作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的系列研究內(nèi)容,本文主要從基礎(chǔ)原理以及發(fā)展歷史入手,對第一、二、三代半導(dǎo)體的變遷脈絡(luò)、原因、用途予以還原。同時就市場對三代半導(dǎo)體可能存在的一些誤解進(jìn)行糾偏,并就相關(guān)上市公司龍頭進(jìn)行簡單介紹。

具體框架及內(nèi)容如下:

目錄:

(一)半導(dǎo)體、晶體管與芯片

(二)第一、二、三代半導(dǎo)體的變遷

(三)市場誤解:二代半導(dǎo)體替代一代,三代半導(dǎo)體替代二代?

(四)我國第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機遇與龍頭公司

01

半導(dǎo)體、晶體管與芯片

千里之行,始于足下。首先我們來了解下常說的半導(dǎo)體、集成電路、芯片、集成電路到底是什么。

1833年,被譽為“電學(xué)之父”的英國物理學(xué)家法拉第,在實驗中發(fā)現(xiàn)硫化銀這種材料的電阻隨著溫度上升而降低,即高溫更有助于導(dǎo)電,這是半導(dǎo)體特性的首次發(fā)現(xiàn)。此后的五十年里,光生伏特效應(yīng)、整流效應(yīng)、光電導(dǎo)效應(yīng)也先后被歐洲科學(xué)家發(fā)現(xiàn),這就是半導(dǎo)體的四大特性。

具有戲劇性的是,半導(dǎo)體這個名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用,意指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。

到了今天,半導(dǎo)體發(fā)展已經(jīng)相對完善,用途主要有集成電路、光電器件、分立器件、傳感器四個方面。

其中,集成電路包括微處理器、存儲器、邏輯器件、模擬器件等種類,共計占半導(dǎo)體器件80% 以上的份額,因此通常將半導(dǎo)體和集成電路等價。而一種類型集成電路或多種類型集成電路形成的產(chǎn)品,我們將其稱作芯片。

所以,半導(dǎo)體、集成電路、芯片三者的關(guān)系,可總結(jié)為半導(dǎo)體>集成電路≈芯片,或簡單看作半導(dǎo)體≈集成電路=芯片。

而另一個常聽到的名詞,晶體管,泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。因此,它在半導(dǎo)體與芯片之間起到橋梁搭建的關(guān)鍵作用,由半導(dǎo)體材料制造出了晶體管,由晶體管組成了芯片。

這種作用源于一個樸素的真理。因為晶體管具備通過電信號來控制自身開合的能力,這與邏輯的基本構(gòu)成元素是邏輯0和邏輯1不謀而合,即晶體管可用開關(guān)的斷開和閉合來代表邏輯0和1,最終實現(xiàn)繁雜廣袤的運算和功能,不禁讓人嘖嘖稱奇。

除了自身硬核邏輯外,在現(xiàn)代科技史里,半導(dǎo)體、晶體管、集成電路、芯片的發(fā)展也有著莫名的趣味和緣分。

1947年,前文所說的半導(dǎo)體四大特性由美國貝爾實驗室總結(jié)完成;同年,貝爾實驗室也研制出一種點接觸型的鍺晶體管,實驗室三名人員肖克利、巴丁、布拉頓因此在1956年同時獲得諾貝爾物理學(xué)獎,其中,肖克利更被譽為“晶體管之父”。

取得此等成就的肖克利,已經(jīng)不滿足于在貝爾實驗室沉寂,且半導(dǎo)體帶來的巨大商業(yè)變革,他看在眼里,急在心里。

因而,1955年,肖克利回到了自己的家鄉(xiāng)圣塔克拉拉谷,創(chuàng)辦了屬于自己的半導(dǎo)體公司。這條位于舊金山灣區(qū)、坐擁地中海溫潤氣候、交通便利的狹長山谷即是后來名聲赫赫的“硅谷”。

肖克利帶來了硅谷的開始,卻沒能走完它風(fēng)光的全部。

在股票投資和生活中,不難發(fā)現(xiàn),聰明的人不一定是能辦好企業(yè)的管理人,因為過于聰明往往會忽略分享的重要性。肖克利就是這樣一個獨掌大權(quán),搞一言堂的一把手,難以得到眾人的支持,終于暗自沒落。

僅僅過了兩年,當(dāng)初追隨他的優(yōu)秀年輕人就有八位憤然離職,并稱“硅谷八叛將”,在謝爾曼·菲爾柴爾德的投資下他們成立了傳奇的仙童半導(dǎo)體公司。仙童發(fā)展神速,發(fā)明了半導(dǎo)體平面工藝和硅集成電路,盈利能力大幅展現(xiàn),仙童后來也成為眾多半導(dǎo)體巨頭誕生的“黃埔軍校”。

1968年,硅谷八叛將之首的諾依斯和“摩爾定律”的提出者摩爾離開仙童,創(chuàng)辦了更為風(fēng)光、鼎鼎大名的英特爾。所謂摩爾定律,就是摩爾提出,集成電路芯片上所集成的晶體管數(shù)目,每隔18個月就翻一倍。

此后,半導(dǎo)體的時代大幕正式拉開,為人熟知的英特爾、TI、三星、高通、英偉達(dá)等大佬各領(lǐng)風(fēng)騷,國內(nèi)的紫光、海思、中芯也開始嶄露頭角。

02

第一、二、三代半導(dǎo)體的變遷

在市場中,第三代半導(dǎo)體已經(jīng)成為投資者關(guān)注的焦點之一,本文希望從戰(zhàn)略發(fā)展的主線看問題,因此這一部分將梳理半導(dǎo)體材料的三個發(fā)展階段,以求有一個更清晰的脈絡(luò)認(rèn)知。

【1】第一代半導(dǎo)體

第一代半導(dǎo)體是“元素半導(dǎo)體”,鍺(Ge)和硅(Si)是兩個代表性材料。

在20世紀(jì)50年代,鍺基半導(dǎo)體器件占據(jù)主導(dǎo)地位,主要應(yīng)用于低壓、低頻、中功率晶體管以及光電探測器中,到了60年代,硅基半導(dǎo)體因為相對優(yōu)良的耐高溫、抗輻射性能、低廉的價格和龐大的儲量,逐步取代鍺基,成為主流,延續(xù)至今。目前,全球95%以上的半導(dǎo)體芯片和器件是用硅片作為基礎(chǔ)功能材料而生產(chǎn)出來的,技術(shù)十分成熟,市場規(guī)模高達(dá)4000多億美元。

而在半導(dǎo)體材料市場,硅片也占到35%左右,市場空間約為80億美元。硅片領(lǐng)域日本非常強大,我國的6英寸硅片國產(chǎn)化率約為50%,8英寸硅片國產(chǎn)化率僅為10%,12英寸硅片則幾乎完全依賴于進(jìn)口,還有很大國產(chǎn)替代前景。

總之,以硅為核心的第一代半導(dǎo)體材料,直接促進(jìn)了以芯片為主的微電子產(chǎn)業(yè)飛升,在手機、電腦、消費電子、通信、航空航天、國防軍工、光伏等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

雖然第一代半導(dǎo)體可以制做復(fù)雜的功耗較低的邏輯芯片,但受限于硅的自身性能,硅基半導(dǎo)體難以在高溫、高頻、高壓等環(huán)境中使用,并且其禁帶寬度、電子遷移率較低,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化過程中遇到瓶頸,由此催生了化合物半導(dǎo)體,即第二代、第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。

【2】第二代半導(dǎo)體

進(jìn)入20世紀(jì)90年代后,如上文所說,高頻傳輸和光學(xué)領(lǐng)域的場景對半導(dǎo)體材料的禁帶寬度、電子遷移率要求提高,以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料開始嶄露頭腳,其中GaAs技術(shù)最為成熟,應(yīng)用最廣。

GaAs、InP可以制造高速、高頻、大功率的超高速集成電路、高性能微波、毫米波器件、激光器和發(fā)光電子器件,開拓了光纖及移動通信的新產(chǎn)業(yè),廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光纖通信、無線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星定位、國防軍工、航空航天等領(lǐng)域。

在5G時代和物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展下,GaAs的產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模已達(dá)數(shù)百億美元,但全球GaAs半導(dǎo)體制造商市場份額最大的五家企業(yè)為Skyworks、triquint、RFMD、Avago、穏懋,共約占全球總額的65%,大陸企業(yè)仍不具備足夠的競爭力。

【3】第三代半導(dǎo)體

來到21世紀(jì),現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率電子器件的需求陡增,這對半導(dǎo)體材料的禁帶寬度、擊穿電場強度、電子飽和速率、熱導(dǎo)率等關(guān)鍵參數(shù)提出了更加嚴(yán)苛的要求。在此情況下,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出,即我們常說的第三代半導(dǎo)體。

如我所做上表,所謂的寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度大于或等于2．3電子伏特的半導(dǎo)體材料。此類半導(dǎo)體還具有高擊穿電場強度、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢,在功率半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏風(fēng)電、半導(dǎo)體照明、5G基站、特高壓、光電子等領(lǐng)域有不可替代優(yōu)勢,為世界電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了新動力。

SiC和GaN作為兩個最核心的第三代半導(dǎo)體材料,也有著自己獨特的優(yōu)越性和應(yīng)用前景。

首先看SiC,這是目前綜合性能最好、商品化程度較高、技術(shù)最為成熟的第三代半導(dǎo)體材料。SiC單晶材料可分為導(dǎo)電型襯底和半絕緣襯底兩種,在導(dǎo)電型SiC襯底上生長SiC外延層制得的SiC外延片,可進(jìn)一步制成功率器件,并應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型SiC襯底上生長GaN外延層制得的SiC基GaN外延片,可進(jìn)一步制成微波射頻器件,應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)軍工等領(lǐng)域。

SiC材料制成的器件還有減少能源損耗、提高能源轉(zhuǎn)換效率的突出優(yōu)點。

例如,應(yīng)用在新能源汽車領(lǐng)域,可降低能耗20%;應(yīng)用在光伏領(lǐng)域,可降低光電轉(zhuǎn)換損失25%以上;應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,可提高效率20%;應(yīng)用在超高壓直流輸送電和智能電網(wǎng)領(lǐng)域,可使電力損失降低60%,同時供電效率提高40%以上;

應(yīng)用在家電領(lǐng)域,可節(jié)能50%;應(yīng)用在高鐵領(lǐng)域,可節(jié)能20%以上,并減小電力系統(tǒng)體積;應(yīng)用在工業(yè)電機領(lǐng)域,可節(jié)能30%-50%;應(yīng)用在通信領(lǐng)域,可顯著提高信號的傳輸效率和傳輸安全及穩(wěn)定性;應(yīng)用航空航天領(lǐng)域,可使設(shè)備的損耗減小30%-50%,工作頻率提高3倍,電感電容體積縮小3倍,散熱器重量大幅降低。

其中,新能源汽車是SiC增長最快、空間最大的應(yīng)用場景。特斯拉在Model 3中使用SiC逆變器能夠提升5-10%的續(xù)航,節(jié)省400-800美元的電池成本,與新增200美元的SiC器件成本抵消后,能夠?qū)崿F(xiàn)至少200美元的單車成本下降,目前全球已有超過20家汽車廠商開始采用SiC器件。

未來,在以新能源汽車為第一驅(qū)動力的多行業(yè)推動下,據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)計,SiC功率器件市場規(guī)模將從2018年的4億美金增加到2024年的50億美金,復(fù)合增速約51%。SiC襯底材料市場規(guī)模將從2018年的1．21億美金增長到2024年的11億美金,復(fù)合增速達(dá)44%。

SiC的市場格局是美國、歐洲、日本三足鼎立,我國廠商與國際龍頭CREE、Dow Dcorning、Nippon等公司還存在較大差距,道阻且長。

再看GaN,在GaN單晶襯底上生長的GaN稱為同質(zhì)外延片,但有熔點高、襯底制作難、位錯缺陷密度較高導(dǎo)致良率低等缺點,因而制造成本高、技術(shù)進(jìn)展慢、應(yīng)用領(lǐng)域窄。另一種為異質(zhì)外延片,指GaN生長在其他襯底材料上,主要包括用于制作功率器件和小功率射頻器件的硅基GaN、用于制作大功率LED、功率器件和大功率射頻芯片的碳化硅基GaN。

可見,GaN器件在通信射頻和光電行業(yè)前景卓越。

通信這方面,GaN器件可以在1-110GHz范圍的高頻波段應(yīng)用,這覆蓋了移動通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點到點和點到多點微波通信、雷達(dá)應(yīng)用等波段,適合軍事通訊、電子干擾、通信基站、射頻與功率器件等領(lǐng)域;

光電方面,GaN是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系,適合電力電子、LED照明、激光等領(lǐng)域,與普通人最相關(guān)的莫過于GaN快充頭,相同的體積可實現(xiàn)數(shù)倍功率的對電腦、手機充電。

與SiC一樣,第三代半導(dǎo)體GaN下游需求旺盛,身處產(chǎn)業(yè)爆發(fā)時期,據(jù)Yole測算,從2018到2024年,GaN功率器件市場規(guī)模將從約900萬美金飛升到3．5億美金,年復(fù)合增速85%,GaN射頻器件市場規(guī)模將從約6億美金增加到約20億美金,年復(fù)合增速21%。

03

市場誤解:二代半導(dǎo)體替代一代,三代半導(dǎo)體替代二代?

通過上面的變遷史和場景探究,能夠發(fā)現(xiàn)各代半導(dǎo)體各自不同的材料特性決定了它們的差異化應(yīng)用場景,新一代半導(dǎo)體往往隨著市場新增需求崛起,前一代被后一代替代的領(lǐng)域并不多。

所以,第一、二、三代半導(dǎo)體是其實是技術(shù)互補,而非線性替代關(guān)系。且應(yīng)用場景的變化才是半導(dǎo)體發(fā)展的核心推動力,而非技術(shù)創(chuàng)新。

以Si為核心的第一代元素半導(dǎo)體,優(yōu)勢是儲量大、價格便宜、功耗也低,適合制造龐大規(guī)模的集成電路,低壓、低頻、中功率的晶體管,應(yīng)用場景主要有手機、電腦、消費電子、通信、航空航天、國防軍工、光伏等領(lǐng)域。

第一代半導(dǎo)體材料的發(fā)展已經(jīng)十分成熟。硅片占據(jù)著全球95%以上的半導(dǎo)體器件市場和99%以上的集成電路市場,DRAM等存儲芯片、CPU、GPU等邏輯芯片未來依然是Si的天下,存量極大,增速穩(wěn)定,而且產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)用慣了硅器件,存在路徑依賴的問題,所以Si在可預(yù)見的時間內(nèi)都難以撼動。

以GaAs為核心的第二代化合物半導(dǎo)體,優(yōu)勢是禁帶寬度、電子遷移率較高,光電性能好,適合制造高速、高頻、大功率的超高速集成電路、高性能微波、毫米波器件、激光器和發(fā)光電子器件,應(yīng)用場景主要有衛(wèi)星通訊、移動通訊、光纖通信、無線區(qū)域網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星定位、國防軍工、航空航天等領(lǐng)域。

第二代半導(dǎo)體材料處于蓬勃發(fā)展期,行業(yè)中速發(fā)展,但GaAs、InP比較稀缺,價格昂貴且略帶毒性,因此天花板不高。

以SiC、GaN為核心的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,優(yōu)勢是具有高擊穿電場強度、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率,適合制造高頻、高溫、高壓的大功率器件,應(yīng)用場景主要有功率半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏風(fēng)電、半導(dǎo)體照明、5G基站、充電樁、特高壓、光電子等領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體材料還在起步期,潛力巨大,增速極高。但仍有不如意的地方。一方面,增量空間大,但存量空間小,2020年SiC和GaN器件僅占整個功率半導(dǎo)體器件市場的4．2%-4．5%,廠商的銷售渠道需要多探索,存在一定不確定性;

另一方面,第三代半導(dǎo)體的成本很高,SiC器件價格達(dá)到IGBT的3-5倍,很多行業(yè)不像應(yīng)用于新能源汽車的效果這么好,價格敏感性也更強,所以還需等待第三代半導(dǎo)體的成本降低,以解鎖更多消費場景。

04

我國第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機遇與龍頭公司

蒸蒸日上的第三代半導(dǎo)體很顯然會吸引國際巨頭的布局和全球資本的關(guān)注。

2016年,英飛凌欲以8．5億美元收購CREE旗下專注SiC功率器件及射頻功率解決方案的Wolfspeed而被美國政府干預(yù)不得;

2018年,英飛凌出手收購德國廠商Siltectra,彌補自身晶體切割工藝,12月,英飛凌又與全球SiC材料龍頭CREE簽署長期協(xié)議,保證自身光伏逆變器和新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品供應(yīng);前不久,英飛凌表示有望在3-5年后把SiC、GaN器件成本降到跟硅基器件相仿的程度。

2019年,在全球碳化硅產(chǎn)能受限的環(huán)境下,意法半導(dǎo)體不僅與CREE簽署價值2．5億美金的長單協(xié)議,還收購了瑞典SiC晶圓廠商Norstel AB,保證自身晶圓供給量,滿足汽車和工業(yè)客戶未來幾年增長的MOSFET和二極管需求;今年7月,意法半導(dǎo)體宣布制造出業(yè)界首批8英寸SiC晶圓,合格芯片產(chǎn)量達(dá)到6英寸晶圓的近兩倍。

2019年5月,美國CREE公司在SiC市場需求持續(xù)高速增長的情況下,宣布5年內(nèi)將投資10億美元在紐約建造自動化生產(chǎn)工廠,以此擴大SiC產(chǎn)能,其中4．5億美元用于8英寸量產(chǎn),到2024年全部完工時將帶來SiC材料的30倍產(chǎn)能增長。

國內(nèi)的第三代半導(dǎo)體發(fā)展與美歐日存在相當(dāng)明顯的差距,6英寸技術(shù)也才起步未能量產(chǎn),8英寸則是毫無頭緒,80%的產(chǎn)品都依賴進(jìn)口,高端人才更是受到多重束縛,流失嚴(yán)重。

卡脖子的關(guān)鍵技術(shù)落伍,產(chǎn)業(yè)鏈不成氣候,情況不容樂觀。因此,國家推出一系列政策、規(guī)劃幫助國內(nèi)第三代半導(dǎo)體進(jìn)步。

2014年,工信部發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》,設(shè)立國家產(chǎn)業(yè)投資基金,重點支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進(jìn)工業(yè)轉(zhuǎn)型升級;

2015年,國務(wù)院發(fā)布的《中國制造2025》中,提出將集成電路及專用設(shè)備作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”納入大力推動突破發(fā)展的重點領(lǐng)域;

2016年,國務(wù)院推出了《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃的通知》,首次提到要加快第三代半導(dǎo)體芯片技術(shù)與器件的研發(fā);

2017年,科技部和交通運輸部發(fā)布《“十三五”交通領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》,提出開展IGBT、碳化硅、氮化鎵等電力電子器件技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)品開發(fā);

2019年,國務(wù)院在《長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》中明確要求加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),推動制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,財政部及稅務(wù)總局印發(fā)的《關(guān)于集成電路設(shè)計和軟件產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅政策的公告》中,也針對集成電路設(shè)計企業(yè)和軟件企業(yè)給予所得稅減免;

2020年,再次推出《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》,對于國家鼓勵的集成電路設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)和軟件企業(yè),自獲利年度起,第一年至第二年免征企業(yè)所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅;

2021年,國家開展“強基計劃”,將“集成電路”設(shè)為一級學(xué)科,加大對集成電路基礎(chǔ)人才的培養(yǎng),各地也出臺人才扶持政策,設(shè)立專項激勵政策與引導(dǎo),加強對海外高端人才的吸引與保留。

因此,高確定性、高速度發(fā)展的第三代半導(dǎo)體,又搭上國產(chǎn)替代和國家支持的快車,國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)龍頭公司迎來難得的機遇。

1、三安光電

在LED芯片產(chǎn)銷規(guī)模龍頭地位穩(wěn)固基礎(chǔ)上,三安光電旗下子公司三安集成承接化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù),布局GaAs、SiC、GaN、光通訊和濾波器五大板塊,主要應(yīng)用在新能源汽車、光伏、儲能、服務(wù)器電源、礦機電源等領(lǐng)域,目前已成為國內(nèi)稀缺的在第三代半導(dǎo)體方面全產(chǎn)業(yè)鏈布局的領(lǐng)軍龍頭。

2、比亞迪

比亞迪投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC,目前己成功研發(fā)SiC MOSFET,旗下子公司比亞迪半導(dǎo)體是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn)SiC三相全橋模塊在新能源汽車電機驅(qū)動控制器中大批量裝車的功率半導(dǎo)體企業(yè)。預(yù)計到2023年,比亞迪將在旗下的電動車中,實現(xiàn)SiC基車用功率半導(dǎo)體對硅基的全面替代。

3、斯達(dá)半導(dǎo)

國內(nèi)車規(guī)級IGBT行業(yè)龍頭,擬自建晶圓產(chǎn)線用于生產(chǎn)高壓IGBT芯片及SiC芯片,項目達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力,SiC模塊產(chǎn)品已用于宇通新能源客車的核心電控系統(tǒng)之中。

4、華潤微

華潤集團(tuán)旗下的高科技企業(yè)、國內(nèi)功率IDM龍頭、中國本土最大的MOSFET廠商。SiC和GaN研產(chǎn)順利,SiC二極管已實現(xiàn)小批量供貨,SiC-MOSFET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)入尾聲,其產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備工作正有序推進(jìn),GaN 6寸和8寸產(chǎn)品同步研發(fā)中。

5、新潔能

國內(nèi)MOSFET領(lǐng)先企業(yè),自建IGBT封測產(chǎn)線,產(chǎn)品已切入寧德時代、中興通訊、飛利浦等眾多國內(nèi)外龍頭廠商供應(yīng)鏈,是國內(nèi)少數(shù)掌握高端功率器件核心技術(shù)的廠商之一。未來致力于打造第三代半導(dǎo)體功率器件平臺。

6、露笑科技

公司依托藍(lán)寶石業(yè)務(wù)積累,研發(fā)SiC長晶設(shè)備,專注于導(dǎo)電型SiC襯底片和外延片的生產(chǎn)和銷售,目前項目進(jìn)展順利。

7、晶盛機電

晶盛機電是半導(dǎo)體材料裝備和LED襯底材料制造的領(lǐng)先企業(yè),圍繞Si、SiC、藍(lán)寶石開發(fā)出一系列關(guān)鍵設(shè)備,并由設(shè)備端切入半導(dǎo)體材料,公司的SiC長晶爐已成功生產(chǎn)出6英寸SiC晶體,同時8英寸SiC晶體生產(chǎn)已在研發(fā)中。