眾所周知，在芯片生產(chǎn)過程中，光刻機(jī)是繞不過的設(shè)備，如果從整個生產(chǎn)來看，光刻機(jī)的成本占總設(shè)備成本的30％。

最關(guān)鍵的是，當(dāng)進(jìn)入到7nm工藝后，必須要用到EUV（極紫外線）光刻機(jī)，這種光刻機(jī)只有荷蘭ASML能夠生產(chǎn)，且產(chǎn)能有限，廠商們要買到，并不容易，要排除，且ASML要優(yōu)先供應(yīng)臺積電、三星、intel這幾家股東。

所以一直以來，大家都在尋找其它辦法，比如不用EUV光刻機(jī)，能不能生產(chǎn)7nm及以下的芯片？事實上，也有廠商是這么想并打算這么干的，因為通過DUV光刻機(jī)進(jìn)行多重曝光，理論上也能達(dá)到7nm。

但這種辦法非常復(fù)雜，對技術(shù)要求非常高，同時良率低，晶圓的損耗比較大，所以如果能夠買到EUV光刻機(jī)，就不可能用這種辦法，這種辦法生產(chǎn)出來的芯片，完全沒有市場競爭力。

而近日，日本廠商搞出了另外一種辦法，那就是不采用DUV多重曝光，而是開發(fā)了一種新的NIL制程技術(shù)，這種技術(shù)不需要EUV光刻機(jī)，就可以將芯片制程推至5nm。

這家廠商就是日本的存儲大廠鎧俠Kioxia（東芝），它與日本的光學(xué)／半導(dǎo)體廠商佳能，還有光罩／半導(dǎo)體廠商大日本印刷株式會社（DNP），經(jīng)過了4年的研發(fā)，終于研發(fā)出了納米壓印微影（NIL） 的量產(chǎn)技術(shù)。

目前鎧俠已將其應(yīng)用到了15nm的NAND閃存制造上了，并表示到2025年應(yīng)該可以應(yīng)用到5nm的芯片制造上。

鎧俠表示，NIL 技術(shù)與EUV光刻技術(shù)相比，可以大幅度的減少耗能，轉(zhuǎn)化效率高，耗電量可壓低至EUV 技術(shù)的10％，同時NIL技術(shù)下的設(shè)備也便宜，與ASML的EUV光刻機(jī)相比，投資可降低至僅有EUV 設(shè)備的40％。

不過也有專業(yè)人士指出，NIL技術(shù)也許能夠推進(jìn)芯片制程至5nm，但可能更適應(yīng)于NAND這種3D堆疊的閃存芯片，不一定適用于所有的芯片。

不過合作廠商之一的佳能，則表示要努力的將NIL 量產(chǎn)技術(shù)廣泛的應(yīng)用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等邏輯芯片的設(shè)備上。

對于這個技術(shù)，不知道大家怎么看？如果真的能夠推進(jìn)至5nm，且用于除NAND之外的通用芯片，那么ASML就必將走下神壇。

甚至從一定程度而言，也是國產(chǎn)芯的好消息，你覺得？對于這樣的彎道超車的技術(shù)，真希望它能夠多一點(diǎn)，并且是中國廠商研發(fā)的就好了。