國(guó)內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈來了！

近期，第三代半導(dǎo)體概念備受資本市場(chǎng)關(guān)注，從上游芯片到設(shè)備，電子行業(yè)上市公司紛紛布局第三代半導(dǎo)體。6月23日上午，LED芯片龍頭三安光電宣布總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項(xiàng)目正式點(diǎn)亮投產(chǎn)，該產(chǎn)線可月產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅晶圓。

資料顯示，湖南三安半導(dǎo)體基地位于長(zhǎng)沙高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，規(guī)劃用地面積約1000畝。從2020年7月破土動(dòng)工至今歷時(shí)不到一年，一座從碳化硅晶體生長(zhǎng)到功率器件封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化生產(chǎn)基地即落成投產(chǎn)，這是國(guó)內(nèi)LED芯片龍頭三安光電向第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域擴(kuò)張的重要一步。

三安光電股份有限公司副董事長(zhǎng)、總經(jīng)理林科闖在點(diǎn)亮儀式上表示，湖南三安半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長(zhǎng)、晶圓制造及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)，打造了國(guó)內(nèi)第一條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，能為客戶提供高品質(zhì)準(zhǔn)時(shí)交付產(chǎn)品的同時(shí)，兼具大規(guī)模生產(chǎn)的成本優(yōu)勢(shì)。

據(jù)悉，湖南三安半導(dǎo)體基地全部建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年銷售額120億元，年貢獻(xiàn)稅收17億元，將促進(jìn)第三代半導(dǎo)體行業(yè)加快發(fā)展，帶動(dòng)周邊配套產(chǎn)業(yè)近萬個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

據(jù)OFweek電子工程網(wǎng)了解，三安光電主要從事化合物半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)與應(yīng)用，以砷化物、氮化物、磷化物及碳化硅等化合物半導(dǎo)體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業(yè)，主要使用材料及相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域如下：

（源自公司公告）

三安光電主要從事化合物半導(dǎo)體所涉及的部分核心原材料、外延片生長(zhǎng)和芯片制造，是產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，也是附加值高的環(huán)節(jié)，屬于技術(shù)、資本密集型的產(chǎn)業(yè)。

（資料源自公司公告）

2020年整體經(jīng)營(yíng)情況偏弱

報(bào)告期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入84．54億元，同比增長(zhǎng)13．32％；歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)為10．16億元，同比下降21．73％；歸屬于上市公司股東的凈資產(chǎn)為296．72億元，同比增長(zhǎng)36．45％。

根據(jù)公告內(nèi)容顯示，報(bào)告期內(nèi)公司主要資產(chǎn)發(fā)生重大變化情況原因是泉州三安項(xiàng)目按照規(guī)劃有序推進(jìn)，產(chǎn)能正在逐步釋放；湖南三安和湖北三安項(xiàng)目部分基礎(chǔ)建設(shè)已經(jīng)完成，設(shè)備也陸續(xù)到廠，即將進(jìn)入安裝調(diào)試階段；三安集成的砷化鎵射頻、濾波器、電力電子和光技術(shù)業(yè)務(wù)開展順利，產(chǎn)能正在擴(kuò)充。

另一方面，報(bào)告期內(nèi)，公司營(yíng)業(yè)收入本期數(shù)較上年同期數(shù)增加9．94億元，同比增長(zhǎng)13．32％；營(yíng)業(yè)成本本期數(shù)較上年同期數(shù)增加11．16億元，同比增長(zhǎng)21．19％。一方面三安集成收入大幅增長(zhǎng)，成本相應(yīng)增加；另一方面公司LED產(chǎn)品單價(jià)相較于上年同期下降幅度大，但由于銷售量增加，成本相應(yīng)增加。

（資料源自公司公告）

總體來看，三安光電2020年整體經(jīng)營(yíng)情況偏弱，原因是上半年公司積極復(fù)工復(fù)產(chǎn)，市場(chǎng)需求平淡，至年底需求才開始逐步回暖。三安光電積極降低LED生產(chǎn)端制造成本，由于部分原輔材料價(jià)格大幅上漲，而產(chǎn)品價(jià)格同比降價(jià)幅度偏大，致全年銷售數(shù)量增加而整體經(jīng)營(yíng)情況偏弱。

具體業(yè)務(wù)方面，三安集成涉及的射頻、電力電子、光通訊、濾波器業(yè)務(wù)取得重大突破，產(chǎn)能逐季爬坡， 全年實(shí)現(xiàn)銷售收入9．74億元，同比增長(zhǎng)304．83％；砷化鎵射頻產(chǎn)品出貨以2G－5G手機(jī)、WIFI為主，客 戶累計(jì)近100 家，客戶地區(qū)涵蓋國(guó)內(nèi)外，并成功成為國(guó)內(nèi)知名射頻設(shè)計(jì)公司的主力供應(yīng)商；濾波器產(chǎn)品開發(fā)性能優(yōu)越，在上半年實(shí)現(xiàn)小批量出貨基礎(chǔ)上，透過模塊客戶實(shí)現(xiàn)在通訊上的應(yīng)用，得到市場(chǎng)認(rèn)可并不斷提升出貨量，第四季度實(shí)現(xiàn)雙工器出貨突破1000萬顆；電力電子產(chǎn)品主要為高功率密度碳化硅功率二極管、MOSFET及硅基氮化鎵功率器件，碳化硅二極管開拓客戶182家，送樣客戶92家，轉(zhuǎn)量產(chǎn)客戶35家，超過30種產(chǎn)品已進(jìn)入批量量產(chǎn)階段。二極管產(chǎn)品已有2款產(chǎn)品通過車載認(rèn)證，送樣客戶4家，目前封裝測(cè)試中；在硅基氮化鎵功率器件方面，完成約40家客戶工程送樣及系統(tǒng)驗(yàn)證，已拿到12家客戶設(shè)計(jì)方案，4 家進(jìn)入量產(chǎn)階段。

針對(duì)近期行業(yè)缺貨漲價(jià)行情，三安光電一直積極降低LED芯片產(chǎn)品庫(kù)存水位，2020年底存貨金額41．62億元比去年同期增加10．21億元，但環(huán)比三季度存貨42．23億元減少0．61億元，降低LED庫(kù)存商品絕對(duì)金額仍是公司2021年的重要任務(wù)之一。目前，行業(yè)集中度在提高，市場(chǎng)需求回暖，幾款 LED中低端照明芯片供不應(yīng)求，部分低端產(chǎn)品價(jià)格從2021年3月已開始上調(diào)，預(yù)計(jì)價(jià)格還將會(huì)繼續(xù)上行，LED芯片庫(kù)存商品下降趨勢(shì)已現(xiàn)。

第三代半導(dǎo)體倍受資本青睞

不止是三安光電大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，國(guó)內(nèi)資本市場(chǎng)同樣看好該領(lǐng)域前景。自5月以來，Wind第三代半導(dǎo)體概念指數(shù)強(qiáng)勢(shì)崛起，累計(jì)漲幅近60％，創(chuàng)下歷史新高。值得注意的是，6月17日中午，外媒一則關(guān)于“中國(guó)制定了‘第三代半導(dǎo)體’發(fā)展推進(jìn)計(jì)劃，并為該計(jì)劃準(zhǔn)備了約1萬億美元的資金”的報(bào)道掀起A股半導(dǎo)體股大漲狂潮，半導(dǎo)體行業(yè)指數(shù)中46只成分股全部飄紅，38只成分股漲幅超過5％。

相關(guān)人士表示，這個(gè)事情的背景其實(shí)是5月14日在北京召開的一次會(huì)議。根據(jù)“工信頭條”公眾號(hào)的信息，這次會(huì)議上，科技部就“十四五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃編制工作做了匯報(bào)，領(lǐng)導(dǎo)小組成員單位及有關(guān)部門負(fù)責(zé)同志進(jìn)行了討論。此次會(huì)議還專題討論了面向后摩爾時(shí)代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。但并沒有明確提到第三代半導(dǎo)體，看起來更是斷章取義，是一種炒作。這種現(xiàn)象并不是好事，但撥動(dòng)了市場(chǎng)的神經(jīng)，炒熱了輿論，也把半導(dǎo)體股炒起來。

但無論如何，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不止是受到資本的青睞，我國(guó)也將第三代半導(dǎo)體列入2030年國(guó)家新材料重大項(xiàng)目七大方向之一，目前正處于研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵期。

（整理自公開資料）

技術(shù)特點(diǎn)明顯，應(yīng)用前景廣闊

區(qū)別于第一代半導(dǎo)體材料（主要指硅、鍺元素半導(dǎo)體材料）、第二代半導(dǎo)體材料（化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵、銻化銦），第三代半導(dǎo)體材料被業(yè)內(nèi)譽(yù)微電子產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”，它具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度、更高的電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，在短波發(fā)光、激光、探測(cè)等光電子器件和高溫、高壓、高頻大功率的電子電力器件領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。

（整理自公開資料）

以當(dāng)前最主流的兩種第三代半導(dǎo)體材料來看，SiC具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場(chǎng)景，相較于硅器件，可以顯著降低開關(guān)損耗。因此，SiC 可以制造高耐壓、大功率的電力電子器件，如MOSFET、IGBT、SBD 等，下游主要用于智能電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)。就國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀來看，預(yù)計(jì)未來幾年SiC市場(chǎng)將充分受益于新能源汽車滲透提升、電動(dòng)車配套設(shè)備建設(shè)和5G通訊基站及數(shù)據(jù)中心建設(shè)，其中汽車電動(dòng)化為驅(qū)動(dòng)SiC市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)的最主要因素。目前在新能源汽車上采用SiC解決方案主要體現(xiàn)在功率控制單元（PCU）、逆變器，及車載充電器等方面。預(yù)計(jì)2024年SiC市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到20億美元。

GaN具有高臨界磁場(chǎng)、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn)，是超高頻器件的極佳選擇。展望未來，5G通訊、消費(fèi)電子快充和車規(guī)級(jí)充電成為GaN產(chǎn)品規(guī)模擴(kuò)張的主要?jiǎng)恿?。?G和更高頻率應(yīng)用中，GaN的效率比LDMOS／硅器件要高10％－15％，預(yù)計(jì)在5G基站PA中份額將持續(xù)提升；手機(jī)快充逐漸普及，消費(fèi)級(jí)快充將成為推動(dòng)GaN功率器件滲透的重要因素。預(yù)計(jì)2024年GaN電源市場(chǎng)產(chǎn)值將超過3．5億美元。

CASAResearch數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示，消費(fèi)類電源、商業(yè)電源和新能源汽車為SiC、GaN電子電力器件的前三大應(yīng)用領(lǐng)域，分別占比28％、26％和11％。消費(fèi)類電源是當(dāng)前普及范圍最廣的領(lǐng)域，主要以GaN快充技術(shù)落地應(yīng)用在PC、智能手機(jī)等移動(dòng)電子產(chǎn)品上；新能源汽車方面，國(guó)內(nèi)已成為全球最大的新能源汽車市場(chǎng)，特斯拉、比亞迪等廠商代表開始全方位布局SiC元器件在整車上的應(yīng)用。

國(guó)內(nèi)上市公司如何布局？

整體來看，我國(guó)第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的自主保障能力得到增強(qiáng)，但國(guó)內(nèi)企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力較國(guó)際巨頭仍有差距。一方面，與國(guó)際企業(yè)相比產(chǎn)業(yè)規(guī)模較小，企業(yè)優(yōu)勢(shì)不明顯。各細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)的核心器件均由ROHM、Infineon等國(guó)外企業(yè)占據(jù)，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品市占率不足10％。同時(shí)，國(guó)際企業(yè)從產(chǎn)品數(shù)量、技術(shù)指標(biāo)、企業(yè)規(guī)模等各方面都超過國(guó)內(nèi)企業(yè)。另一方面，國(guó)內(nèi)同類企業(yè)之間在技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)等方面的差距在加大，但仍未出現(xiàn)具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的龍頭企業(yè)，競(jìng)爭(zhēng)格局仍未成型。

隨著國(guó)內(nèi)上市公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的加大投入和布局，預(yù)計(jì)接下來行業(yè)內(nèi)的兼并、重組事件將增多，我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展會(huì)得到進(jìn)一步強(qiáng)化。在此OFweek電子工程網(wǎng)匯總整理了近期國(guó)內(nèi)上市公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)布局：

華燦光電

華燦光電表示已通過定增投向第三代化合物半導(dǎo)體，業(yè)務(wù)進(jìn)一步向GaN功率器件延伸，未來下游輻射領(lǐng)域可從消費(fèi)電子擴(kuò)展至汽車電子、數(shù)據(jù)中心等各類應(yīng)用。此外，公司第三代半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的各項(xiàng)工作也在有序推進(jìn)中。

天準(zhǔn)科技

今年4月，上海新微半導(dǎo)體有限公司采購(gòu)光刻對(duì)準(zhǔn)精度檢驗(yàn)機(jī)、臺(tái)階儀和薄膜應(yīng)力測(cè)試儀中標(biāo)結(jié)果出爐，中標(biāo)人為新耕（上海）貿(mào)易有限公司，制造商為MueTec GMbH，后者為天準(zhǔn)科技今年5月完成并購(gòu)的德國(guó)企業(yè)。天準(zhǔn)科技向媒體表示，MueTec簽訂合同是否信披以合同金額而定。MueTec的產(chǎn)品是通用的晶圓測(cè)量與檢測(cè)設(shè)備，可適用于第三代半導(dǎo)體制程，已在中國(guó)市場(chǎng)推廣，并且已有設(shè)備在一些國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶現(xiàn)場(chǎng)交付使用。

溫州宏豐

溫州宏豐因擬向不特定對(duì)象發(fā)行不超3．2億元可轉(zhuǎn)換公司債券而廣受市場(chǎng)關(guān)注，公司在持續(xù)加大硬質(zhì)合金材料等延伸產(chǎn)業(yè)板塊優(yōu)勢(shì)之外，擬使用募集資金投入2000萬元用于碳化硅單晶研發(fā)項(xiàng)目。公告顯示，溫州宏豐此次募投項(xiàng)目擬將加強(qiáng)在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究和新工藝、新產(chǎn)品的研究開發(fā)能力，為未來碳化硅領(lǐng)域科技成果轉(zhuǎn)化打好基礎(chǔ)。

東尼電子

4月21日，東尼電子發(fā)布公告稱，擬募集資金總額不超過5億元。扣除發(fā)行費(fèi)用后擬用于年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，年產(chǎn)1億對(duì)新能源軟包動(dòng)力電池用極耳項(xiàng)目，補(bǔ)充流動(dòng)資金項(xiàng)目。

華潤(rùn)微

華潤(rùn)微2020年正式投入1200V和650V工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管功率設(shè)備產(chǎn)品系列，同時(shí)國(guó)內(nèi)第一條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。同時(shí)研發(fā)6英寸和8英寸的GaN產(chǎn)品，積極利用公司的全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，從基礎(chǔ)材料、設(shè)備設(shè)計(jì)、制造技術(shù)、包裝技術(shù)等方面全面布局研發(fā)工作。此外，增資碳化硅外延晶片企業(yè)瀚天天成，持有 3．2418％的股權(quán)，延伸產(chǎn)業(yè)鏈布局。

華峰測(cè)控

華峰測(cè)控在第三代半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)前景廣闊，公司深耕多年，進(jìn)入業(yè)績(jī)釋放期。2020年，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)約為1．99億元，同比增長(zhǎng)95．31％；營(yíng)業(yè)收入約為3．97億元，同比增長(zhǎng)56．11％。其中，公司第三代半導(dǎo)體訂單顯著增長(zhǎng)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷突破，第三代半導(dǎo)體器件在快充、5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。公司在第三代化合物半導(dǎo)體，尤其是氮化鎵領(lǐng)域布局較早，在第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊方面取得了認(rèn)證及實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，解決了多個(gè)GaN晶圓測(cè)試的業(yè)界難題。2020年，公司第三代半導(dǎo)體訂單顯著增長(zhǎng)，未來氮化鎵、功率模塊和電源管理等新興應(yīng)用有望帶來大量增量需求。

聞泰科技

聞泰科技收購(gòu)安世半導(dǎo)體剩余股權(quán)，完成后持有安世集團(tuán) 98．23％的權(quán)益比例。安世與國(guó)內(nèi)龍頭汽車產(chǎn)業(yè)一級(jí)供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子達(dá)成深度合作協(xié)議，推動(dòng)GaN在中國(guó)汽車市場(chǎng)的研發(fā)和應(yīng)用，提供高效的新能源汽車系統(tǒng)解決方案。此外，安世今日位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。此外，聞泰科技于去年年底完成對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體領(lǐng)投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長(zhǎng)厚等機(jī)構(gòu)跟投，原股東力合資本追加投資?；景雽?dǎo)體致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，自主研發(fā)的碳化硅肖特基二極管和碳化硅 MOSFET 等產(chǎn)品性能已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

比亞迪

比亞迪完成內(nèi)部重組，成立比亞迪半導(dǎo)體。此外比亞迪在寧波投資建設(shè)6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線。