據(jù)悉中國今年就能投產完全自主研發(fā)的28nm工藝,而到了明年將投產完全自主研發(fā)的14nmFinFET工藝,先進工藝的投產或將有助于幫助華為解決芯片制造問題。

其實中國兩大芯片制造企業(yè)中芯國際和上海華虹都已投產14nmFinFET工藝,不過此前它們還需要依賴美國供應的一些技術,正是受制于這些美國的技術,它們無法為華為代工生產海思麒麟芯片。

如今業(yè)界人士指出中國成功研發(fā)完全自主研發(fā)的28nm工藝,這意味著在短短一年多時間里,中國在自主工藝研發(fā)方面已取得了重大進展,依靠已有的技術,明年實現(xiàn)14nmFinFET工藝自主化倒也是有可能的。

事實上不僅中國在推進芯片制造工藝的自主化,擺脫對外部的依賴,全球兩大技術最先進的芯片代工廠也在積極推動自主化。三星由于與日本的材料供應商存在的糾紛而推動光刻膠自主研發(fā),提高自主技術在芯片制造工藝的比例。

臺積電在過去數(shù)年也一直在提高自主研發(fā)技術的占比,降低美國技術的占比,2019年臺積電硬氣地表示可以7nmEUV為華為代工生產麒麟990芯片,原因就是來自美國的技術占比低至10%以內,不過2020年美國再度修改要求,強調只要采用了美國技術就不能為華為代工生產芯片,臺積電才無法代工生產麒麟系列芯片。

面對美國的做法,眾多芯片代工廠自然努力推進自主技術研發(fā),而中國的芯片代工廠更是承擔著發(fā)展過程自主芯片的使命,它們積極推進自主技術研發(fā),到如今終于實現(xiàn)了28nm工藝的完全自主化,并提出到明年實現(xiàn)14nm工藝的完全自主化。

中國芯片制造廠能實現(xiàn)芯片制造技術的自主化,還與中國大陸的芯片制造產業(yè)鏈的努力分不開,這幾年中國認識到了芯片制造的重要性之后開始推動整條產業(yè)鏈的自主化,應該也是產業(yè)鏈的自主化取得了進展,幫助芯片生產企業(yè)實現(xiàn)了技術的完全自主化。

雖然國內芯片企業(yè)明年投產完全自主化的14nmFinFET與全球先進技術水平還有較大差距,臺積電和三星預計明年投產3nm工藝,但是這對于中國芯片產業(yè)已具有重大的意義。畢竟中國是全球最大的制造國,對芯片需求極大,除了部分先進技術產業(yè)需要最先進的工藝制程,其他產業(yè)大多只需要采用成熟的技術制程。

對于華為來說,它同樣可以成熟的工藝技術生產出符合市場需求的產品,例如華為的電視芯片、汽車芯片系列,汽車芯片如今甚至主流工藝還是28nm,華為已積極進軍汽車芯片行業(yè),如此華為今年可以28nm工藝生產汽車芯片,而到明年則以14nmFinFET工藝生產汽車芯片。

華為此前表示,即使暫時找不到芯片代工廠生產芯片也不會停止芯片研發(fā),如今隨著自主化的國產芯片制造工藝的投產,它或許正迎來轉機,麒麟系列芯片將再度現(xiàn)身,參與全球芯片市場的競爭。