動(dòng)業(yè)績(jī)上漲。

其中，三星存儲(chǔ)部門營(yíng)收20.83萬(wàn)億韓元（178億美元），環(huán)比增長(zhǎng)17%，同比增長(zhǎng)46%。

三星透露，內(nèi)存業(yè)務(wù)方面，整體價(jià)格形勢(shì)依然有利，尤其是在服務(wù)器銷售顯著增長(zhǎng)的支持下，季度位元出貨量創(chuàng)下新紀(jì)錄。NAND方面，服務(wù)器SSD需求隨著主要服務(wù)器客戶投資的增加而恢復(fù)，數(shù)據(jù)中心對(duì)高容量產(chǎn)品的需求強(qiáng)勁，基于新CPU采用刺激的高容量趨勢(shì)。由于新機(jī)型的推出，移動(dòng)市場(chǎng)需求一直穩(wěn)固。

SK海力士（SK Hynix）

10月26日，SK海力士發(fā)布截至2021年9月30日的2021財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。該公司2021財(cái)年第三季度結(jié)合并收入為11.805萬(wàn)億韓元（100億美元），環(huán)比增長(zhǎng)14%，同比增長(zhǎng)45%。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為4.172萬(wàn)億韓元（35.3億美元），凈利潤(rùn)為3.315萬(wàn)億韓元（約28億美元）。

SK海力士自成立以來創(chuàng)下了歷史最高的季度收入，該公司表示，用于服務(wù)器和移動(dòng)應(yīng)用的存儲(chǔ)器的需求增加以及產(chǎn)品價(jià)格上漲是季度收入刷新歷史最高紀(jì)錄的主要原因。值得關(guān)注的是，SK海力士的NAND閃存事業(yè)在第三季度度終于轉(zhuǎn)虧為盈。

同時(shí)，該季SK海力士提高了1znm DRAM和128層4D NAND閃存等主流產(chǎn)品的良率，并擴(kuò)大了主流產(chǎn)品的生產(chǎn)比率。

美光科技（Micron）

9月28日，美光科技公布2021年第四季度財(cái)報(bào)。該季美光實(shí)現(xiàn)營(yíng)收82.74億美元，同比增長(zhǎng)36.6%。凈利潤(rùn)為27.2億美元，同比增長(zhǎng)175.3%。美光2021財(cái)年總營(yíng)收為277.05億美元，同比增長(zhǎng)29.3%，凈利潤(rùn)為58.61億美元，同比增長(zhǎng)118.1%，2021財(cái)年美光順利收官。

業(yè)界認(rèn)為，多重因素推動(dòng)美光科技業(yè)績(jī)上漲，包括疫情推動(dòng)遠(yuǎn)程工作和在線學(xué)習(xí)進(jìn)而提升云存儲(chǔ)需求，數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商增加容量，以適應(yīng)云服務(wù)的需求激增等。

西部數(shù)據(jù)（Western Digital）

10月28日，西部數(shù)據(jù)公布2022財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)（截至2021年10月1日）。該季西數(shù)收入約為51億美元，同比增長(zhǎng)29%。其中，F(xiàn)lash收入25億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3%，同比增長(zhǎng)20%。

按照部門劃分，該季西數(shù)云收入增長(zhǎng) 72%，客戶收入增長(zhǎng) 6%，消費(fèi)者收入同比增長(zhǎng) 10%。西數(shù)認(rèn)為，不同終端市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，尤其是云產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求等因素推動(dòng)公司業(yè)績(jī)上漲?？蛻舳朔矫?，西數(shù)閃存業(yè)務(wù)同樣實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)，特別是在移動(dòng)、游戲、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)應(yīng)用方面。

02 擴(kuò)產(chǎn)、DDR5、HBM3…原廠大動(dòng)作盤點(diǎn)

財(cái)報(bào)亮眼的背后，原廠對(duì)產(chǎn)業(yè)的積極布局也受到關(guān)注。今年各大原廠在存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)發(fā)力，帶來了諸多新產(chǎn)品、新技術(shù)，并對(duì)外公布了投資與擴(kuò)產(chǎn)新進(jìn)展。

三星電子（Samsung）

3月10日，三星宣布推出首款DRAM-less NVME 980固態(tài)硬盤，面向普通電腦用戶、游戲玩家以及內(nèi)容創(chuàng)業(yè)者。產(chǎn)品提供高達(dá)3500MB/s和3000MB/s順序讀寫速度，隨機(jī)讀寫性能達(dá)到500K和400K。

5月，三星發(fā)布了業(yè)界首款CXL（Compute Express Link，計(jì)算快速鏈接）內(nèi)存擴(kuò)展器，官方表示其能將內(nèi)存容量和帶寬擴(kuò)展至超過當(dāng)今服務(wù)器系統(tǒng)所能達(dá)到的水平，10月三星又為CXL推出了開源軟件解決方案：可擴(kuò)展內(nèi)存開發(fā)工具包（SMDK），以擴(kuò)大CXL內(nèi)存平臺(tái)的采用。

8月24日，三星在Hot Chips 33會(huì)議上展示了其在內(nèi)存內(nèi)處理（PIM）技術(shù)方面的最新進(jìn)展。三星首次成功將基于PIM的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM-PIM）整合到商用化加速器系統(tǒng)中，并擴(kuò)大PIM應(yīng)用范圍至DRAM模組和移動(dòng)內(nèi)存，從而加速實(shí)現(xiàn)內(nèi)存和邏輯的融合。三星計(jì)劃與其他行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作，在明年上半年實(shí)現(xiàn)PIM平臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)化，從而擴(kuò)展AI內(nèi)存產(chǎn)品組合。

10月12日，三星宣布量產(chǎn)14納米EUV DDR5 DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，三星將EUV層數(shù)增高至5層，實(shí)現(xiàn)了自身最高單位容量。三星介紹，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%功耗。

據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前DDR5產(chǎn)品所未有的速度：高達(dá)7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星還計(jì)劃擴(kuò)展其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。另外，三星計(jì)劃將其14納米DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好滿足快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求。

同樣在10月，三星在第五屆代工論壇（SFF）上公布芯片工藝技術(shù)路線圖，三星表示GAA（全環(huán)繞柵極晶體管工藝）已準(zhǔn)備好供客戶采用，2022年量產(chǎn)3納米，2025年預(yù)計(jì)量產(chǎn)2納米。此外，三星透露正推進(jìn)14納米工藝，以支持3.3V高電壓或閃存型嵌入式MRAM（eMRAM），從而提高寫入速度和密度。

SK海力士（SK Hynix）

今年2月1日，SK海力士宣布M16新廠竣工，該工廠于2018年11月開建，總投資3.5萬(wàn)億韓元，將主要生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品。SK海力士首次在M16配備EUV（極紫外）光刻機(jī)，該公司計(jì)劃運(yùn)用EUV光刻機(jī)，從今年下半年起生產(chǎn)第四代1a納米級(jí)DRAM產(chǎn)品。

3月8日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)業(yè)界最高容量的18GB LPDDR5 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品處理速度高達(dá)6400Mb/s，與至今搭載于智能手機(jī)的移動(dòng)端DRAM（LPDDR5，5500Mb/s）相比提升約20%。

7月12日，SK海力士宣布已開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的8Gigabit（Gb）LPDDR4移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的DRAM，穩(wěn)定支持LPDDR4移動(dòng)端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%。SK海力士還計(jì)劃從明年初開始將1a納米級(jí)工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

10月20日，SK海力士宣布開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM（第四代高寬帶內(nèi)存技術(shù)），能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，通過內(nèi)置型ECC校檢可以自身修復(fù)DRAM單元(cell)的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，因此產(chǎn)品的可靠性也大幅提高。此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。其中，24GB是業(yè)界最大的容量。

10月29日，SK海力士宣布將以5760億韓元（4.93億美元）收購(gòu)總部位于韓國(guó)的晶圓代工廠商Key Foundry。Key Foundry是韓國(guó)一家8英寸晶圓代工廠商，去年9月從MagnaChip半導(dǎo)體公司獨(dú)立出來，每月產(chǎn)能為8.2萬(wàn)片8英寸晶圓，能夠生產(chǎn)用于消費(fèi)、通訊、電腦、汽車與工業(yè)應(yīng)用的芯片。SK海力士表示，期待此次收購(gòu)將使其目前的8英寸代工產(chǎn)能翻一番。

美光科技（Micron）

今年1月27日，美光宣布批量出貨基于1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品，提供8Gb 至 16Gb 的密度，將助力美光現(xiàn)有的DDR4和LPDDR4系列產(chǎn)品延長(zhǎng)生命周期。美光今年將1α節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其DRAM產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的DRAM應(yīng)用領(lǐng)域。

6月，美光宣布批量出貨基于1α節(jié)點(diǎn)的LPDDR4x和DDR4產(chǎn)品，同時(shí)還宣布出貨搭載176層NAND的PCIe 4.0固態(tài)硬盤。

7月，美光將上述NAND技術(shù)和性能成功應(yīng)用于智能手機(jī)領(lǐng)域，宣布批量出貨全球首款基于176層NAND技術(shù)的通用閃存UFS 3.1 移動(dòng)解決方案。據(jù)悉，該產(chǎn)品為高端旗艦手機(jī)量身打造，與前代產(chǎn)品相比可實(shí)現(xiàn)高達(dá)75%的順序?qū)懭牒碗S機(jī)讀取性能提升。

10月20日，美光宣布計(jì)劃在未來十年內(nèi)投資1500億美元，用于內(nèi)存制造和研發(fā)（R&D），包括提高晶圓廠的產(chǎn)能，以滿足內(nèi)存不斷增長(zhǎng)的需求。稍早之前，美光被報(bào)道其計(jì)劃在日本廣島市新建一座DRAM芯片廠，有望在2024年投入運(yùn)營(yíng)，旨在滿足中長(zhǎng)期數(shù)據(jù)中心及其他應(yīng)用的需求。

西部數(shù)據(jù)（Western Digital）

今年2月，鎧俠與西部數(shù)據(jù)宣布兩家公司已經(jīng)開發(fā)出第六代162層3D閃存技術(shù)。與上一代相比，新的3D閃存技術(shù)降低了每比特成本，并且將每片晶圓可制造的比特?cái)?shù)提高了70%。

9月，西部數(shù)據(jù)在上海HDD Reimagine大會(huì)上宣布推出了全新閃存增強(qiáng)型磁盤架構(gòu)設(shè)計(jì)，將用于西部數(shù)據(jù)的企業(yè)級(jí)硬盤系列產(chǎn)品和存儲(chǔ)平臺(tái)中。

這一基于OptiNAND技術(shù)的全新磁盤架構(gòu)設(shè)計(jì)，整合了西部數(shù)據(jù)在HDD（硬盤驅(qū)動(dòng)器）和閃存領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，對(duì)HDD進(jìn)行了優(yōu)化，并將HDD與iNAND嵌入式閃存器件進(jìn)行了集成。

西數(shù)已向部分客戶交付采用OptiNAND技術(shù)的新款九磁碟、20TB ePMR閃存增強(qiáng)型硬盤樣品。西數(shù)透露，該架構(gòu)設(shè)計(jì)將用于西部數(shù)據(jù)的企業(yè)級(jí)硬盤系列產(chǎn)品和存儲(chǔ)平臺(tái)中。

10月，西數(shù)宣布11月開始批量出貨采用OptiNAND 技術(shù)的 20TB 硬盤。

鎧俠（KIOXIA）

2月，鎧俠與西部數(shù)據(jù)宣布已經(jīng)開發(fā)出第六代162層3D閃存技術(shù)，3月鎧俠表示開始在日本四日市廠區(qū)建設(shè)新廠房以支持第六代3D閃存生產(chǎn)。

鎧俠透露，新廠一期施工計(jì)劃于2022年春季完工。施工將分為兩個(gè)階段，旨在確保尖端閃存產(chǎn)品的持續(xù)生產(chǎn)和出貨，以滿足持續(xù)的市場(chǎng)需求。 

9月，鎧俠對(duì)外展示了基于PCIe 5.0的下一代高性能SSD解決方案，與市面主流PCIe 4.0 SSD 7 GB/s順序讀取速度相比，鎧俠演示的 PCIe 5.0 SSD，已將順序讀取翻倍到了14 GB/s 以上，順序?qū)懭胍灿?GB/s。鎧俠計(jì)劃在2021年4季度推出首款 PCIe 5.0 x4 SSD。

英特爾（Intel）

英特爾決定將NAND閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士后，該公司的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)重心便落到了傲騰身上。

今年以來英特爾發(fā)布了多款傲騰產(chǎn)品，如傲騰持久內(nèi)存200系列、傲騰固態(tài)盤SSD P5800X、NAND固態(tài)盤SSD D5-P5316、傲騰SSD P1600X等，進(jìn)一步強(qiáng)化了內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合。

除此之外，今年8月英特爾透露其下一代客戶端架構(gòu)酷睿處理器Alder Lake支持DDR5和PCIe 5.0。10月，英特爾Alder Lake正式發(fā)布，伴隨Alder Lake的問世，近期已有多家模組廠商宣布推出DDR5產(chǎn)品。

03 存儲(chǔ)市場(chǎng)后續(xù)發(fā)展，原廠怎么看？

展望第四季度與2022年，原廠在最新財(cái)報(bào)中都表達(dá)了較為樂觀的看法。

三星透露，第四季度公司將專注于滿足對(duì)內(nèi)存和系統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，即使部分客戶的組件短缺可能會(huì)影響需求。公司還將通過加強(qiáng)在高端細(xì)分市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位和陣容，在成品業(yè)務(wù)中保持穩(wěn)健的盈利能力。

展望2022年，三星在存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)方面，計(jì)劃通過量產(chǎn)14納米DRAM和第7代V-NAND以及基于行業(yè)領(lǐng)先的極紫外(EUV)技術(shù)的下一代產(chǎn)品來提高成本競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，三星還將繼續(xù)擴(kuò)大15納米DRAM和128層V-NAND的部分，積極應(yīng)對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)，并搶占安全NAND解決方案產(chǎn)品的需求。

SK海力士預(yù)測(cè)未來存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求將穩(wěn)步增長(zhǎng)，公司今后在靈活應(yīng)對(duì)市場(chǎng)環(huán)境變化的同時(shí)，專注與確保獲利性。此外，SK海力士期待年內(nèi)完成收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，最近轉(zhuǎn)虧為盈的公司NAND事業(yè)部門的競(jìng)爭(zhēng)力將更加強(qiáng)。

美光預(yù)計(jì)2022年存儲(chǔ)器需求將由不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器部署、5G手機(jī)出貨以及汽車和工業(yè)市場(chǎng)的持續(xù)強(qiáng)勁拉動(dòng)。但從短期的需求看，由于PC OEM客戶遭遇其他零部件短缺問題，影響到對(duì)存儲(chǔ)芯片的采購(gòu)；此外美光自身供應(yīng)鏈也面臨部分IC產(chǎn)品短缺，也會(huì)影響存儲(chǔ)器產(chǎn)品的出貨。

西數(shù)則預(yù)計(jì)，下一季度公司閃存業(yè)務(wù)營(yíng)收將環(huán)比上升。

04 需求成長(zhǎng)力道將小于供給，2022存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)入跌價(jià)周期？

盡管原廠對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)后續(xù)發(fā)展持樂觀的態(tài)度，但存儲(chǔ)市場(chǎng)呈現(xiàn)的供需變化態(tài)勢(shì)仍值得業(yè)界留意。

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的最新調(diào)查預(yù)測(cè)，2022年DRAM的供給位元成長(zhǎng)率約17.9%，然而由于目前買方庫(kù)存水位已偏高，加上2022年需求位元成長(zhǎng)率僅16.3%，低于供給端成長(zhǎng)速度，2022年DRAM產(chǎn)業(yè)將由供不應(yīng)求將轉(zhuǎn)至供過于求，進(jìn)入跌價(jià)周期。

NAND Flash方面，集邦咨詢預(yù)估供給位元年增長(zhǎng)率約31.8%；而需求位元年成長(zhǎng)幅度為30.8%，在需求成長(zhǎng)收斂，而在供應(yīng)商針對(duì)高層數(shù)產(chǎn)品的激烈競(jìng)爭(zhēng)下，將使2022年整體NAND Flash市場(chǎng)同樣進(jìn)入跌價(jià)周期。

存儲(chǔ)市場(chǎng)供需出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，DRAM、NAND Flash將進(jìn)入跌價(jià)周期。這一形勢(shì)下，存儲(chǔ)企業(yè)將何去何從？敬請(qǐng)關(guān)注集邦咨詢即將舉辦的“MTS2022存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)”，助您從中找到答案。