據(jù)企查查最新消息透露，湖北小米長江產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）投資了SiC產(chǎn)品初創(chuàng)公司上海瞻芯。

　　據(jù)官網(wǎng)介紹，上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司， 2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。

　　瞻芯電子齊集了海內(nèi)外一支經(jīng)驗(yàn)豐富的高素質(zhì)核心團(tuán)隊(duì)，自成立之日起便啟動6英寸SiC MOSFET的產(chǎn)品研發(fā)工作。經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及SiC MOSFET驅(qū)動芯片的公司。

　　瞻芯電子以虛擬IDM模式與國內(nèi)一線半導(dǎo)體行業(yè)的合作伙伴完成晶圓制造、芯片封裝、模塊封裝、性能測試和可靠性測試等工作環(huán)節(jié)，為中國新能源產(chǎn)業(yè)提供整套SiC功率器件及驅(qū)動芯片解決方案，同時(shí)打造我國獨(dú)立自主的碳化硅電力電子產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

　　資料同時(shí)顯示，瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅(qū)動芯片、SiC模塊為核心的功率轉(zhuǎn)換解決方案，適用于：風(fēng)能逆變、光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域。

　　2020年3月，上海瞻芯與浙江義烏簽約，將在后者建設(shè)其碳化硅功率芯片生產(chǎn)基地。據(jù)介紹，該項(xiàng)目總投資5億元，建設(shè)期約為2年，項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年銷售收入達(dá)16.8億元。

　　報(bào)道同時(shí)指出，浙江瞻芯電子科技有限公司碳化硅功率芯片和特色工藝制造項(xiàng)目計(jì)劃投資建設(shè)碳化硅功率器件生產(chǎn)研發(fā)中心，一期占地50畝，包含6英寸的碳化硅功率器件生產(chǎn)線與工藝研發(fā)平臺，預(yù)計(jì)2021年設(shè)備進(jìn)場安裝和調(diào)試，2022年投入生產(chǎn)，形成年產(chǎn)30萬片6英寸晶圓的生產(chǎn)能力。

　　需求確定且巨大，SiC未來數(shù)年CARG近50%

　　據(jù)一財(cái)投研，GaN和SiC是第三代半導(dǎo)體兩大主要材料，GaN的市場應(yīng)用偏向微波器件領(lǐng)域、高頻小電力領(lǐng)域（小于1000V）和激光器領(lǐng)域。由于GaN器件能夠提供更高的功率和帶寬，并且GaN芯片每年在功率密度和封裝方面都會取得飛躍，能比較好的適用于大規(guī)模MIMO（多入多出）技術(shù)，GaN HEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經(jīng)成為5G宏基站功率放大器的重要技術(shù)。

　　相比GaN，SiC材料熱導(dǎo)率是其三倍，并且能達(dá)到比GaN更高的崩潰電壓，因此在高溫和高壓領(lǐng)域應(yīng)用更具優(yōu)勢，適用于600V甚至1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，如新能源汽車、汽車快充充電樁、光伏和電網(wǎng)。

　　國金證券認(rèn)為，SiC和GaN當(dāng)前處于不同發(fā)展階段。對于SiC行業(yè)而言，目前整體市場規(guī)模較小，2020年全球市場規(guī)模約6億美元，但是下游需求確定且巨大。根據(jù)IHS Markit數(shù)據(jù)，受新能源汽車龐大需求的驅(qū)動以及電力設(shè)備等領(lǐng)域的帶動，預(yù)計(jì)到2027年碳化硅功率器件的市場規(guī)模將超過100億美元，2020-2027年復(fù)合增速近50%。目前制約行業(yè)發(fā)展的主要成本高昂和性能可靠性。國金證券認(rèn)為SiC行業(yè)一旦到達(dá)綜合器件成本趨近于硅基功率器件的“奇點(diǎn)時(shí)刻”，行業(yè)將迎來爆發(fā)性增長。

　　彎道超車機(jī)會大增，國內(nèi)企業(yè)SiC器件布局持續(xù)加速

　　第三代半導(dǎo)體對我國而言意義非凡，不僅在于其本身的優(yōu)異性能，其更是會對產(chǎn)業(yè)帶來全方位的帶動，有望引領(lǐng)中國半導(dǎo)體進(jìn)入黃金時(shí)代。

　　目前在SiC產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，國內(nèi)領(lǐng)先水平與國際領(lǐng)先水平仍有一定差距，但是工藝水平和發(fā)展?fàn)顩r的差距遠(yuǎn)小于硅半導(dǎo)體，是中國大陸半導(dǎo)體（尤其是功率和射頻器件）追趕的極佳突破口，而CREE公司一躍成為全球巨頭也充分證明，在這一新興賽道中，作為后來者仍有機(jī)會彎道超車。

　　目前國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)在抓緊布局SiC器件制造，據(jù)CASA不完全統(tǒng)計(jì)，2020年國內(nèi)投產(chǎn)3條6英寸SiC晶圓產(chǎn)線，截至2020年底，國內(nèi)至少已有8條6英寸SiC晶圓制造產(chǎn)線（包括中試線），另有約10條SiC生產(chǎn)線正在建設(shè)。