2021年8月10日，美國新澤西州普林斯頓 --- 全球領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布 ，已推出FET-Jet Calculator ^TM  的升級版，這個新版本 （第二版） 顯著簡化了 SiC FET 和肖特基二極管的選擇過程以及所有功率相關結果的分析。該簡單易用、免注冊的在線工具于 3 月首次推出，極大地方便了設計人員在不同電源應用和 26 種獨特的拓撲結構中進行選擇和性能比較。憑借更多可用的拓撲架構，F(xiàn)ET-Jet CalculatorTM現(xiàn)在可支持更廣泛的功率應用，無論是首次使用 SiC器件的工程師，還是正在為自己的設計尋求最適合和最佳 SiC 器件的經(jīng)驗豐富設計師，都可以方便使用UnitedSiC FET器件。

　　新版本FET-Jet CalculatorTM能夠幫助工程師在 AC/DC、DC/DC 和 DC/DCiso 電源設計中確定最佳 UnitedSiC 器件，同時添加了代表損耗和效率數(shù)據(jù)的即時條形圖示結果，還能夠顯示最佳柵極驅(qū)動器和緩沖器建議。最后，一旦確定了首選SiC解決方案，所有輸入/輸出設計信息都能夠以 pdf 格式輕松下載。

　　新版FET-Jet CalculatorTM與第一版類似，用戶可選擇應用功能和拓撲架構，輸入設計參數(shù)詳細信息，之后該工具會自動計算開關電流、效率和損耗，并可按傳導、導通和關斷分類。UnitedSiC的所有 FET和肖特基二極管都可以從可分類表中選擇，其中包括最新的第 4 代 750V器件。如果選擇不合適，該工具還會發(fā)出警告，讓工程師能夠快速找到理想的設計解決方案。

　　UnitedSiC 工程副總裁 Anup Bhalla 介紹說：“FET-Jet CalculatorTM 的目標一直是幫助用戶盡可能輕松地選擇正確的功率拓撲架構和正確的器件。通過這次更新，我們將能夠繼續(xù)消除業(yè)界轉(zhuǎn)向 SiC器件的障礙。新版本有一個直觀的用戶界面，能夠簡單即時地顯示最重要的性能數(shù)據(jù)，這樣可以通過快速忽略不合適的器件來加快研發(fā)速度?！?/p>