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總投資超200億,IGBT、第三代半導(dǎo)體等產(chǎn)線紛紛投產(chǎn)

2021-06-24
來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察
關(guān)鍵詞: IGBT 第三代半導(dǎo)體

  近年來(lái),以IGBT為主的功率半導(dǎo)體和以碳化硅、氮化鎵為主第三代半導(dǎo)體均受到市場(chǎng)的高度關(guān)注。

  其中,IGBT,被視為電力領(lǐng)域的“CPU”,對(duì)新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保等眾多國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,具有重要意義。

  而第三代半導(dǎo)體作為后摩爾時(shí)代實(shí)現(xiàn)芯片性能突破的核心技術(shù)之一,也受到資本熱捧,其應(yīng)用領(lǐng)域包括電動(dòng)汽車、光伏等功率、5G射頻、手機(jī)快充等。

  近日,湖南三安第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目和規(guī)劃生產(chǎn)IGBT的塞晶亞太大功率半導(dǎo)體項(xiàng)目均迎來(lái)重大進(jìn)展。據(jù)悉。上述兩個(gè)重大項(xiàng)目總投資超200億元。

  國(guó)內(nèi)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線投產(chǎn)

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  △Source:湖南省人民政府網(wǎng)站

  6月23日,湖南首個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來(lái)首批廠房投產(chǎn)點(diǎn)亮儀式,該項(xiàng)目是全球第三條、中國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線。

  此前資料顯示,湖南三安半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元,主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地。

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  △Source:湖南新聞聯(lián)播視頻截圖

  具體而言,該項(xiàng)目將建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

  項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值120億元,可直接提供4500個(gè)就業(yè)崗位,并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)超1000億,提供近10000個(gè)就業(yè)崗位。

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  △Source:湖南新聞聯(lián)播視頻截圖

  此外,湖南三安還與北京智芯、威勝信息共同簽訂了碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)化聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室共建意向書(shū),將聯(lián)合攻關(guān)碳化硅功率模塊科技項(xiàng)目,申報(bào)和創(chuàng)建國(guó)家創(chuàng)新中心。

  賽晶科技IGBT生產(chǎn)線進(jìn)入試生產(chǎn)階段

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  △Source:塞晶科技官網(wǎng)

  同日,賽晶科技集團(tuán)有限公司宣布,公司旗下子公司賽晶亞太半導(dǎo)體科技(浙江)有限公司在浙江省嘉興市嘉善縣經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行了絕緣柵雙極晶體管(IGBT)生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)儀式,IGBT生產(chǎn)線進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

  據(jù)悉,賽晶科技于2019年3月正式啟動(dòng)了自主技術(shù)IGBT項(xiàng)目。隨后,2019年7月賽晶IGBT項(xiàng)目正式簽約落戶嘉善,2020年6月賽晶IGBT生產(chǎn)基地動(dòng)工建設(shè),同年9月賽晶首款I(lǐng)GBT芯片和模塊產(chǎn)品正式推出。

  此前的資料顯示,賽晶亞太I(xiàn)GBT大功率半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資52.5億元,其中項(xiàng)目一期投資17.5億元,規(guī)劃建設(shè)2條IGBT芯片背面工藝生產(chǎn)線,5條IGBT模塊封裝測(cè)試生產(chǎn)線,建成后年產(chǎn)能將達(dá)到200萬(wàn)件IGBT模塊產(chǎn)品。該公司IGBT產(chǎn)品應(yīng)用將涵蓋600V至1700V的中低壓領(lǐng)域,面向電動(dòng)汽車、光伏風(fēng)電、工業(yè)變頻等市場(chǎng)。

  賽晶科技表示,IGBT生產(chǎn)線的投產(chǎn)有助于提高公司的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,對(duì)未來(lái)的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)帶來(lái)積極影響。由于生產(chǎn)線從投產(chǎn)到達(dá)產(chǎn)尚需一定時(shí)間,預(yù)期產(chǎn)能的釋放需要過(guò)程;同時(shí),短期內(nèi)還有固定成本增加的壓力,投資者應(yīng)注意投資風(fēng)險(xiǎn)。

  


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